具圈体的基座及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种具圈体的基座，包含有：一基板，具有至少一绝缘层与一电路层；一圈体，设置于该基板的表面；一发光二极管芯片，设置于该圈体所环绕的该基板表面，且与该基板上的电路层具有电性连接关系，该圈体于该基板上的高度大于该发光二极管于该基板上的高度；及一透光胶体层，由透光材质所构成，用以覆盖该发光二极管芯片，能防止该发光二极管芯片与外界直接接触。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关于一种发光二极管基座及其制造方法，特别是运用圈体与基板的紧密结合以防止产生形状不一的透光胶体层者。
技术介绍
现有技术运用于发光二极管基座的制造方法包括有由一基板上经由多次制程形成一凹槽与一导电线路，并于该凹槽中央形成一发光二极管，例如TW专利公告第508841号揭露一种制造氮化物半导体基板的方法，包括下列步骤在支承基板上形成具有条纹、格栅或岛形态的窗的保护膜；使第一氮化物半导体自该支承基板的暴露部分于该保护膜上横向成长，及于该保护膜未被覆盖的状态中停止成长；将该保护膜移除，因而在经横向成长的第一氮化物半导体层的下方形成空穴；及使第二氮化物半导体层自该经横向成长的第一氮化物半导体层之上表面或上表面及侧面横向成长。然而在上述现有技术结构中，由于其制造步骤繁琐，且常需运用多种化学物质于该基板上蚀刻、研磨等加工制程，不仅需在无尘室环境下运用复杂且昂贵的机具，且制程人员在操作化学物质时具有一定程度的危险性，亦容易对环境造成化学污染。因而出现另一种发光二极管基座的制造方法，主要包括有由一金属片形成的基座上设置一发光二极管，并在该发光二极管连接一穿透该基座的阳极接脚与一阴极接脚，并在该阳极接脚与该阴极接脚周围运用玻璃粉烧结方式形成一绝缘层，最后在该基座上以直接液滴的方式形成一透光胶体层。然此制造方法又因其玻璃粉烧结方式所耗费的制造时间太长且失败率极高而为人所垢病，另外，由于该制造方法仅使用透光胶体直接液滴于该基板的形成方式而产生形状不一的透光胶体层，因而造成产品良率极不稳定的情况。现有技术中相关于发光二极管基板采用昂贵复杂机具运用繁琐化学制程或是玻璃粉烧结搭配透光胶体直接液滴的制造方式，对于现今高良率与生产快速的制造要求却可能无法提供全面而完整解决方案。因此，提供一种完善的发光二极管基板制造方式已具有极为迫切需求。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种运用基板上圈体以控制在基板上透光胶体层形状的制造方法，因此能有效避免透光胶体层形状不一的情况产生，同时，运用基板与圈体的紧密结合，以防止透光胶体由基板与圈体的间隙流出。本专利技术的又一目的在于提供一种快速简单的发光二极管基座制造方法，无须经由多重化学制程或是长时间玻璃粉烧结的制造方式，即可达到制造商快速生产且高良率的制程要求。本专利技术的再一目的在于提供一种发光二极管基座，运用圈体与基板的紧密结合，以方便控制透光胶体于基板上形成的形状，并运用基板的电路层即可传输发光二极管所需的发光电力。为达上述目的，本专利技术提供的技术手段如下一种具圈体的基座，包含有一基板，具有至少一绝缘层与一电路层；一圈体，设置于该基板的表面；一发光二极管芯片，设置于该圈体所环绕的该基板表面，且与该基板上的该电路层具有电性连接关系，且该圈体于该基板上的高度大于该发光二极管于该基板上的高度；及一透光胶体层，由透光材质所构成，用以覆盖该发光二极管芯片，能防止该发光二极管芯片与外界直接接触。另外，本专利技术亦提供一种具圈体的基座的制造方法，包含有一结合步骤，结合该圈体与该基板；一发光二极管芯片设置步骤，将该发光二极管芯片设置于该圈体所环绕的该基板表面，并使该发光二极管芯片与该电路层具有电性连接关系；及一涂布步骤，于该基板与该圈体所形成空间内的该发光二极管芯片上涂布透光胶体以形成该透光胶体层，并通过该基板与该圈体的紧密结合以防止该透光胶体层的透光胶体由该基板与该圈体的间隙流出。为使熟悉该项技艺人士了解本专利技术的目的、特征及功效，将通过下述具体实施例，并配合所示附图，对本专利技术详加说明。附图说明图1为本专利技术一较佳实施例的立体分解图；图2为本专利技术一较佳实施例的立体图；图3为本专利技术一较佳实施例的透视图；图4为本专利技术一较佳实施例的剖面图；图5为本专利技术一较佳实施例的流程图一；图6为本专利技术一较佳实施例的流程图二；图7为本专利技术另一较佳实施例的流程图一；图8为本专利技术另一较佳实施例的流程图二。图中符号说明100基板110绝缘层120电路层200圈体300发光二极管芯片400透光胶体层S100 于基板设置绝缘层S110 于基板设置电路层 S120绝缘处理电路层的部份表面S200于圈体的底部涂上锡膏S220将圈体底部贴合于基板表面S240进行高温加热使锡膏液化S260进行冷却使锡膏固化S300将发光二极管芯片设置于基板表面S320使发光二极管芯片电性连接于电路层S400形成透光胶体层S500将发光二极管芯片设置于基板表面S520使发光二极管芯片电性连接于电路层S600绝缘处理电路层的部份表面S700于圈体的底部涂上锡膏S720将圈体底部贴合于基板表面S740进行高温加热使锡膏液化S760进行冷却使锡膏固化S800形成透光胶体层具体实施方式请参阅图1与图2，图1为本专利技术一较佳实施例的立体分解图，图2为本专利技术一较佳实施例的立体图。本专利技术提供一种具圈体的基座，包含有一基板100，具有一绝缘层110与一电路层120；一圈体200，设置于该基板100的表面；一发光二极管芯片(LED，Light EmittingDiode)300，设置于该圈体200所环绕的该基板100表面，且与该基板100上的该电路层120具有电性连接关系，且该圈体200于该基板100上的高度大于该发光二极管300于该基板100上的高度；及一透光胶体层400，由透光材质所构成，用以覆盖该发光二极管芯片300，能防止该发光二极管芯片300与外界直接接触。请参阅图3与图4，图3为本专利技术一较佳实施例的俯视图，图4为本专利技术一较佳实施例的剖面图。其中，在该基板100上的该电路层120用以传输该发光二极管300于发光时所需的电力，且该基板100可为陶瓷板、铝基板、电路板(PCB，Printed Circuit Board)、纳米复相陶瓷板。该圈体200可通过锡膏加热后冷却固化的方式设置于该基板100的表面，该圈体200可由导热性强且耐高温的金属材质所构成，且该电路层120与该圈体200接触的部份表面经由绝缘处理，以避免短路情况发生，其中，与该基板100接触的该圈体200底面口径大于该圈体200顶面口径，以形成一小型碗状聚光结构，此外，于该圈体200所包围的该基板100表面与该圈体200的内缘表面可设置一反射表面(图中未示)。该发光二极管芯片300设置于该圈体200所环绕的该基板100表面，其中，该发光二极管芯片300可搭配该碗状聚光结构及该反射表面以提高该发光二极管芯片300于发光时的聚旋光性。另外，该圈体200于该基板100上的高度大于该发光二极管300于该基板100上的高度。该透光胶体层400，由透光材质(图中未示)所构成，如透光树脂(EPOXY)、二氧化硅(SiO2)、四氮化三硅(Si3N4)，用以覆盖该发光二极管芯片200，能防止该发光二极管芯片200与外界直接接触。通过该圈体200于该基板100上所形成的高度，让该透光胶体层400的透光胶体容置于该圈体200与该基板100所形成的空间，且该透光胶体层400可内含一光转换材质(图中未示)以改变该发光二极管芯片200所射出光线的特性，如波长、色温等。请参阅图5与图6，图5为本专利技术一较佳实施例的流程图一，图6为本专利技术一较佳实施例的流程图二。另外，本专利技术亦提供一种具圈体的基座的制造方法，包含有一绝缘层设置步骤本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具圈体的基座，其特征是，包含有：一基板，具有至少一电路层；一圈体，设置于该基板的表面；至少一发光装置，设置于该圈体所环绕的该基板表面，并与该电路层具有电性连接关系，其中，该圈体于该基板上的高度大于该发光装置于该基 板上的高度；及一透光胶体层，覆盖该发光装置。

【技术特征摘要】
1.一种具圈体的基座，其特征是，包含有一基板，具有至少一电路层；一圈体，设置于该基板的表面；至少一发光装置，设置于该圈体所环绕的该基板表面，并与该电路层具有电性连接关系，其中，该圈体于该基板上的高度大于该发光装置于该基板上的高度；及一透光胶体层，覆盖该发光装置。2.如权利要求1所述的具圈体的基座，其特征是，该基板具有一绝缘层。3.如权利要求1所述的具圈体的基座，其特征是，该基板可为下述之一陶瓷板、铝基板、电路板、纳米复相陶瓷板。4.如权利要求1所述的具圈体的基座，其特征是，与该基板接触的该圈体底面口径大于该圈体顶面口径，以形成一碗状聚光结构。5.如权利要求1所述的具圈体的基座，其特征是，该发光装置可为发光二极管。6.一种具圈体的基座制造方法，其特征是，包...

【专利技术属性】
技术研发人员：周志邦，
申请(专利权)人：周志邦，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]