存储器单元偏置技术制造技术

本发明专利技术描述用于存储器单元偏置技术的方法、系统及装置。可在存取操作的存取阶段期间存取存储器单元。可启动所述存取阶段的预充电阶段。可在所述预充电阶段之后将所述存储器单元偏置到某一电压(例如，非零电压)。在一些实例中，当字线未被偏置且所述存储器单元与数字线隔离时将所述存储器单元偏置到所述电压。线隔离时将所述存储器单元偏置到所述电压。线隔离时将所述存储器单元偏置到所述电压。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】存储器单元偏置技术
[0001]交叉参考
[0002]本专利申请案主张由维斯康蒂(Viscont)等人在2019年6月14日申请的标题为“存储器单元偏置技术(MEMORY CELL BIASING TECHNIQUES)”的第16/441,763号美国专利申请案的优先权，所述申请案转让给其受让人且以全文引用的方式明确并入本文中。

技术介绍

[0003]下文大体上涉及操作存储器阵列且更具体来说涉及存储器单元偏置技术。
[0004]存储器装置广泛用于将信息存储于各种电子装置(例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器及类似物)中。通过编程存储器装置的不同状态而存储信息。例如，二进制装置具有两个状态，所述两个状态通常由逻辑“1”或逻辑“0”表示。在其它系统中，可存储多于两个状态。为了存取经存储信息，电子装置的组件可读取或感测存储器装置中的经存储状态。为了存储信息，电子装置的组件可在存储器装置中写入或编程状态。
[0005]存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RA本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种方法，其包括：在存取操作的存取阶段期间存取存储器单元；至少部分基于存取所述存储器单元而启动所述存取操作的预充电阶段；在所述预充电阶段期间将所述存储器单元偏置到第一电压；及在所述预充电阶段期间在将所述存储器单元偏置到所述第一电压之后将所述存储器单元偏置到小于所述第一电压的第二电压。2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：在将所述存储器单元偏置到所述第二电压时，将所述存储器单元与数字线隔离。3.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括：在将所述存储器单元与所述数字线隔离之后，将所述存储器单元的电压维持于所述第二电压。4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：至少部分基于存取所述存储器单元而识别存储于所述存储器单元上的状态，其中所述第二电压的值是至少部分基于所述存储器单元的所述状态。5.根据权利要求4所述的方法，其中所述存取操作包括读取操作。6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：识别在所述存取操作期间与所述存储器单元相关联的状态；及至少部分基于在所述存取操作期间与所述存储器单元相关联的所述状态识别所述第二电压的值，其中将所述存储器单元偏置到所述第二电压是至少部分基于识别所述第二电压的所述值。7.根据权利要求6所述的方法，其中所述存取操作包括写入操作。8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二电压是非零电压。9.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：从主机装置接收用于对所述存储器单元执行所述存取操作的存取命令，其中存取所述存储器单元是至少部分基于接收所述存取命令。10.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：在所述存取操作之后且在第二存取操作的第二存取阶段期间存取所述存储器单元；至少部分基于存取所述存储器单元而启动所述第二存取操作的第二预充电阶段；在所述第二预充电阶段期间将所述存储器单元偏置到小于所述第一电压的第三电压；及在所述第二预充电阶段期间在将所述存储器单元偏置到所述第三电压之后将所述存储器单元偏置到小于所述第二电压的第四电压。11.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：至少部分基于打开页面存取操作激活包括所述存储器单元的存储器单元行。12.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：至少部分基于关闭页面存取操作撤销激活包括所述存储器单元的存储器单元行。13.根据权利要求1所述的方法，其中所述存储器单元包括铁电存储器单元。14.一种方法，其包括：在存取操作的存取阶段期间存取存储器单元；至少部分基于存取所述存储器单元而启动所述存取操作的预充电阶段；
在所述预充电阶段期间将第一电压施加到与所述存储器单元耦合的数字线；在所述预充电阶段期间将第二电压施加到与所述存储器单元耦合的板极线；在所述预充电阶段期间在将所述第一电压施加到所述数字线之后将第三电压施加到所述数字线，其中所述第三电压小于所述第一电压；及在所述存取操作的所述预充电阶段期间在将所述第二电压施加到所述板极线之后将第四电压施加到所述板极线，其中所述第四电压小于所述第二电压。15.根据权利要求14所述的方法，其中施加到所述数字线的所述第三电压小于施加到所述板极线的所述第四电压。16.根据权利要求14所述的方法，其中施加到所述数字线的所述第三电压大于施加到所述板极线e的所述第四电压。17.根据权利要求14所述的方法，其进一步包括：在将所述第三电压施加到所述数字线且将所述第四电压施加到所述板极线时将所述存储器单元与所述数字线隔离。18.根据权利要求17所述的方法，其进一步包括：在将所述存储器单元与所述数字线隔离之后，将所述板极线及所述数字线偏置到零电压。19.根据权利要求14所述的方法，其进一步包括：至少部分基于存取所述存储器单元而识别存储于所述存储器单元中的状态，其中所述第三电压的值是至少部分基于所述存储器单元的所述状态。20.根据权利要求14所述的方法，其进一步包括：在所述存取操作的所述存取阶段期间将电压施加到与所述存储器单元耦合的字线，其中存取所述存储器单元是至少部分基于将所述电压施加到所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：A，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：