用于改进的LED光输出的方法和结构技术

通过结合多个有源串联的、由隧道结分隔开的二极管，提高了ＬＥＤ的效率。这还允许ＬＥＤ工作在更长的波长上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
发光二极管(LED)的工作效率可以以多种方式加以改进。这些方式包括在半导体层的质量方面和结构设计上的改进以最大化出自LED的光的耦合。随着净驱动电流增加，基于AlGaInN或InGaN的LED的工作效率降低，如对于绿色GaInN LED的附图说明图1的曲线图110所示的。除了LED上的已知效应外，还存在这样的效应，其中由于驱动电流增加而引起的发热会导致效率降低。该效应限制了在高驱动电流时AlGaInN或InGaN的性能。此外。对于AlGaInN或InGaN LED，随着电流的增加出现了波长到更短波长的偏移。专利技术简述根据本专利技术，由隧道结分隔的多个串联的有源区域被结合到AlGaInN或InGaN LED中。对于固定的输入功率，根据本专利技术的LED需要更高的驱动电压，但是电流和电流密度减小了n倍，其中n是有源区域的数量。在较低驱动电流上工作的能力提高了AlGaInN或InGaN LED的效率并且减小了由于驱动电流导致的波长偏移。附图简述图1示出了效率滚降对电流的关系。图2示出了根据本专利技术的实施例。图3示出了根据本专利技术的LED结构的示意图。图4示出了示出了主波长(do本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管结构（２００），包括：　　　　衬底（２１０）；以及　　　　在所述衬底上形成的多个层结构（２９７，２９９），所述多个层结构中的每一个包括隧道结（２２５，２４５）和由一对覆层（２１５，２２４，２３０，２４０）围绕的量子阱有源区域（２２０，２３５），所述多个层结构（２９７，２９９）相对于所述衬底（２１０）被安排在垂直堆叠中，这样所述多个层结构中的第一个（２９７）最靠近所述衬底并且所述多个层结构中的另一个（２９９）最远离所述衬底（２００）。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2004-10-22 10/971,3801.一种发光二极管结构(200)，包括衬底(210)；以及在所述衬底上形成的多个层结构(297，299)，所述多个层结构中的每一个包括隧道结(225，245)和由一对覆层(215，224，230，240)围绕的量子阱有源区域(220，235)，所述多个层结构(297，299)相对于所述衬底(210)被安排在垂直堆叠中，这样所述多个层结构中的第一个(297)最靠近所述衬底并且所述多个层结构中的另一个(299)最远离所述衬底(200)。2.权利要求1的结构，其中所述覆层(215，224，230，240)由AlGaInN组成。3.权利要求1的结构，其中所述衬底(200)由从包含Al2O3、SiC、AlN和GaN的组中选择的材料...

【专利技术属性】
技术研发人员：SD莱斯特，
申请(专利权)人：阿瓦戈科技ECBUIP新加坡股份有限公司，
类型：发明
国别省市：SG[新加坡]