【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种形成覆盖单衬底上的第一和第二组半导体器件的双段衬垫的方法，该方法包括：形成覆盖所述第一组半导体器件的第一衬垫和在所述第一衬垫的顶部上的第一保护层，所述第一保护层具有平坦顶表面；形成第二衬垫，所述第二衬垫具有覆盖所述第一保护层的第一部分、过渡部分、以及覆盖所述第二组半导体器件的第二部分，所述第二部分通过所述过渡部分与所述第一衬垫自对准；在所述第二衬垫的所述第二部分的顶部上形成第二保护层；去除所述第二衬垫的所述第一部分以及所述过渡部分的至少一部分；以及获得包括所述第一衬垫、所述第二衬垫的所述过渡部分的一部分和所述第二部分的所述双段衬垫。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：托马斯W戴尔，方隼飞，阎江，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，英芬能技术北美公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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