【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请以2004年7月23日申请的美国临时申请No.60/590,628为优先权。
技术介绍
在半导体集成电路(IC)，光电子器件，和微电子机械系统(MEMS)的制造中，执行多步薄膜沉积，从而在单块基板或晶片上构造一些闭合电路(芯片)和器件。通常用各种薄膜沉积每个晶片，例如但不限于，如二元和/或过渡金属三元化合物这类的扩散阻挡层；导电薄膜，例如，但不限于，钨、铜和铝；半导体薄膜，例如，但不限于，掺杂和未掺杂的多晶硅(poly-Si)，以及掺杂和未掺杂的(本征)非晶硅(a-Si)；介电薄膜，例如，但不限于，二氧化硅(SiO2)、未掺杂的硅玻璃(USG)、硼掺杂的硅玻璃(BSG)、磷掺杂的硅玻璃(PSG)、硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)、氮化硅(Si3N4)和氮氧化硅(SiON)；低介电常数(low-k)介电薄膜，例如，但不限于，氟掺杂的硅酸盐玻璃(FSG)、氧化硅或碳掺杂的有机硅酸盐玻璃(OSG)；光致抗蚀剂薄膜；和由有机或无机材料构成的抗反射涂层(ARC)薄膜。尤其适合于半导体工业的材料是复合有机硅酸盐薄膜。已知降低材料的整体密度可以降低该材料的介电常数(...
【技术保护点】
一种用于从基板表面的至少一部分上清除含碳残余物的工艺，该工艺包括：提供一种由氧源、氟源和任选的添加气体构成的处理气体，其中该处理气体所含的氧与氟的摩尔比范围为从大约１至大约１０；使用至少一种能量源激活该处理气体，从而提供反应性物质；和使该基板表面与该反应性物质接触，从而挥发并从该表面清除含碳残余物。
【技术特征摘要】
US 2005-7-12 11/178545;US 2004-7-23 60/5906281.一种用于从基板表面的至少一部分上清除含碳残余物的工艺，该工艺包括提供一种由氧源、氟源和任选的添加气体构成的处理气体，其中该处理气体所含的氧与氟的摩尔比范围为从大约1至大约10；使用至少一种能量源激活该处理气体，从而提供反应性物质；和使该基板表面与该反应性物质接触，从而挥发并从该表面清除含碳残余物。2.权利要求1的工艺，其中所述激活步骤的至少一部分在执行接触步骤的场所外面的位置发生。3.权利要求1的工艺，其中所述激活步骤和所述接触步骤在同样的场所发生。4.权利要求1的工艺，其中所述氧源包括选自氧气、臭氧、一氧化氮、一氧化二氮、二氧化氮、一氧化碳、二氧化碳、水及其混合物中的至少一种。5.权利要求1的工艺，其中所述激活步骤使用一种远距离等离子能量源。6.权利要求5的工艺，其中所述激活步骤使用原位等离子。7.权利要求1的工艺，其中氟源包括选自F2、HF、NF3、SF6、COF2、NOF、C3F3N3、C2F2O2、全氟化碳、氢氟碳化物、氟氧碳化物、氧化的氢氟碳化物、氢氟醚、次氟酸酯、氟代过氧化物、氟代三氧化物、氟化胺、氟化腈及其混合物中的至少一种。8.权利要求1的工艺，其中至少一种所述的氧源和氟源是相同的化合物。9.权利要求8的工艺，其中所述相同的化合物是选自次氟酸酯、氟代过氧化物、氟代三氧化物及其混合物中的至少一种。10.权利要求1的工艺，其中所述处理气体包括添加气体。11.权利要求10的工艺，其中所述添加气体是选自H2，N2，He，Ne，Kr，Xe，Ar，及其混合物中的一种。12.一种用于从处理室表面清除含碳残余物的工艺，其中该处理室用于沉积复合有机硅酸盐材料，该工艺包括提供处理室，其中该室包括至少部分覆盖着含碳残余物的表面；提供一种由氧源、氟源和任选的添加气体构成的处理气体，其中该处理气体所含的氧与氟的摩尔比范围为从大约1至大约10；使用至少一种能量源激活该处理气体，从而形成反应性物质；使所述残余物与该反应性物质接触，从而形成至少一种挥发性产物；和从该处理室清除所述至少一种挥发性产物。13.权利要求12的工艺，其中所述激活步骤的至少一部分在执行接触步骤的场所外面的位置发生。14.权利要求13的工艺，其中所述接触步骤在5Torr或更小的压力下执行。15.一种用于从处理室表面清除含碳残余物的工艺，其中该处理室用于沉积复合有机硅酸盐材料，该工艺包括提供处理室，其中该室包括至少...
【专利技术属性】
技术研发人员：AD约翰逊，H苏巴瓦拉，齐宾，RN维蒂斯，EJ小卡瓦基，RG里德格瓦，PJ马劳里斯，ML奥内尔，AS鲁卡斯，SA莫蒂卡，
申请(专利权)人：气体产品与化学公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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