一种发光装置，使用形成有覆盖发光面的荧光体层（３）的多个半导体发光元件（２），其中半导体发光元件（２）作为在辅助安装元件（１）上装载的半导体组件被安装在基板上。由此，能够在基板上进行安装之前测量半导体组件的色度特性。相应地，即使是使用多个半导体发光元件（２）的发光装置，由于在将半导体组件安装在基板上之前，能够制备出装载有色度特性一致的半导体发光元件的半导体组件，所以能够形成可抑制色度偏差的发光装置。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种具备用荧光体层覆盖发光面的至少一部分的多个半导体发光元件和基板的。
技术介绍
现有的发光装置是在基板上装载有多个半导体发光元件，并用含有荧光物质的树脂来覆盖半导体发光元件的装置。作为这种现有的发光装置，公知有在专利文献1中所记载的一种发光装置。根据图1说明现有发光装置的结构。图1是现有的发光装置，图1(a)是斜视图，图1(b)是局部放大的剖面图。如图1(a)及(b)所示，现有的发光装置30由基板31、在基板31上进行倒装片安装的多个半导体发光元件32、在基板31上配置的半导体发光元件32的位置进行开口的反射框33、和形成有透镜部34的树脂层35，该透镜部34覆盖反射框33并在半导体发光元件32的发光方向上形成凸状。如图1(b)所示，基板31包括布线图形36，通过作为在半导体发光元件32上形成的凸状电极的凸起电极37，与半导体发光元件32连接。半导体发光元件32被含有荧光体的树脂形成的荧光体层38覆盖。例如，在以蓝色方式进行发光的半导体发光元件32的情况下，通过形成包含具有与蓝色构成补色关系的荧光体的荧光体层38，发光装置以白色方式进行发光。在基板31上倒装片安装了半导体发光元件32后，通过丝网印刷法形成荧光体层38。如此，当从半导体发光元件32射出的蓝色光通过荧光体层38时，发光装置30就会形成在荧光体中激励出的白色而进行发光。专利文献1日本 特开2002-299694号公报但是，图1所示的现有发光装置的情况就难于利用丝网印刷法在多个半导体发光元件32上形成相同厚度的荧光体层38。例如，在图1(b)中，如双点划线39所示，荧光体层38的厚度就会产生偏差。由于此偏差，荧光体层38变厚的部分相比于荧光体层38变薄的部分，会使基于荧光体的波长转换度变高，所以黄绿色的发光就会变强，其结果就会变成带有黄色的发光。因此，作为发光装置的色度就会有偏差。假如尽管能均匀地形成荧光体层38，但由于最初在半导体发光元件32本身中存在色度特性的差异，所以也会因发光波长的偏差而产生色度特性的差异。在现有的发光装置中，由于在基板31上装载有半导体发光元件32后形成荧光体层38，所以，在产品未完成时就不能测量色度。例如，当色度测量的结果为存在大的色度特性偏离所希望值的半导体发光元件32的情况下，若取下此半导体发光元件32，则凸起电极37在仍旧接合在基板31上的状态下残留下来。在成为这种状态的基板31上，由于不能再次安装新的半导体发光元件32，所以产品就会变成不能使用的状态。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于，提供一种，即使使用多个被覆盖以通过荧光体进行波长转换的荧光体层的半导体发光元件，也能够抑制色度偏差的。根据本专利技术的发光装置包括发光面的至少一部分被荧光体层覆盖的多个半导体发光元件、和基板，并具有上述半导体发光元件通过1个或多个辅助安装元件装载在上述基板上的结构。根据本专利技术的发光装置的特定方面，具有这样的结构上述半导体发光元件作为在上述辅助安装元件上装载的半导体组件被安装在上述基板上。根据本专利技术的发光装置的另一个特定方面，具有这样的结构上述荧光体层形成有连接上述荧光体层的上表面和侧面的至少一个倾斜面，上述倾斜面和上述半导体发光元件之间的最短距离与上述荧光体层的厚度大致相等。根据本专利技术的发光装置的再一个特定方面，具有这样的结构上述荧光体层的侧面的至少一个为倾斜面，上述倾斜面和上述半导体发光元件之间的最短距离与上述荧光体层的厚度大致相等。根据本专利技术的发光装置的再一个特定方面，具有这样的结构分别安装上述半导体组件，使得半导体发光元件和装载上述半导体发光元件的上述辅助安装元件的导线连接区之间的位置关系，与纵列或横列上相邻配置的其他半导体组件不同。根据本专利技术的发光装置的制造方法，其中该发光装置包括发光面的至少一部分被荧光体层覆盖的多个半导体发光元件、和基板，其特征在于，该制造方法包括向辅助安装元件上装载上述半导体发光元件的工序；以覆盖上述半导体发光元件的方式形成荧光体层来形成半导体组件的工序；测量上述半导体组件的色度特性，以选择出具有规定的色度特性的上述半导体组件的工序；以及在基板上安装选择出的多个上述半导体组件的工序。根据本专利技术的发光装置的制造方法的特定方面，其特征在于，当在基板上安装上述选择出的多个半导体组件时，安装各个半导体组件，使得半导体发光元件和装载上述半导体发光元件的上述辅助安装元件的导线连接区之间的位置关系，与纵列或横列上相邻配置的其他半导体组件不同。专利技术效果由于本专利技术的发光装置通过将半导体发光元件作为装载在辅助安装元件上的半导体组件而安装在基板上，因此就能够在基板上进行安装之前测量半导体组件的色度特性。由此，即使使用多个半导体发光元件，在基板上安装半导体组件之前，也能够制备装载有色度特性一致的半导体发光元件的半导体组件，就能够形成抑制色度偏差的发光装置。并且，在覆盖上述半导体发光元件的发光面的荧光体层上形成与该荧光体层的上表面和侧面连接的倾斜面的情况下，或覆盖上述半导体发光元件的发光面的荧光体层的侧面为倾斜面的情况下，由于能够使半导体发光元件的光通过荧光体层的距离基本上均匀，所以能够形成色度特性差异较小的半导体组件。附图说明图1是现有的发光装置，图1(a)是斜视图、图1(b)是局部放大的剖面图。图2是本专利技术的实施方式1的发光装置的斜视图。图3是该发光装置的局部放大剖面图。图4是说明在本专利技术的实施方式1的发光装置中使用的半导体组件的结构的图，图4(a)是局部剖开的侧视图，图4(b)是平面图。图5是变形例1的荧光体层，图5(a)是平面图，图5(b)是正面图。图6是变形例2的荧光体层，图6(a)是平面图，图6(b)是正面图。图7是变形例3的荧光体层，图7(a)是平面图，图7(b)是正面图。图8是变形例4的荧光体层，图8(a)是平面图，图8(b)是正面9是表示图4所示的半导体组件的制造方法的示意图。图10是表示图4所示的半导体组件的制造方法的示意图。图11是表示图4所示的半导体组件的制造方法的示意图。图12是表示在分割成各个半导体组件前，在荧光体层上形成倾斜面的工序的示意图。图13表示在基板上装载分割后的半导体组件来制造发光装置的工序的示意图。图14是本专利技术的实施方式2的发光装置的平面图。符号说明1 辅助安装元件1a硅基板 1b p型半导体区域 1cn电极1d n侧电极1ep侧电极1f 导线连接区 2 半导体发光元件2a 基板 2b活性层2c n侧电极2dp侧电极2e、 2f凸起电极 3 荧光体层4倾斜面 10硅晶片11 荧光体膏 12掩膜13 金属掩膜 14荧光体膏15 转印板 16荧光体膏20 照明装置(发光装置) 21基板21a 铝 21b 氧化铝复合物层21c 通孔 22半导体组件23 反射框 24透镜部25 树脂层 26布线图形26a 布线图形 26b 布线图形26c 通孔 27导线28 划片刀 29划片机具体实施方式本申请的第1专利技术为，一种发光装置，包括发光面的至少一部分被荧光体层覆盖的多个半导体发光元件、和基板，其特征在于，半导体发光元件作为装载到辅助安装元件上的半导体组件而被安装到基板上，本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种发光装置，包括：发光面的至少一部分被荧光体层覆盖的多个半导体发光元件、和基板，其特征在于，上述半导体发光元件通过１个或多个辅助安装元件装载在上述基板上。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2004-4-28 133131/20041.一种发光装置，包括发光面的至少一部分被荧光体层覆盖的多个半导体发光元件、和基板，其特征在于，上述半导体发光元件通过1个或多个辅助安装元件装载在上述基板上。2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，上述半导体发光元件作为在上述辅助安装元件上装载的半导体组件被安装在上述基板上。3.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，上述荧光体层形成有连接上述荧光体层的上表面和侧面的至少一个倾斜面，上述倾斜面和上述半导体发光元件之间的最短距离与上述荧光体层的厚度大致相等。4.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，上述荧光体层的侧面的至少一个为倾斜面，上述倾斜面和上述半导体发光元件之间的最短距离与上述荧光体层的厚度大致相等。5.根据权利要求1至4任意一项所述的发光装置，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：小原邦彦，前田俊秀，矢野正，谷本宪保，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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