【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种液晶显示(LCD)器件及其制造方法，特别涉及一种LCD器件及其制造方法，通过减少用于制造多晶硅薄膜晶体管的掩模数量简化制造工艺并提高生产率。
技术介绍
最近，随着信息显示技术的研究和发展及使用便携式(移动)信息介质的需求与日俱增，正在积极地研究一种能够替代现有的显示器件CRT的轻薄膜型平板显示器(FPD)并使其商业化。FPD中，特别是LCD，一种通过使用液晶的光学各向异性特性而产生图像的器件，表现了其极高的清晰度、彩色显示功能及图像质量，因此其常用于笔记本电脑、台式机监视器等中。液晶显示面板包括滤色片基板，即第一基板；阵列基板，即第二基板；及在滤色片基板及阵列基板之间形成的液晶层。使用薄膜晶体管(TFT)作为液晶显示器件的开关器件，及使用非晶硅薄膜或多晶硅薄膜作为TFT的沟道层。在LCD器件的制造过程中，需要多轮掩模工序(即，光刻工序)制造包括TFT的阵列基板，因此需要一种减少掩模工序数量的方法以提高生产率。通常使用的LCD器件结构现在将参考图1进行说明。图1所示为通常使用的LCD的阵列基板的部分平面图。虽然实际的阵列基板包括M×N个像素，N...
【技术保护点】
一种液晶显示器件的制造方法，包括：提供第一和第二基板；在所述第一基板上形成具有源区、漏区及沟道区的有源层；在所述第一基板上形成第一绝缘层；在所述第一基板上形成第一和第二导电层；通过对所述第一和第二导电 层上构图形成栅极、栅线及像素电极；在所述第一基板上形成第二绝缘层；通过去除所述第一和第二绝缘层的一部分及去除位于所述像素电极上部的第二绝缘层，形成暴露出所述源区和漏区的一部分的接触孔；在所述第一基板上形成第三导电层； 通过对所述第三导电层构图并暴露位于所...
【技术特征摘要】
KR 2004-8-12 10-2004-00635901.一种液晶显示器件的制造方法，包括提供第一和第二基板；在所述第一基板上形成具有源区、漏区及沟道区的有源层；在所述第一基板上形成第一绝缘层；在所述第一基板上形成第一和第二导电层；通过对所述第一和第二导电层上构图形成栅极、栅线及像素电极；在所述第一基板上形成第二绝缘层；通过去除所述第一和第二绝缘层的一部分及去除位于所述像素电极上部的第二绝缘层，形成暴露出所述源区和漏区的一部分的接触孔；在所述第一基板上形成第三导电层；通过对所述第三导电层构图并暴露位于所述像素电极上部的第二绝缘层，形成通过所述接触孔与所述源区和漏区电性连接的源极和漏极；及在所述第一和第二基板之间形成液晶层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于由硅层形成所述有源层。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于由结晶硅层形成所述硅层。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于通过对所述第一和第二导电层构图，使得所述栅极和栅线由具有第一和第二导电层的双层结构形成。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于通过对所述第一和第二导电层上构图，使得所述像素电极由第一导电层形成。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于所述像素电极的上部保留所述第二导电层的像素电极图案。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于去除所述像素电极上的第二绝缘层以暴露所述像素电极图案。8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述第一或第二导电膜由氧化铟锡和氧化铟锌之一形成。9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述第二导电层由铝、铝合金、钨、铜、铬和钼之一形成。10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括对所述像素电极上的第二导电膜构图以在像素电极上部的外围暴露电性连接至所述漏极的第二导电层图案。11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于当所述漏极的一部分电性连接至位于像素电极上的第二导电层图案时，对位于所述像素电极上的第三和第二导电膜构图。12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述用于形成接触孔的掩模包括用于打开像素电极区的像素电极图案。13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于使用掩模去除所述像素电极上的第二绝缘层，暴露出像素电极上的第二导电层。14.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在形成所述栅极之后，通过使用栅极作为掩模将杂质离子注入到有源层的区域内形成源区和漏区。15.根据权利要求1所述的方法，其特征在于形成所述接触孔和去除像素电极上的第二绝缘层的步骤同时进行。16.根据权利要求1所述的方法，其特征在于形成所述源极和漏极及暴露...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴容仁，柳俊锡，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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