高频薄膜电路元件制造技术

一种电感器电路元件，包括与磁性材料（６，７，１１，１２）的薄层磁耦合的长形电导体（１），所述薄层沿着至少一部分所述导体在所述导体上方和下方延伸。磁性材料的每一层（６，７，１１，１２）的厚度与其横向尺寸的纵横比在０．００１和０．５之间，优选在０．０１和０．１之间。该纵横比的范围有一高铁磁共振频率。所述电感器优选包括在所述导体旁边延伸的磁互连件（１３，１４），所述磁互连件在下述位置将所述磁性材料层（６，７，１１，１２）互连起来：在所述位置，沿着导体流动的电流产生的磁通量横穿所述层。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种高频薄膜电路元件，其包括与至少一层磁性材料磁耦合的长形导体，所述磁性材料层沿着所述导体的至少一部分在所述导体上方和下方延伸。
技术介绍
在磁性材料中埋入或夹入电感元件的导体能够在给定尺寸的情况下明显地提高其电感，或者在保持给定电感的情况下缩小尺寸。类似地，在磁性材料中埋入或者夹入导体能够增强由沿着导体流动的电流产生的磁场的封闭性如果导体被形成为半导体器件比如集成电路的一部分，则这种情况尤其有价值，因为能够改善与器件中其它元件的信号隔离。对于使用半导体类型的制造技术(比如支持层上的掩模控制的淀积和材料的蚀刻)制造的微电路元件，电路元件尺寸的减小尤其有价值，因为这导致被占用的芯片面积减小，从而，对于给定的制造操作序列和给定的总支持层(“晶片”)尺寸，能够生产更多的器件。但是，即便使用高电阻率铁磁材料，铁磁共振(FMR)损耗也限制了这样的器件在1GHz以下的适用性。Fergen，I等人发表在Journal of Magnetism and MagneticMaterials vol.242-245 p.146-51(2002年4月)的题为“Softferromagne本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电路元件，包括长形的电导体（１），该电导体与磁性材料的至少一个薄层（５；６，７，１１，１２）磁耦合，所述至少一个薄层沿所述导体的至少一部分延伸，与所述导体并列，其特征在于，所述磁性材料层（５；６，７，１１，１２）的厚度与其横向尺寸的纵横比在０．０１到０．５之间。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】EP 2003-11-28 03292965.51.一种电路元件，包括长形的电导体(1)，该电导体与磁性材料的至少一个薄层(5；6，7，11，12)磁耦合，所述至少一个薄层沿所述导体的至少一部分延伸，与所述导体并列，其特征在于，所述磁性材料层(5；6，7，11，12)的厚度与其横向尺寸的纵横比在0.01到0.5之间。2.如权利要求1所述的电路元件，其中，所述纵横比小于0.1。3.如权利要求1或2所述的电路元件，其中，所述导体(1)的所述部分被设置在所述磁性材料层(5；6，7，11，12)内。4.如前述任一权利要求所述的电路元件，其中，所述长形电导体(1)与多个所述磁性材料薄层(6，7，11，12)磁耦合，所述薄层沿着所述导体的至少一部分在所述导体的上方和下方延伸，每一个所述磁性材料层(6，7，11，12)的厚度与其横向尺寸的纵横比在0.01到0.5之间。5.如权利要求4所述的电路元件，其中，所述纵横比小于0.1。6.如权利要求4或5所述的电路元件，包括在所述导体(1)旁边延伸并在下述位置互连所述磁性材料层(6，7，11，12)的磁互连件(13，14)，在所述位置，沿着所述导体流动的电流产生的磁通量横穿所述层。7.如权利要求6所述的电路元件，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：菲利普瑞那奥德，拉马姆尔西拉马普拉萨德，
申请(专利权)人：飞思卡尔半导体公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]