【技术实现步骤摘要】
一种超辐射发光二极管COS剪切力测试台
[0001]本技术涉及超辐射发光二极管测试装置的
,更具体地说是涉及超辐射发光二极管COS剪切力测试装置的
技术介绍
[0002]超辐射发光二极管(SLD)是一种半导体光电器件,具有输出功率高,光谱宽度宽等特点,适合用于光学相干层析(OCT)成像系统和光纤陀螺仪(FOG)等,在工业、医疗和军工上得到广泛应用。
[0003]在超辐射发光二极管(SLD)的生产制作中,芯片即COS(chip on submount)的焊接质量是决定超辐射发光二极管(SLD)使用寿命的重要环节。芯片的贴装目前主流采用共晶焊方式,判断共晶焊是否合格主要通过剪切力测试仪对芯片进行测试,查看芯片共晶焊接面剪切力度是否合格,观察芯片上的管芯剥离后管芯和基座焊接面上的焊锡是否均匀,是否存在空洞。目前主流的剪切力测试仪体积较大,操作和移动不便,结构复杂,造价成本高,因此,目前企业一般采用多台共晶设备公用一台剪切力测试仪的方式进行测试,在调试共晶设备时需要反复测试芯片剪切力,这样就会造成设备紧张,同 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种超辐射发光二极管COS剪切力测试台,其特征在于,包括底板(1)、限位夹具(4)、三轴位移台(5)、推拉力计(7)和推针(9),所述限位夹具(4)和三轴位移台(5)安装在底板(1)上,在限位夹具(4)上设有用于将芯片固定在限位夹具(4)上的定位机构,所述推拉力计(7)安装在三轴位移台(5)上,三轴位移台(5)用于对推拉力计(7)在水平和竖直方向上进行移动,所述推针(9)与推拉力计(7)的测头(12)连接,推针(9)用于对固定在限位夹具(4)上的芯片进行管芯剥离。2.如权利要求1所述的一种超辐射发光二极管COS剪切力测试台,其特征在于,所述定位机构包括芯片模座(18),在所述限位夹具(4)上设有定位凹槽(16),在限位夹具(4)上设有与定位凹槽(16)连通的气道(17),所述芯片模座(18)卡装在定位凹槽(16)内,在芯片模座(18)上设有芯片槽(19),芯片槽(19)与气道(17)连通。3.如权利要求2所述的一种超辐射发光二极管COS剪切力测试台,其特征在于,所述定位机构还包括限位螺栓(21),在所述限位夹具(4)上设有限位螺孔,所述限位螺栓(21)与限位夹具(4)的限位螺孔螺纹连接,限位螺栓(21)的头部与芯片模座(18)抵接。4.如权利要求1所述的一种超辐射发光二极管COS剪切力测试台,其特征在于,还包括支座...
【专利技术属性】
技术研发人员:何威威,张润,吕小威,李同宁,游毓麒,
申请(专利权)人:武汉英飞华科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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