可变电阻和发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术的可变电阻包括素体、２个外部电极、以及金属导体。素体含有具有相互相对的第１面和第２面的部分。２个外部电极配置在素体的第１面。金属导体配置在素体的第２面，其热传导率高于素体的热传导率。在素体中，至少２个外部电极和金属导体之间的区域表现电流电压非直线特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及可变电阻以及包括该可变电阻的发光装置。
技术介绍
现有的可变电阻具有具有体现电流电压非线性(nonlinearcurrent-voltage characteristic)的可变电阻素体，和以夹住该可变电阻素体的一部分的方式配置的一对内部电极的素体；形成在该素体的外表面上并分别与相对应的内部电极连接的一对端子电极(例如，参照日本特开2002-246207号公报)。
技术实现思路
但是，可变电阻通过并联连接于半导体发光元件或FET(FieldEffect Transistor场效应晶体管)等的电子元件，能够保护电子元件免受ESD(Electrostatic Discharge静电放电)电涌的影响。该电子元件在工作中产生热。电子元件变成高温会造成元件自身的特性恶化，影响其工作。因此，需要有效地扩散所产生的热。因此本专利技术的目的在于提供一种能够有效地扩散热的可变电阻以及发光装置。本专利技术相关的可变电阻包括含有具有相互相对的第1面和第2面的部分的素体；配置在素体的第1面的2个外部电极；以及配置在第2面上的热传导率比素体高的金属导体，素体中的至少2个外部电极和金属导体之间的区域表现电流电压非直线特性。在本专利技术相关的可变电阻中，由于在与配置有2个外部电极的素体的第1面相对的第2面上配置有热传导率高的金属导体，因此能够有效地从金属导体扩散传导至可变电阻的热。此外，本专利技术相关的可变电阻，由于2个外部电极和金属导体之间的区域表现电流电压非直线特性，因此发挥作为2个外部电极间的并联连接的2个可变电阻成分的功能。优选金属导体具有连接于素体的第2面的第1面、相对于该第1面的第2面、以及以连接该第1面和第2面之间的方式延伸的第3面，素体还含有，连接于该素体的具有第1和第2面的部分并且以连接于金属导体的第3面的方式形成的部分。此时，由于能够通过素体保持金属导体，因此能够防止金属导体的第1面和素体的第2面之间的剥离。优选素体还含有，连接于以连接于金属导体的第3面的方式形成的部分、并且以连接于金属导体的第2面的方式形成的部分。此时，由于通过素体能够更确实地保持金属导体，因此能够防止金属导体的第1面和素体的第2面之间的剥离。本专利技术的可变电阻包括；素体；配置在素体的内部并且热传导率比素体的热传导率高的金属导体；以及，以与金属导体相对的方式配置在素体的外表面上的2个外部电极，在素体中至少金属导体和2个外部电极之间的区域表现电流电压非直线特性。在本专利技术相关的可变电阻中，由于在素体的内部配置有与2个外部电极相对的热传导率高的金属导体，因此能够有效地从金属导体扩散传导至可变电阻中的热。此外，在本专利技术相关的可变电阻中，由于2个外部电极和金属导体之间的区域表现电流电压非直线特性，因此作为2个外部电极间的并联连接的2个可变电阻成分发挥功能。优选在通过金属导体并垂直于金属导体和2个外部电极相对的方向的截面上，在以金属导体和素体的合计面积作为100％的情况下，金属导体的面积比例为20％以上99.7％以下。由此，通过使上述面积比例成为20％以上，能够从金属导体更有效地扩散热。此外，通过使上述面积比例成为99.7％以下，由素体来确实地保持金属导体，能够防止金属导体的第1面和素体的第2面之间的剥离。优选素体的2个外部电极和金属导体之间的厚度为10μm以上200μm以下。如此，通过使上述厚度成为10μm以上，能够确实地确保素体的强度。此外，通过使上述厚度成为200μm以下，缩短了2个外部电极和金属导体之间的距离，能够提高2个外部电极和金属导体之间的热传导速度。因此，能够更有效地扩散从金属导体的热。优选金属导体中金属导体和2个外部电极相对的方向的厚度为，素体中的2个外部电极和金属导体之间的厚度以上。通过如此构成，能够更有效地从金属导体扩散热。优选在将素体和金属导体的合计体积作为100％的情况下，金属导体的体积比例为10％以上99.7％以下。通过如此构成，能够更有效地从金属导体扩散热。本专利技术的发光装置包括上述可变电阻和以并联连接于可变电阻的方式物理连接并且电连接于2个外部电极的半导体发光元件。在本专利技术相关的发光装置中，由于可变电阻的2个外部电极物理连接于半导体发光元件，因此在本导体发光元件中产生的热通过2个外部电极传送至可变电阻。因此，由于在配置有2个外部电极的素体的与第1面相对的第2面上配置有热传导率高的金属导体，因此能够有效地从金属导体扩散传导至可变电阻的热。根据本专利技术可以提供一种能够有效扩散热的可变电阻和发光装置。附图说明图1是显示本实施方式相关的可变电阻的概略主视图。图2是显示本实施方式相关的可变电阻的概略平面图。图3是显示沿图2中III-III线的截面构成的模式图。图4是显示沿图1中IV-IV线的截面构成的模式图。图5是显示本实施方式相关的发光装置的截面构成的模式图。图6是显示本实施方式的第1变形例相关的可变电阻的截面构成的模式图。图7是显示本实施方式的第2变形例相关的可变电阻的截面构成的模式图。图8是显示本实施方式的第3变形例相关的可变电阻的概略立体图。具体实施例方式以下，参照附图详细说明本专利技术的优选的实施方式。此外，在说明中对于相同要素或具有相同功能的要素使用相同符号，省略重复的说明。参照图1～图4对本实施方式相关的可变电阻V1的构成进行说明。图1是显示本实施方式相关的可变电阻的概略主视图。图2是显示本实施方式相关的可变电阻的概略平面图。图3是显示沿图2中III-III线的截面构成的模式图。图4是显示沿图1中IV-IV线的截面构成的模式图。可变电阻V1包括大致长方体形状的金属导体10、覆盖金属导体10的表面并且大致呈长方体形状的素体20、配置在素体20的外表面20a(素体的第1面)的第1外部电极30和第2外部电极40。可变电阻V1由素体20而形成其外形，外表面20a的长度和宽度设定为0.3mm～3.0mm左右，厚度设定为0.1～0.5mm左右。通过如此设定素体20的厚度，可以确保可变电阻V1的强度。金属导体10配置在素体20的内部。并且，在金属导体10中由第1面10a和第2面10b以及第3面10c构成长方体形状的6面。第1面10a和第2面10b相互相对。第3面10c是以连结第1和第2面10a、10b之间的方式延伸的4个面。即，第3面10c是分别与第1面10a和第2面10b垂直并且相邻的4个面。金属导体10的第1～第3面10a～10c被素体20覆盖。金属导体10比素体20热传导率更高。金属导体10由例如Ag、Cu、Ni、Ag-Pd合金等形成。素体20被构成为6面体，具有外表面20a；与外表面20a相互相对的外表面20b；与外表面20a以及外表面20b相互垂直并且相邻的外表面20c～20f。外表面20c与外表面20e相互相对，外表面20d与外表面20f相互相对。外表面20c、20e与外表面20d、20f相互垂直并且相邻。此外，素体20含有第1素体部分21和第2素体部分23以及第3素体部分25。第1素体部分21是以连接于金属导体10的第1面10a的全体的方式形成的部分。第1素体部分21具有外表面20a、与外表面20a相互相对并且与金属导体10连接的内侧面21a(素体的第2面)。第2素体部分23是以连接于第1素体部分21并且连接于金属导体1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可变电阻，其特征在于：包括：含有具有相互相对的第１面和第２面的部分的素体；配置在所述素体的所述第１面上的２个外部电极；以及比所述素体热传导率高的配置在所述素体的所述第２面上的金属导体，在所述素体中至少所述２个外部电极和所述金属导体之间的区域表现电流电压非直线特性。

【技术特征摘要】
JP 2006-3-27 2006-0859411.一种可变电阻，其特征在于包括含有具有相互相对的第1面和第2面的部分的素体；配置在所述素体的所述第1面上的2个外部电极；以及比所述素体热传导率高的配置在所述素体的所述第2面上的金属导体，在所述素体中至少所述2个外部电极和所述金属导体之间的区域表现电流电压非直线特性。2.根据权利要求1所述的可变电阻，其特征在于所述金属导体具有连接于所述素体的所述第2面的第1面；相对于所述第1面的第2面；以及以连接该第1面和第2面之间的方式延伸的第3面，所述素体还含有，连接于该素体的具有所述第1和所述第2面的所述部分，并且以连接于所述金属导体的所述第3面的方式形成的部分。3.根据权利要求2所述的可变电阻，其特征在于所述素体还含有，连接于以连接于所述金属导体的所述第3面的方式形成的所述部分，并且以连接于所述金属导体的所述第2面的方式形成的部分。4.一种可变电阻，其特征在于包括素体；配置在所述素体的内部并且其热传导率比所述素体的热传导率高的金属导体；以及以与所述金属导体相对的方...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤弘幸，斋藤洋，田中均，沼田真，武内吾郎，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]