一种基于HTCC的Ku波段集成封装微波组件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种基于HTCC的Ku波段集成封装微波组件，属于微波通讯电子器件技术领域，包括柯伐金属围框、射频芯片模块、多层HTCC电路片、激光封焊盖板、平行封焊盖板和数字芯片模块；所述射频芯片模块与多层HTCC电路片共晶连接；所述柯伐金属围框与多层HTCC电路片焊接；所述柯伐金属围框与平行封焊盖板平行封焊连接；所述柯伐金属围框与激光封焊盖板激光封焊连接；所述多层HTCC电路片与数字芯片模块共晶连接；本实用新型专利技术提供的集成封装微波组件弥补了传统有机基板在高频混频集成电路中使用的缺陷，提高产品的可靠性，解决了小型化封装组件的高频工作的问题。封装组件的高频工作的问题。封装组件的高频工作的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种基于HTCC的Ku波段集成封装微波组件


[0001]本技术属于微波通讯电子器件
，尤其涉及一种基于HTCC的Ku波段集成封装微波组件。

技术介绍

[0002]射频微波组件是雷达、电子对抗、通信等系统的核心组成部分，其技术指标直接制约着各类系统的性能；随着射频微波电路的快速发展，传统的二维独立封装集成方式很难满足现在的系统需求，对组件模块的小型化、多芯片模块技术(Microwave Multi
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chip Module,MMCM)、系统级封装(System in PacKuge,SIP)以及射频链路三维集成提出了更高的要求。
[0003]复合多层板技术是研制小型化、高集成和高可靠微波毫米波多芯片组件的关键技术，从最初常用的各类有机基板，到LTCC(低温共烧陶瓷)技术及HTCC(高温共烧陶瓷)技术，虽然有机多层基板在成熟度和成本上有明显的优势，但是在将无源器件集成方面，因为精度等问题，局限性较大；共烧陶瓷材料作为近来收到广泛关注的新型材料，在集成无源器件方面有着独厚的优势，并且可以集成无源的电阻、电容、电感等元件，而HTCC(高温共烧陶瓷)因其良好的热导率被得到了越来越多的重视。
[0004]高温共烧陶瓷(HTCC)主要是以钨金属作为导体材料与氧化铝等陶瓷材料在1600℃左右实现共烧，并通过钎焊、镀覆等工艺完成不同材料零件连接和表面处理的外壳加工技术得到。由于镀覆金厚度远小于LTCC技术的印刷金厚度，HTCC封装的成本优势明显。针对导体电阻率大引起的高频封装损耗过大问题，通过材料、设计和工艺制造等技术突破，HTCC外壳的适用频率越来越高，平面传输型、垂直传输型等多种封装形式的外壳可在Ku波段内实现全覆盖。

技术实现思路

[0005]针对现有技术中的上述不足，本技术提供的一种基于HTCC的Ku波段集成封装微波组件弥补了传统有机基板在高频混频集成电路中使用的缺陷，提高产品的可靠性，解决了小型化封装组件的高频工作的问题。
[0006]为了达到上述专利技术目的，本技术采用的技术方案为：
[0007]本技术提供一种基于HTCC的Ku波段集成封装微波组件，包括柯伐金属围框、射频芯片模块、多层HTCC电路片、激光封焊盖板、平行封焊盖板和数字芯片模块；
[0008]所述射频芯片模块与多层HTCC电路片共晶连接；所述柯伐金属围框与多层HTCC电路片焊接；所述柯伐金属围框与平行封焊盖板平行封焊连接；所述柯伐金属围框与多激光封焊盖板激光封焊连接；所述多层HTCC电路片与射频芯片模块共晶连接。
[0009]本技术的有益效果为：本技术提出的基于HTCC的Ku波段集成封装微波组件具有工作频率高、层数多、热导率高和布线密度高的特点，所述可伐金属围框具有导电性强、集成密封性的特点，激光封焊盖板和平行封焊盖板具有易集成、可靠性高的特点；所述
多层HTCC电路片、射频芯片模块、射频芯片模块和柯伐金属围框通过共晶、粘接、焊接、激光封焊和平行封焊的方法实现了集成封装和高密封性。
[0010]进一步地，所述射频芯片模块设于多层HTCC电路片上侧，所述数字芯片模块设于多层HTCC电路片下侧。
[0011]采用上述进一步方案的有益效果为：将数字电路与射频电路进行正反面堆叠，并在HTCC电路片中间层实现信号隔离，提高电磁兼容性。
[0012]进一步地，所述射频芯片模块包括从左到右依次设置的第一射频芯片RF chip 1st和第二射频芯片RF chip 2nd；所述数字芯片模块包括从左到右依次设置的控制芯片Control chip和电源芯片Power chip。
[0013]采用上述进一步方案的有益效果为：所述数字芯片通过多层HTCC电路片将控制及电源信号传递至射频芯片，射频芯片通过多层HTCC电路片将射频信号传递至组件相应输出焊盘。
[0014]进一步地，所述多层HTCC电路片采用高温共烧陶瓷基板。
[0015]采用上述进一步方案的有益效果为：所述共烧陶瓷主要是以钨金属作为导体材料与氧化铝等陶瓷材料在1600℃左右实现共烧，并通过钎焊、镀覆等工艺完成不同材料零件连接和表面处理的外壳加工技术得到，且由于镀覆金厚度远小于LTCC技术的印刷金厚度，HTCC封装的成本优势明显，平面传输型、垂直传输型等多种封装形式的外壳可在Ku波段内实现全覆盖。
[0016]进一步地，所述多层HTCC电路片包括若干片HTCC电路片，且各HTCC电路片堆叠设置。
[0017]采用上述进一步方案的有益效果为：各HTCC电路片堆叠设置，使该微波组件具有工作频率高、小型化、集成封装、气密性强、性能高的优点，在工作频段内稳定性能好、工作温度范围广，具有广泛应用前景。
[0018]进一步地，所述集成封装微波组件的输入阻抗和输出阻抗均采用50欧姆的焊盘。
[0019]采用上述进一步方案的有益效果为：所述集成封装微波组件的输入阻抗和输出阻抗均采用50欧姆的焊盘，相应的封装及焊盘间距具有可替换性。
[0020]进一步地，所述集成封装微波组件外部为圆角正方形，其中，其外围的几何参数为6.5mm～6.6mm。
[0021]采用上述进一步方案的有益效果为：本方案提供的集成封装微波组件在传统微波组件基础上加入了热仿真及高密度布线技术，将传统微波组件的尺寸显著缩小。
附图说明
[0022]图1为本技术实施例中基于HTCC的Ku波段集成封装微波组件的结构示意图。
[0023]图2为本技术实施例中基于HTCC的Ku波段集成封装微波组件的示意图。
[0024]其中：1、柯伐金属围框；2、射频芯片模块；3、多层HTCC电路片；4、激光封焊盖板；5、平行封焊盖板；6、数字芯片模块。
具体实施方式
[0025]下面对本技术的具体实施方式进行描述，以便于本
的技术人员理解
本技术，但应该清楚，本技术不限于具体实施方式的范围，对本
的普通技术人员来讲，只要各种变化在所附的权利要求限定和确定的本技术的精神和范围内，这些变化是显而易见的，一切利用本技术构思的专利技术创造均在保护之列。
[0026]如图1所示，在本技术的一个实施例中，本方案提供一种基于HTCC的Ku波段集成封装微波组件，包括柯伐金属围框1、射频芯片模块2、多层HTCC电路片3、激光封焊盖板4、平行封焊盖板5和数字芯片模块6；
[0027]所述射频芯片模块2与多层HTCC电路片3共晶连接；所述柯伐金属围框1与多层HTCC电路片3焊接；所述柯伐金属围框1与平行封焊盖板5平行封焊连接；所述柯伐金属围框1与激光封焊盖板4激光封焊连接；所述多层HTCC电路片3与数字芯片模块6共晶连接；
[0028]所述多层HTCC电路片、射频芯片模块、射频芯片模块和柯伐金属围框通过共晶、粘接、焊接、激光封焊和平行封焊的方法实现了集成封装和高密封性。
[0029]所述射频芯片模块2设于多层HT本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于HTCC的Ku波段集成封装微波组件，其特征在于，包括柯伐金属围框(1)、射频芯片模块(2)、多层HTCC电路片(3)、激光封焊盖板(4)、平行封焊盖板(5)和数字芯片模块(6)；所述射频芯片模块(2)与多层HTCC电路片(3)共晶连接；所述柯伐金属围框(1)与多层HTCC电路片(3)焊接；所述柯伐金属围框(1)与平行封焊盖板(5)平行封焊连接；所述柯伐金属围框(1)与激光封焊盖板(4)激光封焊连接；所述多层HTCC电路片(3)与数字芯片模块(6)共晶连接。2.根据权利要求1所述的基于HTCC的Ku波段集成封装微波组件，其特征在于，所述射频芯片模块(2)设于多层HTCC电路片(3)上侧，所述数字芯片模块(6)设于多层HTCC电路片(3)下侧。3.根据权利要求2所述的基于HTCC的Ku波段集成封装微波组件，其特征在于，所述射频芯片模块(2)包括从左到右依次设置的第一射频芯片RF chip 1st...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙科，姚剑平，杨秀强，张意，廖志雄，李硕友，
申请(专利权)人：成都西科微波通讯有限公司，
类型：新型
国别省市：