【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种装置，包括：Ｐ型半导体衬底；形成在所述Ｐ型半导体衬底中的Ｐ型光电二极管，以及形成在所述Ｐ型半导体衬底中的在所述Ｐ型光电二极管上的Ｎ型光电二极管，其中：所述Ｐ型光电二极管和所述Ｎ型光电二极管的结形成耗尽区域 ，以及所述耗尽区域的深度使所述Ｎ型光电二极管具有响应蓝光的光电效应。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：吕寅根，
申请(专利权)人：东部高科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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