等离子体处理装置制造方法及图纸

一种等离子体处理装置具有一个腔体，腔体内容纳有至少两个处理平台，处理平台之间被隔离壁隔开，在所述的隔离壁上设有至少一个通道，该通道的宽度与长度比小于１／３。本发明专利技术使得各处理平台之间既能保持气压均衡又能使带电粒子不致互相干扰，提升了各处理平台处理条件的均一性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术关于半导体或集成电路制造
，尤其涉及一种可以同时对多片半导体工艺件进行处理的等离子体处理装置。
技术介绍
目前有两种常用的半导体工艺件处理系统，一种是对半导体工艺件进行批量处理的系统，而另一种则对半导体工艺件进行单片处理系统。虽然单片处理系统在产品处理均一性、热效应以及单批加工速度方面具有优势，但是其低产能以及昂贵的生产成本显然是难以克服的致命缺陷。在批量处理系统中，多片半导体工艺件被同时水平地或垂直地放置并进行处理，例如美国专利第5855681号中就描述了多种批量处理的半导体工艺件处理装置，这些装置具有多边形(较常见的如矩形)或圆形的处理腔室，这些腔室中具有多个处理平台，每个平台容纳一片半导体工艺件。为了确保处理结果的均一，需要每片半导体工艺件的处理条件一致。对于批量处理系统，由于要共用一些设备和资源，例如，加热设备、气体源、进排气设备、等离子体发生装置等，这些设备和资源由于位置或外形的关系不可能完全地被均匀分配，这样就难免会因不均一的处理条件而导致不均一的半导体工艺件处理结果。特别地，在采用等离子体作为活性粒子，以射频能量激活对半导体工艺件进行处理的处理过程，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体处理装置具有一个腔体，腔体内容纳有至少两个处理平台，处理平台之间被隔离壁隔开，其特征在于：在所述的隔离壁上设有至少一个通道，该通道的宽度与长度比小于１／３。

【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置具有一个腔体，腔体内容纳有至少两个处理平台，处理平台之间被隔离壁隔开，其特征在于在所述的隔离壁上设有至少一个通道，该通道的宽度与长度比小于1/3。2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于所述的通道具有开关，可以根据需要关闭或开启该通道。3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于所述的通道可以是直线状、曲线状或折线状。4.根据权利要求1至3任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于所述的等离子体处理装置是等离子体处理的沉积设备。5.根据权利要求1至3任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于所述的等离子体处理装置是等离子体蚀刻设备。6.一种等离子体处理装置具有一个腔体，腔体内容纳有至少两个处理平台，处理平台之间被隔离壁隔开，其特征在于在所述的隔离壁上设置有开口，使得两个处理平台之间贯通，该开口内部具有可调节的闸状单元，该闸状单元可以调节开口的大小至其宽度与长度比小于1/3。7.根据权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于所述的该闸状单元可以完全关闭开口。8.根据权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于所述的开口可以是直线状、曲线状或折线状。9.根据权利要求6至8任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于所述的等离子体处理装置是等离子体处理的沉积设备。10.根据权利要求6至8任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于所述的等离子体处理装置是等离子体蚀刻设备。11.一种等离子体处理装置具有一个腔体，腔体内容纳有至少两个处理平台，处理平台之间被隔离壁隔开，其特征在于所述的隔离壁上留有开口，使得两个处理平台之间贯通，在至少一个处理平台的内壁设有一个紧密贴合在处理平台内壁上的保护装置，保护装置上具有内外侧贯通的通道，通道的宽度与长度比小于1/3，保护装置可以沿隔离壁上下移动。12.根据权利要求11所述的等离子体处理装置，其特征在于所述的保护装置可以通过一个闸来控制牵引，根据需要移至不同的位置。13.根据权利要求12所述的等离子体处理装置，其特征在于所述的不同的位置至少包括保护装置不阻挡开口的位置；保护装置堵住开口，且通道不与开口连通的位置；保护装置堵住开口，通道连通开口的位置。14.根据权利要求13所述的等离子体处理装置，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱青，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]