激光诱导热成像设备及使用其制造电子装置的方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种激光诱导热成像（ＬＩＴＩ）设备和使用该设备制造电子装置的方法。该ＬＩＴＩ设备包括室腔、基底支撑件、接触框和激光源或振荡器。所述ＬＩＴＩ设备将可转移层从膜供体装置转移到半成品电子装置的表面上。所述ＬＩＴＩ设备利用磁力提供在可转移层和半成品电子装置的表面之间的紧密接触。通过在ＬＩＴＩ设备的隔开的两个组件中形成的磁性材料产生磁力，可转移层和半成品电子装置的所述表面介于所述两个组件之间。磁体或磁性材料形成在ＬＩＴＩ系统的两个以下组件中：１）半成品装置和膜供体装置；２）半成品装置和接触框；３）基底支撑件和膜供体装置；或者４）基底支撑件和接触框。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子装置的生产，更具体地讲，本专利技术涉及使用激光诱导热成像(LITI)技术在电子装置中形成有机材料层。
技术介绍
某些电子装置包括有机层。例如，有机发光装置(OLED)包括各种有机层。使用各种方法来形成这种有机层。例如，这些方法包括沉积法、喷射法和激光诱导热成像(LITI)法。在LITI法中，使用膜供体(film donor)装置来提供可转移层。所述供体装置被放置在部分制成的电子装置(半成品装置)上，使得可转移层接触半成品装置的表面(接受表面)，所述可转移层将被转移到所述表面上。然后，将激光束施加到供体装置的选择的区域上，从而在供体装置的选择的区域中产生热。所述热导致可转移层的期望部分剥离。当将供体装置移走时，可转移层的剥离的部分被保留在半成品装置的所述表面上。典型的LITI设备利用吸力使得和保持可转移层在上述过程中接触半成品装置的所述表面。图1是LITI设备100的剖视图。LITI设备100包括室腔110、基底支撑件120和激光源或振荡器130。基底支撑件120包括用于将半成品电子装置140容纳在其中的半成品装置容纳槽121和用于将膜供体装置150容纳在其中的供体装置容纳槽123。为了高精度和低缺陷地将有机材料部分转移到半成品装置上，需要在可转移层和接受表面之间形成紧密接触。LITI设备100包括用于形成这种紧密接触的抽气机构。所述抽气机构包括管161和163以及真空泵P。通过管161抽气使得和保持被放置在槽121中的半成品装置(未示出)向下。通过管163抽气使得和保持被放置在槽123中的供体装置(未示出)向下并且与所述半成品装置接触。为了引导所述抽气行为，在所述室腔中需要空气或者其它气体介质。由于在LITI处理之前或之后执行的处理通常也是在真空环境中执行，利用吸力的LITI处理的整个过程在破坏真空环境的条件下被执行。本部分的讨论是为了提供相关技术的背景信息，而不是构成对现有技术的认可部分。
技术实现思路
本专利技术的一方面是提供一种用于激光诱导热成像(LITI)的设备，所述设备包括激光源；基底支撑件，包括面对激光源的表面，并且所述基底支撑件被构造为在所述表面上容纳将用于激光诱导热成像的装置，所述基底支撑件包括磁体。基底支撑件可包括具有磁体的磁性层。磁性层还包括非磁性物质和混合在非磁性物质中的多个磁体。磁性层被布置为与基底支撑件的所述表面基本平行。磁体可包括永久磁体或电磁体。电磁体电连接到外部电源，并且被构造为可选择性地被激励。磁体包括从包括板、片、块、杆和颗粒的组中选择的一种或多种形式。基底支撑件还可包括非磁性部分。所述设备还包括半成品装置，包括接受表面，并且该半成品装置被放置在基底支撑件的所述表面上；膜供体装置，包括可转移层，并且该膜供体装置被放置在半成品装置的所述接受表面上。所述设备还包括介于激光源和基底支撑件之间的接触框，所述接触框相对于基底支撑件在第一位置和第二位置之间可移动，第一位置与基底支撑件相距第一距离，第二位置与基底支撑件相距第二距离，第二距离大于第一距离，接触框被构造为在第一位置处使膜供体装置压向半成品装置，接触框包括从永久磁体、电磁体和可被磁力吸引的材料组成的组中选择的至少一种磁性材料。半成品装置可不包括永久磁体或者电磁体。半成品装置和膜供体装置被布置为使得所述接受表面和可转移层互相接触。在所述接受表面和可转移层之间基本上没有气泡。膜供体装置还包括从永久磁体、电磁体和可被磁力吸引的材料组成的组中选择的磁性材料。本专利技术的另一方面提供一种使用上述设备制造电子装置的方法，所述方法包括将半成品电子装置放置到基底支撑件的所述表面上，所述半成品装置包括面对激光源的接受表面；将膜供体装置放置到所述半成品装置的接受表面上，所述膜供体装置包括面对激光源的第一表面和面对基底支撑件的第二表面；将所述半成品装置的接受表面与膜供体装置的第二表面接触；使所述膜供体装置压向所述半成品装置。所述方法还包括将激光束照射到膜供体装置上的步骤。所述方法可在真空环境下被执行。所述磁体包括电磁体，并且压膜供体装置的步骤包括激活所述电磁体。膜供体装置包括磁体或者可被磁力吸引的材料，并且压膜供体装置的步骤包括使磁体与膜供体装置的磁体或者可被磁力吸引的材料磁性地相互作用。压膜供体装置的步骤还包括提供位于膜供体装置和激光源之间的接触框，所述接触框包括磁体或者可被磁力吸引的材料，并且压膜供体装置的步骤包括使磁体与接触框的磁体或者可被磁力吸引的材料磁性地相互作用。附图说明通过下面结合附图进行的描述，本专利技术的上述方面和优点将会变得清楚和更加容易理解，其中图1表示激光诱导热成像设备的示意性剖视图；图2表示根据本专利技术一个实施例的激光诱导热成像设备的示意性剖视图；图3表示根据本专利技术一个实施例的激光诱导热成像设备的示意性分解透视图；图4A和图4B表示根据本专利技术一个实施例的部分制成的电子装置的示意性剖视图；图4C表示根据本专利技术一个实施例的部分制成的电子装置的示意性俯视图；图5A表示根据本专利技术一个实施例的基底支撑件的示意性透视图；图5B表示沿着图5A的线I-I′截取的基底支撑件的示意性剖视图；图6A至图6C表示根据本专利技术实施例的供体装置中的示意性部分剖视图；图7表示根据本专利技术一个实施例的接触框的示意性透视图； 图8表示根据本专利技术一个实施例的激光诱导热成像方法的流程图；图9A至图9F表示根据本专利技术一个实施例的激光诱导热成像方法；图10A至图10D表示根据本专利技术一个实施例的激光诱导热成像方法；图11表示根据本专利技术一个实施例的激光振荡器的示意性透视图。具体实施例方式将参照附图描述本专利技术的各种实施例。在附图中，相同的标号指代相同或功能相似的部件或元件。在实施例中，LITI设备利用磁力提供膜供体装置和半成品装置之间的紧密接触。与图1的LITI设备中的抽气不同，磁力不需要在室腔中有空气或流体。在实施例中，既可以在真空条件下也可以在非真空条件下执行利用磁力使膜供体装置和半成品装置接触。图2表示根据一个实施例的LITI设备200。所表示的LITI设备200包括室腔210、基底支撑件260、接触框230和激光源或振荡器220。室腔210提供利用膜供体装置241来处理半成品(或者部分制成的)电子装置250的空间。基底支撑件260被构造成用于支撑半成品装置250和膜供体装置241。接触框230可运动地连接到室腔210，以在膜供体装置241的上方提供向下的重力。在特定实施例中，可省略接触框230。膜供体装置241包括可转移层(未示出)。可转移层将通过激光被转移到半成品装置上。激光振荡器220被布置在接触框230之上。激光振荡器220被构造为使激光通过接触框230照射到膜供体装置241上。在一个实施例中，LITI设备200的操作如下首先，将半成品装置250放入室腔210中，并且放置在基底支撑件260上。然后，将膜供体装置241放置在半成品装置250上。膜供体装置241与半成品装置250至少部分地接触。利用磁力使膜供体装置241压住半成品装置250。在这个步骤中，可转移层与半成品装置250紧密地接触。开启激光振荡器220以将激光照射到膜供体装置241上。然后，可转移层从膜供体装置241转移到半成品装置250上。图3表示LITI设备200的示意性分解视图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于激光诱导热成像的设备，所述设备包括：激光源；基底支撑件，包括面对激光源的表面，并且所述基底支撑件被构造为在所述表面上容纳将用于激光诱导热成像的装置，所述基底支撑件包括磁体。

【技术特征摘要】
KR 2005-8-30 10-2005-0080348;KR 2005-11-16 10-20051.一种用于激光诱导热成像的设备，所述设备包括激光源；基底支撑件，包括面对激光源的表面，并且所述基底支撑件被构造为在所述表面上容纳将用于激光诱导热成像的装置，所述基底支撑件包括磁体。2.如权利要求1所述的设备，其中，基底支撑件包括具有磁体的磁性层。3.如权利要求2所述的设备，其中，磁性层还包括非磁性物质和混合在非磁性物质中的多个磁体。4.如权利要求2所述的设备，其中，磁性层被布置为与基底支撑件的所述表面基本平行。5.如权利要求1所述的设备，其中，磁体包括永久磁体或电磁体。6.如权利要求5所述的设备，其中，电磁体电连接到外部电源，并且被构造为可选择性地被激励。7.如权利要求1所述的设备，其中，磁体包括从包括板、片、块、杆和颗粒的组中选择的一种或多种形式。8.如权利要求1所述的设备，其中，基底支撑件还包括非磁性部分。9.如权利要求1所述的设备，还包括半成品装置，包括接受表面，并且所述半成品装置被放置在基底支撑件的所述表面上；膜供体装置，包括可转移层，并且所述膜供体装置被放置在半成品装置的所述接受表面上。10.如权利要求9所述的设备，还包括介于激光源和基底支撑件之间的接触框，所述接触框相对于基底支撑件在第一位置和第二位置之间可移动，第一位置与基底支撑件相距第一距离，第二位置与基底支撑件相距第二距离，第二距离大于第一距离，接触框被构造成为在第一位置处使膜供体装置压向半成品装置，接触框包括从永久磁体、电磁体...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲁硕原，金茂显，姜泰旻，郭鲁敏，金镇洙，成镇旭，宋明原，金善浩，
申请(专利权)人：三星移动显示器株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]