一种体声波谐振器以及通信器件制造技术

本发明专利技术实施例公开了一种体声波谐振器以及通信器件。该体声波谐振器包括：基底，基底的表面或者内部设置有声反射结构；谐振单元，位于基底设置有声反射结构的一侧，谐振单元包括依次叠层设置的底电极、压电层和顶电极，顶电极包括M边形，M的取值大于或等于3，顶电极至少有一个第一边，第一边在基底的投影位于声反射结构在基底的投影之内；谐振单元还包括顶电极连接部，顶电极连接部与第一边连接，顶电极连接部与第一边的接触处的总尺寸小于第一边的长度。本发明专利技术实施例提供的技术方案，在提高体声波谐振器的品质因数的同时，提高了体声波谐振器的机电耦合系数。振器的机电耦合系数。振器的机电耦合系数。

【技术实现步骤摘要】
一种体声波谐振器以及通信器件


[0001]本专利技术实施例涉及半导体
，尤其涉及一种体声波谐振器以及通信器件。

技术介绍

[0002]近些年来，基于半导体微纳加工技术的微机电系统(MEMS)的发展，体声波(Bulk Acoustic Wave，BAW)谐振器作为MEMS领域的产品在无线通信领域发挥着重要作用。
[0003]体声波谐振器的主要参数机电耦合系数(Kt)等。机电耦合系数量化了器件中电能与机械能之间的转换效率。现有的体声波谐振器存在机电耦合系数低的问题。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种体声波谐振器以及通信器件，以提高体声波谐振器的机电耦合系数。
[0005]本专利技术实施例提供了一种体声波谐振器，包括：基底，所述基底的表面或者内部设置有声反射结构；
[0006]谐振单元，位于所述基底设置有所述声反射结构的一侧，所述谐振单元包括依次叠层设置的底电极、压电层和顶电极，所述顶电极包括M边形，所述M的取值大于或等于3，所述顶电极至少有一个第一边，所述第一边在所述基底的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种体声波谐振器，其特征在于，包括：基底，所述基底的表面或者内部设置有声反射结构；谐振单元，位于所述基底设置有所述声反射结构的一侧，所述谐振单元包括依次叠层设置的底电极、压电层和顶电极，所述顶电极包括M边形，所述M的取值大于或等于3，所述顶电极至少有一个第一边，所述第一边在所述基底的投影位于所述声反射结构在所述基底的投影之内；所述谐振单元还包括顶电极连接部，所述顶电极连接部与所述第一边连接，所述顶电极连接部与所述第一边的接触处的总尺寸小于所述第一边的长度。2.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述顶电极连接部包括至少一个子连接部。3.根据权利要求2所述的体声波谐振器，其特征在于，所述底电极包括N边形，所述N的取值大于或等于3，所述底电极与所述第一边对应的边在基底的投影的部分或者全部位于所述声反射结构在所述基底的投影之内。4.根据权利要求1
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3任一所述的体声波谐振器，其特征在于，所述顶电极连接部和所述压电层之间设置有空气隙结构。5.根据权利要求3所述的体声波谐振器，其特征在于，所述底电极与所述第一边对应的边包括相连的凸部和凹部，所述凹部在所述基底的投影位于所述声反射结构在所述基底的投影之内，所述凸部和所述至少一个子连接部在所述基底的投影无交叠。6.根据权利要求3所述的体声波谐振器，其特征在于，所述底电极与所述第一边对应的边在所述基底的投影位于所述第一边在所述基底的投影之外。7.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐滨，赖志国，杨清华，
申请(专利权)人：苏州汉天下电子有限公司，
类型：发明
国别省市：