具有凸起的外部基极的双极型晶体管制造技术

公开了一种双极型晶体管，具有凸起的外部基极以及在外部基极和发射极（１０６）之间可选择的自对准。制造方法可以包括在内部基极（１０８）上形成预定厚度的多晶硅或硅的第一外部基极层（１０２）。然后通过光刻在第一外部基极层（１０２）上形成电介质的着落垫片（１２８）。接下来，在电介质的着落垫片（１２８）的顶上形成多晶硅或硅的第二外部基极层（１０４），以便最终完成凸起的外部基极整体厚度。使用光刻和ＲＩＥ形成发射极（１０６）开口，其中刻蚀第二外部基极层（１０４）并停止在电介质的着落垫片（１２８）上。通过选择第一外部基极层（１０２）厚度、电介质的着落垫片（１２８）宽度以及间隔物宽度来获得发射极（１０６）与凸起的外部基极之间的自对准的程度。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术通常涉及一种双极型晶体管，更具体地，涉及一种通过可选择的自对准具有凸起的外部基极的双极型晶体管以及制造该晶体管的方法。
技术介绍
具有硅锗(SiGe)内部基极的双极型晶体管是针对高性能混合信号应用制造的集成电路的关注点。通过优化外延生长的内部SiGe基极的Ge/Si比、掺杂轮廓和膜厚度能够降低这种晶体管的发射极到集电极的通过时间。最初开发的利用SiGe内部基极的双极型晶体管具有通过对硅衬底的注入而形成的外部基极。由于外部基极掺杂剂的横向扩散造成的内部基极精确度的损失降低了发射极尺寸，所以这种晶体管的性能达到了极限。为了获得较高的电性能，晶体管必须在外延生长的内部SiGe基极的顶上具有掺杂的多晶硅外部基极层，即，凸起的外部基极。在SiGe内部基极的顶上具有凸起的外部基极的晶体管已经表现出迄今为止最高的截止频率(Ft)和最大的振荡频率(Fmax)。见B.Jagannathan等人的“在可制造技术中具有285GHzfMAX和207GHzfT的自对准SiGe NPN晶体管”，IEEE Electron Device Letters 23，258(2002)和J.S.Rieh等人本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体管，包括：发射极（１０６）着落垫片（１２８）的剩余部分（１４３），该剩余部分（１４３）与内部基极（１０８）被隔开。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2003-8-29 10/604,9881.一种晶体管，包括发射极(106)着落垫片(128)的剩余部分(143)，该剩余部分(143)与内部基极(108)被隔开。2.如权利要求1所述的晶体管，其中剩余部分(143)与内部基极(108)隔着外部基极层，该外部基极层包括用于确定发射极(106)与外部基极之间的距离的氧化物部分(152)。3.一种晶体管，包括发射极(106)；第一外部基极层(102)；电连接到第一外部基极层(102)的第二外部基极层(104)；在第一外部基极层(102)中邻近发射极(106)的氧化物部分(152)；和发射极(106)着落垫片(128)的剩余部分(143)，该剩余部分(143)使第一和第二外部基极层(104)中的每一层与邻近的发射极(106)彼此分开。4.如权利要求3所述的晶体管，其中外部基极包括第一外部基极层(102)和第二外部基极层(104)，第一外部基极层(102)按照与第二外部基极层(104)不同的浓度被掺杂。5.如权利要求4所述的晶体管，其中氧化物部分(152)位于第一外部基极层(102)内。6.如权利要求4所述的晶体管，其中第一外部基极层(102)包括含有掺杂的硅的第一区域以及含有掺杂的多晶硅的第二区域，所述氧化物部分(152)位于第一区域。7.如权利要求3所述的晶体管，其中进一步包括位于所述氧化物部分(152)上的发射极(...

【专利技术属性】
技术研发人员：马万H哈特尔，詹姆斯S邓，戴维L哈拉梅，阿尔文J约瑟夫，刘奇志，弗朗索瓦帕格蒂，斯特凡AST昂格，安德列亚斯D斯特里克，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]