【技术实现步骤摘要】
电机转动到位停止控制电路
[0001]本技术属于电机控制领域,具体涉及一种电机转动到位停止控制电路。
技术介绍
[0002]随着经济技术的发展和人们生活水平的提高,电机转动过程中的到位自动停止技术已经得到了广泛应用。
[0003]目前,常用的电机转动过程中的到位自动停止技术,一般均为在电机上安装编码器,并根据编码器的输出数据对电机进行到位自动停止的控制。该种方式,虽然控制精度高而且控制稳定性好,但是成本极其高昂,而且电路和控制负责,占用体积较大,不适用于小体积的应用场合。
[0004]此外,如果采用到位检测传感器(比如霍尔传感器)进行检测,并采用传感器的输出信号直接驱动电机转动或停止的技术方案,则存在传感器驱动电流不足、电机无法驱动的问题。
技术实现思路
[0005]本技术的目的在于提供一种成本低廉、体积较小且稳定性高、可靠性好的电机转动到位停止控制电路。
[0006]本技术提供的这种电机转动到位停止控制电路,包括电机模块,还包括正转到位信号模块、正转开关管控制模块、正转开关管模块、反转到位信号模块、反转开关管控制模块和反转开关管模块;电机模块输入端的一端直接连接驱动电源的一端,电机模块输入端的另一端串接正转开关管模块后连接驱动电源的另一端;反转开关管模块并接在正转开关管模块两端;正转开关管控制模块的输入端连接驱动电源,正转开关管控制模块的输出端连接正转开关管模块;反转开关管控制模块的输入端连接驱动电源的另一端,反转开关管控制模块的输出端连接反转开关管模块;正转到位信号模块的输出端 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电机转动到位停止控制电路,包括电机模块,其特征在于还包括正转到位信号模块、正转开关管控制模块、正转开关管模块、反转到位信号模块、反转开关管控制模块和反转开关管模块;电机模块输入端的一端直接连接驱动电源的一端,电机模块输入端的另一端串接正转开关管模块后连接驱动电源的另一端;反转开关管模块并接在正转开关管模块两端;正转开关管控制模块的输入端连接驱动电源,正转开关管控制模块的输出端连接正转开关管模块;反转开关管控制模块的输入端连接驱动电源的另一端,反转开关管控制模块的输出端连接反转开关管模块;正转到位信号模块的输出端连接正转开关管控制模块的输出端;反转到位信号模块的输出端连接反转开关管控制模块的输出端;正转开关管控制模块和正转到位信号模块,均用于控制正转开关管模块的导通或关断;反转开关管控制模块和反转到位信号模块,均用于控制反转开关管模块的导通或关断;正转开关管模块导通时,电机模块输入端连接驱动电源,电机正转;反转开关管模块导通时,电机模块输入端连接驱动电源,电机反转;正转开关管模块关断且反转开关管模块关断时,电机模块输入端与驱动电源断开,电机停转。2.根据权利要求1所述的电机转动到位停止控制电路,其特征在于所述的正转开关管控制模块包括正转控制单向保护二极管、正转控制限流电阻、正转控制电压保护二极管和正转控制滤波电容;正转控制单向保护二极管的阳极连接驱动电源的一端,正转控制单向保护二极管的阴极连接正转控制限流电阻的一端;正转控制单向保护二极管用于控制流入正转开关管控制模块的电流的方向;正转控制限流电阻的另一端为正转开关管控制模块的输出端,并连接正转开关管模块;正转控制限流电阻用于限制正转开关管控制模块输出的驱动信号的电流大小;正转控制电压保护二极管的阳极连接驱动电源的另一端,正转控制电压保护二极管的阴极连接正转控制限流电阻的另一端;正转控制电压保护二极管用于限制正转开关管控制模块输出的驱动信号的电压大小;正转控制滤波电容连接在正转控制单向保护二极管的阴极和驱动电源的另一端之间,用于滤除输入到正转开关管控制模块的电源信号的杂波。3.根据权利要求1所述的电机转动到位停止控制电路,其特征在于所述的正转开关管模块包括正转开关管、正转第一二极管和正转第二二极管;正转开关管的控制端为正转开关管模块的输入端,并连接正转开关管控制模块的输出端;正转开关管的活动端一端直接连接驱动电源的另一端;正转开关管的活动端另一端连接正转第一二极管的阴极,正转第一二极管的阳极连接电机模块输入端的另一端;正转第二二极管的阳极连接驱动电源的另一端,正转第二二极管的阴极连接正转开关管的活动端另一端;正转开关管用于控制电机模块的上电或断电;正转第一二极管和正转第二二极管均用于控制输入到电机模块中的电流的方向。4.根据权利要求3所述的电机转动到位停止控制电路,其特征在于所述的正转开关管模块包括正转N
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MOS管、正转第一二极管和正转第二二极管;正转N
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MOS管的栅极为正转开关管模块的输入端,并连接正转开关管控制模块的输出端;正转N
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MOS管的源极直接连接驱动电源的另一端;正转N
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MOS管的漏极连接正转第一二极管的阴极,正转第一二极管的阳极连接电机模块输入端的另一端;正转第二二极管的阳极连接驱动电源的另一端,正转第二二极管的阴极连接正转N
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MOS管的漏极...
【专利技术属性】
技术研发人员:周德贵,
申请(专利权)人:湖南贝壳飞思科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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