液晶显示器制造技术

本发明专利技术公开了一种液晶显示器，其一基板包括一绝缘基底、一位于该绝缘基底上的公共线、一与该公共线相连接的公共电极、一像素电极和一位于该公共线与该像素电极之间的介电层，其中该公共线上具有多个凸块，该多个凸块与位于其上方的像素电极以及二者之间的介电层形成一存储电容。在该液晶显示器中，具有存储电容的同时不会增加驱动电路的负载和功耗。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种液晶显示器。
技术介绍
采用主动矩阵阵列的液晶显示器一般包括多个由栅极线与源极线相互交叉形成的像素区域和多个设置在栅极线与源极线交叉处的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)，其中，每一像素具有一像素电极，该薄膜晶体管用于控制该像素电极的开关切换。当一信号被加载到薄膜晶体管时，像素区域被激活，影像信号被施加到该像素电极上。为达到高质量的显示效果，施加在像素电极上的电压必须保持某一常值至下一信号被接收时。然而，像素电极上用以维持电压的电荷通常会快速泄漏，导致像素电极上的电压过早降低，从而降低液晶显示器的显示效果，因此通常液晶显示器的每一像素使用一存储电容来保持其像素电极的电压在预定时间内稳定不变。2001年3月29日公开的中国台湾专利第493101号公开了一种现有技术的存储电容，如图1和图2所示。图1是一主动矩阵基板的像素区域平面图，图2是图1中沿II-II线的剖视图。其中，该像素区域1包括多条横向延伸的栅极线12、多条纵向延伸的数据线11以及像素电极13，每个像素区域1均由某一区域的数据线11与栅极线12相互交叉形成。其中，栅极线12位于基板10上方，像素区域1包含多个存储电极14，该多个存储电极14上方依次覆盖有绝缘层17及保护层18，该保护层18上对应存储电极14的部分镂空，露出对应部分的绝缘层17；像素电极13位于绝缘层17和保护层18上方。多个存储电极14呈长条状，依次平行排列，与绝缘层17及像素电极13共同形成一存储电容。在该像素区域1中，在栅极线12上设置多个长条状存储电极14，增加存储电极14的总面积，可增大存储电容的电容值，从而能够存储更多电荷，在较长时间内保持像素电极的电压不变，获得高质量的显示效果。但是在栅极线11上设置多个长条状存储电极14会同时会增加栅极线11的负载。
技术实现思路
为克服现有技术液晶显示器在增加存储电容的同时会增加栅极线负载的缺陷，本专利技术提供一种具有存储电容而且不会增加栅极线负载的液晶显示器。本专利技术解决技术问题所采用的技术方案是提供一种液晶显示器，其一基板包括一绝缘基底、位于该绝缘基底上的公共线、一与该公共线相连接的公共电极、一像素电极和一位于该公共线与该像素电极之间的介电层，其中该公共线上具有多个凸块，该多个凸块与位于其上方的像素电极以及二者之间的介电层形成一存储电容。与现有技术相比，该像素区域中，由于形成存储电容的多个凸块位于公共线上，该多个凸块与像素电极以及二者之间的介电层共同形成存储电容。但公共线通常仅提供参考电压给公共电极，该液晶显示器具有存储电容，其显示质量得以改善，同时不会增加驱动电路的负载和功耗。附图说明图1是一种现有技术液晶显示器的像素区域平面图。图2是图1中沿II-II线的剖视图。图3是本专利技术液晶显示器的像素区域平面图。图4是图3中沿IV-IV线的剖视图。具体实施方式本专利技术液晶显示器的一像素区域如图3和图4所示，图3是本专利技术液晶显示显示器的一像素区域的平面图，图4是图3中沿IV-IV线的剖视图。请参阅图3，该像素区域3包括一横向延伸的栅极线32、一纵向延伸的数据线31、一位于该栅极线32与该数据线31的交叉点的薄膜晶体管35、一基本上平行于该栅极线32的公共线(CommonLine)36和像素电极33，相邻的两条数据线31与两条栅极线32相互交叉形成像素区域3。其中，该薄膜晶体管35包括栅极350、漏极351与源极352。栅极线32与栅极350电连接并向其提供控制信号，而数据线31与薄膜晶体管35的漏极351电连接并通过其提供像素信号给像素电极33，公共线36位于像素区域3内，提供一驱动液晶层的参考电压给与该公共线36相连接的公共电极(Common Electrode)360；该公共电极360与该像素电极33部分重叠，像素电极33与公共线36的重叠部分330用作存储电容50的上存储电极。其中该公共线36上设置有多个相互分离的凸块34，该多个凸块34作为该存储电容50的下存储电极，分别与重叠部分330以及二者之间的介电层(图未示)共同构成多个子存储电容。该多个子存储电容并联构成存储电容50。请一起参阅图4，栅极350、公共电极360和公共线36均设置在一绝缘基底30上，其中栅极350与公共电极360、公共线36间隔设置，公共电极360与公共线36相连接；其上方覆盖有栅极绝缘膜37，在栅极350与公共线36正上方依次设置有主动层39及欧姆连接层41，在具有上述组件的绝缘基底30上形成一导体层，该导体层经蚀刻处理后，公共电极360上方的导体层被移除，从而形成薄膜晶体管35的漏极351、源极352和像素电极33。在漏极351、源极352、像素电极33和栅极绝缘膜37上方设置一钝化膜38。其中像素电极33与漏极351电连接，像素电极33与公共线36部分重叠，像素电极33与栅极绝缘膜37以及公共线36上的多个凸块34共同形成一存储电容50，其中该像素电极33与公共线36重叠的部分330用作该存储电容50的上存储电极，栅极绝缘膜37用作该存储电容50的介电层。与现有技术相比，该像素区域3中，由于形成存储电容50的多个下存储电极(即多个凸块)34位于公共线36上，该多个凸块34与像素电极33以及栅极绝缘膜37共同形成存储电容50。但公共线36通常仅提供参考电压给公共电极，采用该设计的液晶显示器，具有存储电容50，同时不增加栅极线32的负载，从而并不增加驱动电路的负载和功耗。其中，该多个凸块34可以是矩形凸块，即长条状凸块，也可以是梯形凸块或者三角形凸块。在像素电极33与公共线36的重叠部分330与该多个凸块34上还可以设置多个孔洞，利用该多个孔洞的边缘效应进一步增大存储电容50的电容值。该公共线36、栅极350和公共电极360可以是单层结构、双层结构或三层结构。若该公共线36、栅极350和公共电极360为单层结构，可采用铝、铬、铌铝合金、钼钨合金或钼铌合金等导电材料制成；若该公共线36、栅极350及公共电极360为双层结构，其双层的材料可采用如下材料组合钼/钕铝合金或钕铝合金/铬；若该公共线36、栅极350及公共电极360为三层结构，其三层的材料可采用如下材料组合钛/铝/钛或钼/铝/钼。另外，铝可以取代上述铝合金，如钕铝合金、铌铝合金等。另外，该像素电极33可采用氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)或氧化铟锌(Indium Zinc Oxide，IZO)等透明导电材料制成，用作介电层的栅极绝缘膜37可采用氮化硅、氧化硅、苯丙环丁烯(Benzocyclobutene)或压克力(Acryl)等介电材料制成。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶显示器，其一基板包括一绝缘基底、位于该绝缘基底上的公共线、一与该公共线相连接的公共电极、一像素电极和一位于该公共线与该像素电极之间的介电层，其特征是：该公共线上具有多个凸块，该多个凸块与位于其上方的像素电极以及二者之间的介电层形成一存储电容。

【技术特征摘要】
1.一种液晶显示器，其一基板包括一绝缘基底、位于该绝缘基底上的公共线、一与该公共线相连接的公共电极、一像素电极和一位于该公共线与该像素电极之间的介电层，其特征是该公共线上具有多个凸块，该多个凸块与位于其上方的像素电极以及二者之间的介电层形成一存储电容。2.如权利要求1所述的液晶显示器，其特征是该凸块是如下三种凸块中的至少一种矩形凸块、梯形凸块与三角形凸块。3.如权利要求1所述的液晶显示器，其特征是该凸块上设置有多个孔洞。4.如权利要求1所述的液晶显示器，其特征是该凸块上方的像素电极部分设置有多个孔洞。5.如权利要求1所述的液晶显示器，其特征是该公共线是单层结构，而且其材料是如下材料组成的群组中至少一种铝、铬、铌铝合金、钼钨合金与钼铌合金。6.如权利要求1所述的液晶显示器，其特征是该公共线为双层结构，而且该双层结构的材料是如下材料组合之一钼/钕铝合金与钕铝合金/铬。7.如权利要求1所述的液晶显示器，其特征是该公共线为三层结构，而且该三层结构的材料是如下材料组合之一钛/铝/钛与钼/铝/钼。8.如权利要求1所述的液晶显示器，其特征是该公共电极为单层结构，而且其材料选自如下材料组成的群组中至少一种铝、铬、铌铝合金、钼钨合金与钼铌合金。9.如权利要求1所述的液晶显示器，其特征是该公共电极为双层结构，而且该双层结构的材料是如下材料组合之一钼/钕铝合金与钕铝合金/铬。10.如权利要求1所述的液晶显示器，其特征是该公共电极为三层结构，而且该三层结构的材料是如下材料组合之一钛/铝/钛与钼/铝/钼。11.如权利要求1所述的液晶显示器，其特征是该介电层是选自以下材料组成的群组中的至少一种氮化硅、氧化硅、苯丙环丁烯与压克力材料。12.如权利要求1所述的液晶显示器，其特征是该像素电极采用透明导电材料制成。13.如权利要求12所述的液晶显示器，其特征是该透明导电材料是氧化铟锌或氧化铟锡。14.一种液晶显示器，其薄膜晶体管基板包括一绝缘基底，一栅极线，一基本上平行于该栅极线的公共线，一数据线，其与该栅极线及公共线相互交叉形成一像素区域；一位于栅极线与数据线交叉点的薄膜晶体管；一位于像素区域并与该公共线相连接的公共电极；一与该薄膜晶体管相连接的像素电极；一位于该公共线与该像素电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪肇逸，陈弘育，
申请(专利权)人：鸿富锦精密工业深圳有限公司，群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]