扩张照射面积的发光二极体制造技术

本发明专利技术是有关于一种扩张照射面积的发光二极体，其是揭露一发光二极体晶片以及一遮蔽层，其中，遮蔽层是设置于发光二极体晶片的一出射面的上方，且遮蔽层的长度是大于、等于或小于发光二极体晶片的出射面的长度，藉此，发光二极体晶片所发出的光源可经由遮蔽层产生绕射，以扩张发光二极体的照射面积而取得范围更大、亮度更均匀的照明。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种发光二极体，特别是一种扩张光源照射面积的发光二极体。
技术介绍
按，照明光源的发展以来，其中，使用最为频繁的光源，莫过于采用钨丝灯泡所形成的点光源，然由于钨丝灯泡的消耗功率较大，为此，各国产、学、研界专家学者莫不积极研究，以改善钨丝灯泡所产生的缺失，为此，发光二极体(Light EmittingDiode；LED)即在此需求下因应而生，以卓然成为新式点光源。发光二极体是半导体材料制成的光电元件，也是一种微小的固态光源，其是可将电能转换为光，不但体积小、寿命长、驱动电压低、反应速率快与耐震性特佳，且能配合各种应用装置的轻、薄及小型化的需求。事实上，发光二极体目前已广泛地使用在我们日常生活周遭，如各种室内照明、键盘功能键的讯号指示灯、汽车煞车灯、户外电子资讯看板或交通号志等。发光二极体虽具上述所提及的各项优点，但请参阅图1A，其是习知的表面粘着型发光二极体的结构示意图。如图所示，其是揭露一表面粘着型(SMD)发光二极体10’，由于该表面粘着型发光二极体10’的一发光二极体晶片20’做为光源，且因发光二极体是点光源而导致投射角度较为窄小，所以光源30’常以线性方向前进而仅集中于中间部分，导致其周围呈现黑暗状，以致于无法扩张发光二极体10’的光源照射面积，其所形成的范围是如图1B所示。此外，当使用发光二极体所制成的照明设备，欲产生较佳的光源照明范围与照明效果时，由于发光二极体光源照射面积较为窄小，则势必需于照明设备内安装更多发光二极体，如此一来，反而造成照明设备的成本增加。此外，现今习知发光二极体仅利用光源的折射、反射与调整焦距或焦平面改善发光二极体为点光源的缺失，以增加发光二极体的照射面积，然而利用折射、反射与调整焦距或焦平面于增加照射面积于改善背光的光平面均匀度的效能有限，而且成本昂贵。因此，如何提出一种扩张照射面积的发光二极体，以改善传统无法扩张发光二极体的光源成为面光源的照射面积的缺点，又可达成降低成本的目的，长久以来一直是使用者殷切盼望及本专利技术念兹在兹者，而本专利技术人基于多年从事于照射面积的发光二极体改良，可解决上述的问题。
技术实现思路
本专利技术的主要目的，在于提供一种扩张照射面积的发光二极体，其是提供扩张照射面积的发光二极体结构。本专利技术的另一目的，在于提供一种扩张照射面积的发光二极体，其是适用于各类型封装结构的发光二极体。本专利技术提供一种扩张照射面积的发光二极体，其是设置一遮蔽层于一发光二极体晶片的一出射面的上方，且该遮蔽层的长度是大于、小于或等于发光二极体晶片的出射面的长度，藉此，发光二极体晶片所发出的光源是透过遮蔽层产生绕射，以让采用不同封装结构的发光二极体可扩张其照射面积。另外，遮蔽层更蚀刻至少一个穿孔，或经由金属粒子掺杂透光粒子印刷至发光二极体晶片之上，以让发光二极体晶片的光源可藉由穿孔或透光粒子形成的单狭缝、双狭缝或多狭缝通过遮蔽层，以产生新的波前并改进原本绕射时产生近场阴影的限制，让光源可于近场形成扩张照射面积，而使本专利技术的发光二极体可成为一直下式背光源。附图说明图1A是习知表面粘着型发光二极体的示意图；图1B是习知发光二极体照明范围的示意图；图2是本专利技术的一较佳实施例的发光二极体的示意图；图3是本专利技术的一较佳实施例的遮蔽层产生绕射的示意图；图4是本专利技术的另一较佳实施例的发光二极体的示意图；图5是本专利技术的另一较佳实施例的发光二极体的示意图；图6是本专利技术的另一较佳实施例的发光二极体的示意图；图7是本专利技术的另一较佳实施例的发光二极体的示意图；图8是本专利技术的另一较佳实施例的发光二极体的示意图； 图9是本专利技术的另一较佳实施例的发光二极体的示意图；图10是本专利技术的另一较佳实施例的遮蔽层产生绕射的示意图；图11是本专利技术的另一较佳实施例的发光二极体的示意图；图12是本专利技术的另一较佳实施例的发光二极体的示意图；图13是本专利技术的另一较佳实施例的遮蔽层产生绕射的示意图；图14是本专利技术的另一较佳实施例的发光二极体的示意图；图15是本专利技术的另一较佳实施例的发光二极体的示意图；图16是本专利技术的另一较佳实施例的遮蔽层产生绕射的示意图；图17是本专利技术的另一较佳实施例的透光粒子的示意图；图18是本专利技术的另一较佳实施例的透光粒子的示意图；图19是本专利技术的另一较佳实施例的发光二极体的示意图；图20A是本专利技术的发光二极体照明范围的示意图；图20B是本专利技术的发光二极体照明范围的示意图；图20C是本专利技术的发光二极体照明范围的示意图。图号说明10’表面粘着型发光二极体 20’发光二极体晶片30’光源 10发光二极体晶片12出射面 14导线16表面粘着型内部电极 18封装体 20遮蔽层 22穿孔30第一波前 32第二波前34光源 40遮蔽层42金属粒子44透光粒子 50发光二极体具体实施例方式为使审查员对本专利技术的结构特征及所达成的功效更有进一步的了解与认识，谨佐以较佳的实施例图及配合详细的说明，说明如后基于习知技术无法扩张发光二极体的光源照射面积，而需加设更多发光二极体，以致照明设备增加成本，故，本专利技术提供一种扩张照射面积的发光二极体，以解决上述提及的问题。本专利技术是用于扩张发光二极体的光源照射面积，以下是以表面粘着型(SMD)发光二极体、灯泡型(LAMP)发光二极体以及印刷电路板型(PCB)发光二极体为例作为说明，本专利技术并不拘限于前述提及的封装结构的发光二极体，本专利技术是可适用于各类型封装结构的发光二极体，以使发光二极体从点光源的照射面积转换成面光源的照射面积。请参阅图2，是本专利技术的一较佳实施例的发光二极体的结构示意图。如图所示，本专利技术的发光二极体是包含有一发光二极体晶片10，以及一遮蔽层20，其可为设置于发光二极体晶片10的一出射面12的上方。其中，遮蔽层20的长度是大于发光二极体晶片10的出射面12的长度，当发光二极体晶片10发出光源至遮蔽层20时，将会产生光源绕射(Diffraction)的第一波前30，以藉由形状如球面般的第一波前30经传导一段距离后交会形成扩张的照射面积，达到扩张发光二极体光源的照射面积的目的，且藉由第一波前30交会导致第一波前30的干涉产生，以使发光二极体光源的照明亮度均匀，如图3所示。在此实施例中，本专利技术是以遮蔽层20大于发光二极体晶片10的出射面12的长度为例，另外，遮蔽层20的长度亦可等于或小于发光二极体晶片10的出射面12的长度。请参阅图4，是本专利技术的另一较佳实施例的发光二极体的结构示意图。其中图2与图4的不同是图2的遮蔽层20设置于封装体18内部的发光二极体晶片10之上，图4的遮蔽层20设置于封装体18的上方。本专利技术的发光二极体晶片10是设置于封装体18内，且遮蔽层20设置于封装体18的上方，亦即发光二极体晶片10的上方。如此发光二极体晶片10经由遮蔽层20产生范围更大的光源照射面积，其是发光二极体晶片10所发出的光源经由遮蔽层20产生角度更大的光源照射面积，即第一波前30所绕射通过与干涉形成的范围。上述的遮蔽层20的材料是可选自于金、银、铜、铝、氧化钛、氧化硅、氧化锌、氧化铅、氧化钡、氧化铝、钛酸钡、铝酸盐、硅酸盐、铝酸锶、钛酸盐、硅酸铝、硫化锌及上述的组合的其中之一。因此，当一导线14与一SMD电极16产生电性连接时，由于遮蔽层20的材料本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种扩张照射面积的发光二极体，其特征在于，包含有：一发光二极体晶片；一遮蔽层，其是设于该发光二极体晶片的一出射面的上方；其中该遮蔽层的长度是可大于该发光二极体晶片的该出射面的长度。

【技术特征摘要】
1.一种扩张照射面积的发光二极体，其特征在于，包含有一发光二极体晶片；一遮蔽层，其是设于该发光二极体晶片的一出射面的上方；其中该遮蔽层的长度是可大于该发光二极体晶片的该出射面的长度。2.如申请专利范围第1项所述的扩张照射面积的发光二极体，其特征在于，该遮蔽层是可设于该发光二极体晶片的一封装体的上方。3.如申请专利范围第1项所述的扩张照射面积的发光二极体，其特征在于，该发光二极体晶片是可采用灯泡型(LAMP)、印刷电路板(PCB)、正面发光型、侧面发光型或表面粘着型(SMD)等封装结构。4.如申请专利范围第1项所述的扩张照射面积的发光二极体，其特征在于，该遮蔽层可为一导电材质。5.如申请专利范围第4项所述的扩张照射面积的发光二极体，其特征在于，该导电材质可选自于金、银、铜、铝、氧化钛、氧化硅、氧化锌、氧化铅、氧化钡、氧化铝、钛酸钡、铝酸盐、硅酸盐、铝酸锶、钛酸盐、硅酸铝、硫化锌及上述的组合的其中之一。6.如申请专利范围第1项所述的扩张照射面积的发光二极体，其特征在于，该遮蔽层上设置至少一穿孔或至少一缝隙。7.如申请专利范围第6项所述的扩张照射面积的发光二极体，其特征在于，该遮蔽层是可采用蚀刻制程或印刷涂布的制程，以设置该至少一穿孔或该至少一缝隙。8.如申请专利范围第1项所述的扩张照射面积的发光二极体，其特征在于，该遮蔽层是为复数个金属粒子掺杂至少一个透光粒子。9.如申请专利范围第8项所述的扩张照射面积的发光二极体，其特征在于，该透光粒子的材料是可选自于金属氧化物、硫化物、萤光粉及上述的组合的其中之一。10.如申请专利范围第8项所述的扩张照射面积的发光二极体，其特征在于，该透光粒子可呈球形或不规则状。11.如申请专利范围第8项所述的扩张照射面积的发光二极体，其特征在于，该遮蔽层所采用的制程是可包含蚀刻制程、网版印刷、平版印刷、凸版印刷、凹版印刷或转印。12.一种扩张照射面积的发光二极体，其特征在于，包含有一发光二极体晶片；一遮蔽层，其是设于该发光二极体晶片的一出射面的上方；其中该遮蔽层的长度是可小于该发光二极体晶片的该出射面的长度。13.如申请专利范围第12项所述的扩张照射面积的发光二极体，其特征在于，该遮蔽层是可设置于该发光二极体晶片的一封装体的上方。14.如申请专利范围第12项所述的扩张照射面积的发光二极体，其特征在于，该发光二极体晶片是可采用灯泡型(LAMP)、印刷电路板(PCB)、正面发光型、侧面发光型或表面粘着型(SMD)等封装结构。15.如申请专利范围第12项所述的扩张照射面积的发光二极体，其特征在于，该遮蔽层是可为一导电材质。16.如申请专利范围第15项所述的扩张照射面积的发光二极体，其特征在于，该导电材质是可选自于金、银、铜、铝、氧化钛、氧化硅、氧化锌、氧化铅、氧化钡、氧化铝、钛酸钡、铝酸盐、硅酸盐、铝酸锶、钛酸盐、硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄福国，
申请(专利权)人：稳态科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]