一种硅片清洗喷淋机构制造技术

本实用新型专利技术提供一种硅片清洗喷淋机构，包括悬空设置的若干组硅片及对称于所述硅片两侧且转动设置的管件，置于所述硅片单侧的所述管件至少有两组，相邻两组所述管件喷淋覆盖的高度部分重叠设置，且所有所述管件喷淋覆盖的总高度不小于所述硅片与料板的高度之和；并相邻两组所述管件沿所述硅片宽度方向错位设置。本实用新型专利技术喷淋机构，尤其适用于大尺寸硅片的脱胶初次清洗，两组间隔设置且可旋转喷淋的管件，其喷淋完全覆盖硅片的高度范围，完全可以清洗硅片侧面上的硅泥，尤其是把在硅片下端面聚集较多的硅泥清洗干净，提升清洗效率，为后续脱胶清洗奠定基础。续脱胶清洗奠定基础。续脱胶清洗奠定基础。

【技术实现步骤摘要】
一种硅片清洗喷淋机构


[0001]本技术属于硅片脱胶清洗
，尤其是涉及一种硅片清洗喷淋机构。

技术介绍

[0002]现有脱胶机中对硅片的清洗是采用固定式结构的清洗方式，但这种方式清洗效果差，喷淋覆盖面积有限，尤其是对于尺寸为12英寸、18英寸或大于18英寸的硅片的清洗，会更加困难。
[0003]中国公开专利CN207952094U提出的多线切硅片脱胶清洗装置，提出一种旋转式的一组相对设置的管件。这种结构仅适应于小尺寸硅片，对于直径为12英寸、18英寸及以上的硅片而言，这种结构就无法完全覆盖，且清洗效果差。
[0004]同时，在大尺寸硅片的切割过程中，因硅片加工面积增大，随着切割深度的增加，切割过程中产生的硅粉含量越多，硅片之间的间隙越来越小，尤其是远离胶层一侧的硅片之间粘连的面积更大且吸附力强；而且随着切割的加深，硅泥受冷却液的冲洗和自身重力原因都沿硅片的高度竖直向下流动，而由于硅片的下端面吸附粘连面积大，导致在硅片下端面聚集的硅泥较多。如何在保证完全覆盖硅片侧面的情况下，将聚集在硅片下端面的硅泥清洗干净，是本案专利技术的重点。

技术实现思路

[0005]本技术提供一种硅片清洗喷淋机构，尤其是适用于大尺寸硅片脱胶的初次清洗，解决了现有技术中结构设计不合理导致清洗效果差的技术问题。
[0006]为解决上述技术问题，本技术采用的技术方案是：
[0007]一种硅片清洗喷淋机构，包括悬空设置的若干组硅片及对称于所述硅片两侧且转动设置的管件，置于所述硅片单侧的所述管件至少有两组，相邻两组所述管件喷淋覆盖的高度部分重叠设置，且所有所述管件喷淋覆盖的总高度不小于所述硅片与料板的高度之和；并相邻两组所述管件沿所述硅片宽度方向错位设置。
[0008]进一步的，一组所述管件位于所述硅片高度的上段部，且其喷淋覆盖的高度不小于所述硅片与所述料板高度之和的1/2。
[0009]进一步的，位于所述硅片高度上段部的所述管件，其喷淋的高度包括从所述料板高度的上端面至所述硅片与所述料板高度之和的1/2处。
[0010]进一步的，一组所述管件位于所述硅片高度的下段部，且其喷淋覆盖的高度不小于所述硅片与所述料板高度之和的2/3。
[0011]进一步的，位于所述硅片高度下段部的所述管件，其喷淋的高度包括从所述硅片高度的下端面至所述硅片与所述料板高度之和的2/3处。
[0012]进一步的，在所述硅片同一侧面，位于所述硅片高度上段部的所述管件至所述硅片侧面水平距离大于位于所述硅片高度下段部的所述管件至所述硅片侧面水平距离。
[0013]进一步的，位于所述硅片高度下段部的所述管件至所述硅片侧面水平距离为12
‑
15mm。
[0014]进一步的，位于所述硅片高度上段部的所述管件与位于所述硅片高度下段部的所述管件的水平距离差为4
‑
8mm。
[0015]进一步的，位于所述硅片高度上段部的所述管件的数量与位于所述硅片高度下段部的所述管件数量可以相同或不相同；对称设置的所述管件的结构均相同。
[0016]进一步的，每个所述管件上设有若干间隙设置的喷头，最外侧两个所述喷头之间的宽度不小于所述硅片在料板上的总长度；
[0017]位于所述硅片高度上段部的所述管件中的所述喷头与位于所述硅片高度下段部的所述管件中的所述喷头沿所述硅片高度方向并排设置或错位设置。
[0018]本技术喷淋机构，尤其适用于大尺寸硅片脱胶的初次清洗，至少包括两组对称设置的管件，并两组间隔设置且可旋转喷淋的管件，其喷淋完全覆盖硅片的高度范围，完全可以清洗硅片侧面上的硅泥，尤其是把在硅片下端面聚集较多的硅泥清洗干净，提升清洗效率，为后续脱胶清洗奠定基础。
附图说明
[0019]图1是本技术实施例一的喷淋机构的结构示意图；
[0020]图2是本技术实施例一的一种喷淋机构的俯视图；
[0021]图3是本技术实施例一的另一种喷淋机构的俯视图；
[0022]图4是本技术实施例二的喷淋机构的结构示意图；
[0023]图5是本技术实施例三的喷淋机构的结构示意图。
[0024]图中：
[0025]10、硅片
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20、管件一
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30、管件二
[0026]40、管件三
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50、管件四
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60、管件六
具体实施方式
[0027]下面结合附图和具体实施例对本技术进行详细说明。
[0028]本实施例提出一种硅片清洗喷淋机构，如图1和图2所示，包括悬空设置的若干组硅片10及对称于硅片10两侧且转动设置的管件，其中，硅片10均为由粘接在料板上的硅棒切割而成，所有硅片10的上端面均被粘接在料板上，由于线切时产生很多硅粉，硅粉与冷却液混合后形成硅泥，在硅片10边侧及相邻硅片10之间存有很多硅泥，尤其是在硅片10的下段部的硅泥更多。而置于硅片10单侧面的管件至少有两组，相邻两组管件喷淋覆盖的高度部分重叠设置，且所有管件喷淋覆盖的总高度不小于硅片10与料板的高度之和L；并相邻两组管件沿硅片10宽度的方向错位设置。这一交叉喷淋的结构，通过旋转各相邻管件的转轴以控制管件上的喷头，使各管件喷淋覆盖的高度相互叠加交叉，从而完全能够覆盖喷淋任一直径的大尺寸硅片10高度的范围，测底清洗覆盖在硅片10上的硅泥。而错位设置的管件可以在保证完全覆盖硅片10高度的基础上，使靠近硅片10下端面粘附硅泥比较多的一组管件距离硅片10侧面的距离较近，从而增加喷淋水流的速度，以提高其对硅片10粘接阻力的冲击，加速硅泥的冲洗，以提高清洗效果。
[0029]在本实施例中，包括两组对称设置的管件，分别为管件一20和管件二30，即其中管
件一20喷淋覆盖的高度H1与管件二30喷淋覆盖的高度H2重叠设置，且两组管件喷淋覆盖的高度H完全包括硅片10和料板的高度之和L。
[0030]其中，管件一20位于硅片10高度的上段部，且其喷淋覆盖的高度H1不小于硅片10与料板高度之和L的1/2。且管件一20喷淋的高度H1包括从料板高度的上端面至硅片10与料板高度之和L的1/2处。
[0031]优选地，管件一20位于硅片10与料板高度之和L的1/4处的位置且靠近硅片10高度的上端面设置，管件一20受外力控制旋转且朝向硅片10一侧进行喷淋，且其喷淋覆盖的高度不小于硅片10与料板高度之和L的1/2，使得硅片10上段部的高度面积全部在管件一10的喷淋范围之内，完全可以将硅泥清洗掉。
[0032]进一步的，管件二30位于硅片10高度的下段部，且其喷淋覆盖的高度不小于硅片10与料板高度之和L的2/3。且管件二30的喷淋高度H2包括从硅片10高度的下端面至硅片10与料板高度之和L的2/3处。
[0033]优选地，管件二30位于硅片本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅片清洗喷淋机构，包括悬空设置的若干组硅片及对称于所述硅片两侧且转动设置的管件，其特征在于，置于所述硅片单侧的所述管件至少有两组，相邻两组所述管件喷淋覆盖的高度部分重叠设置，且所有所述管件喷淋覆盖的总高度不小于所述硅片与料板的高度之和；并相邻两组所述管件沿所述硅片宽度方向错位设置。2.根据权利要求1所述的一种硅片清洗喷淋机构，其特征在于，一组所述管件位于所述硅片高度的上段部，且其喷淋覆盖的高度不小于所述硅片与所述料板高度之和的1/2。3.根据权利要求2所述的一种硅片清洗喷淋机构，其特征在于，位于所述硅片高度上段部的所述管件，其喷淋的高度包括从所述料板高度的上端面至所述硅片与所述料板高度之和的1/2处。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的一种硅片清洗喷淋机构，其特征在于，一组所述管件位于所述硅片高度的下段部，且其喷淋覆盖的高度不小于所述硅片与所述料板高度之和的2/3。5.根据权利要求4所述的一种硅片清洗喷淋机构，其特征在于，位于所述硅片高度下段部的所述管件，其喷淋的高度包括从所述硅片高度的下端面至所述硅片与所述料板高度之和的2/3处。6.根据权利要求1
‑
3、5任一项所述的一种硅片清...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩少聪，范国兴，武治军，李大伟，李海彬，
申请(专利权)人：天津市环智新能源技术有限公司，
类型：新型
国别省市：