一种复合薄膜、量子点发光二极管及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种复合薄膜、量子点发光二极管及其制备方法。所述复合薄膜的制备方法包括步骤：将三异丙氧基氧化钒溶液与PEDOT：PSS溶液混合，得到混合液；将所述混合液沉积成膜，并加热，得到包括PEDOT：PSS与VO

【技术实现步骤摘要】
一种复合薄膜、量子点发光二极管及其制备方法


[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种复合薄膜、量子点发光二极管及其制备方法。

技术介绍

[0002]QLED器件具有发光线宽窄，发光波长可调，发光色饱和度高，发光色域广等优势，其发光材料为无机纳米晶体，理论寿命较长，器件稳定性好。人们通过改变电荷传输层材料，优化器件结构不断提升QLED器件性能，现有器件中通常采用PEDOT：PSS作为空穴传输层材料，由于PEDOT：PSS的酸性和亲水性将降低器件的稳定性；而且，PEDOT：PSS的功函数在4.9～5.1eV，低于空穴传输层的最高占据分子轨道HOMO能级5.5eV，存在一定的能级差即空穴注入势垒，将导致器件中空穴和电子注入不平衡，影响器件的效率和稳定性；另外，PEDOT：PSS的折射率为1.5，折射较低，不利于器件膜层厚度控制及器件效率提升；因此，需要改善PEDOT：PSS的性能优化器件效率及寿命。

技术实现思路

[0003]鉴于上述现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种复合薄膜、量子点发光二极管及其制备方法，旨在解决现有基于PEDOT：PSS的器件，其效率及寿命仍有待改善的问题。
[0004]本专利技术的技术方案如下：
[0005]一种复合薄膜的制备方法，其中，包括步骤：
[0006]将三异丙氧基氧化钒溶液与PEDOT：PSS溶液混合，得到混合液；
[0007]将所述混合液沉积成膜，并加热，得到包括PEDOT：PSS与VO
x
组成的复合薄膜；其中X的取值为2-2.5。
[0008]一种复合薄膜，其中，所述复合薄膜的材料包括PEDOT：PSS与VO
x
复合形成的复合材料；其中X的取值为2-2.5。
[0009]一种量子点发光二极管，包括：阳极、阴极、设置在所述阳极和阴极之间的量子点发光层、设置在所述阳极和量子点发光层之间的空穴注入层，其中，所述空穴注入层包括本专利技术所述的方法制备得到的复合薄膜；和/或所述空穴注入层包括本专利技术所述的复合薄膜。
[0010]一种量子点发光二极管的制备方法，其中，包括步骤：
[0011]提供阳极；
[0012]将三异丙氧基氧化钒溶液与PEDOT：PSS溶液混合后，沉积于所述阳极上，加热得到包括PEDOT：PSS与VO
x
组成的空穴注入层；其中X的取值为2-2.5；
[0013]在所述空穴注入层上形成量子点发光层；
[0014]在所述量子点发光层上形成阴极，得到所述量子点发光二极管；
[0015]或者，提供阴极；
[0016]在所述阴极上形成量子点发光层；
[0017]将三异丙氧基氧化钒溶液与PEDOT：PSS溶液混合后，沉积于所述量子点发光层上，加热得到包括PEDOT：PSS与VO
x
组成的空穴注入层；其中X的取值为2-2.5；
[0018]在所述空穴注入层上形成阳极，得到所述量子点发光二极管。
[0019]有益效果：本专利技术采用三异丙氧基氧化钒(C9H
21
O4V)溶液掺入PEDOT：PSS溶液中得到混合液，所述混合液沉积成膜，然后通过低温热处理，使得C9H
21
O4V发生氧化反应，生成VO
x
，从而得到由PEDOT：PSS与VO
x
组成的复合薄膜。所述含PEDOT：PSS与VO
x
的复合薄膜中，由于VO
x
是两性氧化物，其中VO2呈碱性，因此掺入VO
x
可以降低PEDOT：PSS的亲水性和酸性。另外，VO
x
的功函数为5.6eV，PEDOT：PSS的功函数为5.1eV，掺入VO
x
可以提高PEDOT：PSS的功函数，有利于降低PEDOT：PSS与HTL层(空穴传输层)之间的空穴注入势垒。此外，PEDOT：PSS的折射率为1.5，VO
x
的折射率为2.3，掺入VO
x
可以提高PEDOT：PSS的折射率，而器件的光学厚度为折射率乘以薄膜厚度，因此相同的光学厚度，掺入VO
x
后有利于降低膜厚，薄膜厚度越低，越有利于器件的空穴注入，从而改善器件效率及稳定性。
附图说明
[0020]图1为本专利技术实施例提供的一种复合薄膜的制备方法的流程示意图。
[0021]图2为本专利技术实施例中提供的一种正型结构的量子点发光二极管的结构示意图。
[0022]图3为本专利技术实施例中提供的一种正型结构的量子点发光二极管的制备方法的流程示意图。
[0023]图4为本专利技术实施例中提供的一种反型结构的量子点发光二极管的制备方法的流程示意图。
具体实施方式
[0024]本专利技术提供一种复合薄膜、量子点发光二极管及其制备方法，为使本专利技术的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本专利技术进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0025]本专利技术实施例提供一种复合薄膜的制备方法，如图1所示，包括步骤：
[0026]S10、将三异丙氧基氧化钒溶液与PEDOT：PSS溶液混合，得到混合液；
[0027]S20、将所述混合液沉积成膜，并加热，得到包括PEDOT：PSS与VO
x
组成的复合薄膜；其中X的取值为2-2.5。
[0028]需说明的是，所述三异丙氧基氧化钒(C9H
21
O4V)溶液经热处理后生成的氧化钒中既包括正四价的钒离子还包括正五价的钒离子，所以X的取值为2-2.5。
[0029]需说明的是，所述PEDOT：PSS与VO
x
组成的复合薄膜中，所述PEDOT：PSS与VO
x
两种半导体材料相互接触，在接触界面区域形成异质结。
[0030]本专利技术实施例采用三异丙氧基氧化钒(C9H
21
O4V)溶液掺入PEDOT：PSS溶液中得到混合液，所述混合液沉积成膜，然后通过低温热处理，使得C9H
21
O4V发生氧化反应，生成VO
x
，从而得到由PEDOT：PSS与VO
x
组成的复合薄膜。所述含PEDOT：PSS与VO
x
的复合薄膜中，由于VO
x
是两性氧化物，其中VO2呈碱性，因此掺入VO
x
可以降低PEDOT：PSS的亲水性和酸性。另外，VO
x
的功函数为5.6eV，PEDOT：PSS的功函数为5.1eV，掺入VO
x
可以提高PEDOT：PSS的功函数，有利于降低PEDOT：PSS与HTL层(空穴传输层)之间的空穴注入势垒。此外，PEDOT：PSS的折射
率为1.5，VO
x
的折射率为2.3，掺入VO
x
可以提高PEDOT：PSS本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：将三异丙氧基氧化钒溶液与PEDOT：PSS溶液混合，得到混合液；将所述混合液沉积成膜，并加热，得到包括PEDOT：PSS与VO
x
组成的复合薄膜；其中X的取值为2-2.5。2.根据权利要求1所述的复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述三异丙氧基氧化钒溶液的浓度为0.6-6wt％；和/或所述PEDOT：PSS溶液的浓度为1-2wt％。3.根据权利要求2所述的复合薄膜的制备方法，其特征在于，按照体积比1:20-1:10，将三异丙氧基钒氧化物溶液与PEDOT：PSS溶液进行混合。4.根据权利要求1所述的复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述加热的温度为130-150℃；和/或所述加热的时间为10-30min。5.一种复合薄膜，其特征在于，所述复合薄膜的材料包括PEDOT：PSS与VO
x
复合形成的复合材料；其中X的取值为2-2.5。6.根据权利要求5所述的复合薄膜，其特征在于，所述复合薄膜的材料为PEDOT：PSS与VO
x
复合形成的复合材料。7.一种量子点发光二极管，包括：阳极、阴极、设置在所述阳极和阴极之间的量子点发光层、设置在所述阳极和量子点...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐威，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：