本发明专利技术公开了一种传输腔室，包括腔壁，腔壁形成的腔室的上口设有上盖，腔壁与上盖接触的部位设有密封装置，密封装置包括设于腔壁上缘的密封槽，密封槽内设有密封圈，密封槽内侧边缘的高度低于密封槽外侧边缘的高度。密封槽内侧边缘的上表面可以为内低外高的坡面，也可以为平面。密封槽的横截面可以为矩形、梯形、半圆形或三角形，最好为上窄下宽的梯形。腔室上口可以为圆形、椭圆形或多边形。结构简单、密封性好，尤其适用于半导体硅片加工设备中硅片传输系统的传输腔室，也适用于其它设备。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体硅片加工设备，尤其涉及一种硅片传输系统的传输腔室。 背录技术在半导体硅片加工集群设备的硅片传输系统中，传输腔室有各种各样的结构。如图l 所示，是一种普遍采用的传输腔室的结构图。腔室上表面开有燕尾槽，其作用是放置密封 圈，然后便可把用于密封的腔室上盖放置在密封圉上，使传输腔室内部形成密闭的空问。 由于硅片的制程要求硅片表面保持高度洁净，并且要求在髙真空的环境下加工硅片，所以 传输腔室内部也要保持真空状态，这样就要求传输腔室与其上盖之间要有良好的密封性。传输腔室的尺寸较大，尤其是用于300毫米硅片的传输腔室，其圆形上盖的直径接近l米， --旦传输腔室处于真空状态，上盖必然在巨大的大气压力下产生形变，从而对密封性能产 生负面影响。如图2所示，传输腔室上端开有圆形开口，腔壁1的上缘开有燕尾型密封槽4，密封圈5 放入密封槽4中，要求密封囫4突出腔壁1的上表面，以保证其具有适当的压縮量，然后把底 面平整的上盖3放到密封豳5上，其间形成密闭的腔室2。当对腔室2抽真空时，上盖l在压差 的作用下向下压紧密封圈5，使密封圉5与上盖3和腔壁1之间形成密实的接触，从而形成密 封。由于传输腔室内部是真空，加上腔室2的上盖3尺寸较大，以上盖3的直径为1米算，则 整个上盖3受到的压力将近80000牛顿，在该压力作用下，上盖3会产生变形，其中心向下凹 陷。如图3、图4所示，传输腔室的上表面是位于同一平面内的平整面，密封槽4两侧的高 度相同，这样一旦上盖3在其上下压力差下产生向下的形变，在整个上盖3的中心下陷的同 时上盖3的周边上翘，且上盖3越大其受到的力也越大，形变也越大，其结果是上盖3的底面 与传输腔室腔壁l的上边缘相切，而上盖3原来与密封圑5紧密接触的底面却偏离密封圈5， 其切点即是上盖底面与腔壁2内缘的接触点6。由此可见，当上盖3发生形变后，密封圈5的 压縮程度降低，其密封性能也随之下降。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种结构简单、密封性好的传输腔室。 本专利技术的目的是通过以下技术方案实现的本专利技术的传输腔室，包括腔壁，腔壁形成的腔室的上口设有上盖，腔壁与上盖接触的 部位设有密封装置，所述的密封装置包括设于腔壁上缘的密封槽，密封槽内设有密封圈， 所述密封槽内側边缘的高度低于密封槽外側边缘的高度。所述的密封槽内侧边缘的上表面为内低外高的坡面。所述的密封槽内側边缘的上表面为平面。所述的密封槽的横截面为矩形、梯形、半圆形或三角形。所述的密封槽的横截面为上窄下宽的梯形。所述的腔室的上口为圆形、椭圆形或多边形。由上述本专利技术提供的技术方案可以看出，本专利技术所述的传输腔室，由于腔壁上缘的密 封槽的内側边缘的高度低于密封槽外侧边缘的高度，当上盖发生形变时，其下底面不会和 密封槽4的内側边缘接触，从而提髙了密封性能。结构简单、尤其适用于半导体硅片加工设备中硅片传输系统的传输腔室，也适用于其 它设备。附图说明图1为现有技术传输腔室的结构示意图图2为现有技术传输腔室的腔壁与上盖密封状态结构示意图;图3为现有技术传输腔室的上盖变形状态参考图；图4为图3的A部放大图；图5为本专利技术传输腔室的结构示意图；图6为本专利技术传输腔室的局部结构示意图；图7为图6的B部放大图；图8为本专利技术传输腔室的上盖变形状态局部参考图 图9为本专利技术传输腔室的另一个实施例的局部结构示意图。具体实施方式本专利技术的传输腔室较佳的具体实施方式如图5所示，包括腔壁l,腔壁1形成的腔室2的 上口设有上盖3，腔壁1与上盖3接触的部位设有密封装置。所述的密封装置包括设于腔壁l 上缘的密封槽4，密封槽4内可设置密封圉5。如图6、图7所示，所述密封槽4内側边缘的高度低于密封槽4外侧边缘的高度。且密封槽4内侧边缘的上表面为内低外高的坡面。密封槽4内侧边缘与外侧边缘的高度差h,以及密 封槽4内侧边缘的上表面的坡度a,要保证腔室2真空状态下，上盖3受压变形时，上盖3的下表面不会碰到密封槽4的内侧边缘，或刚刚碰到。如图8所示，具有上述结构的传输腔室能保证上盖3在变形后依然能与密封圈5紧密接 触，甚至更加紧密，图中的点画线表示没有变形的上盖3，实线是发生形变的情况。从图中 可看出，当上盖3发生形变后，其下底面没有和密封槽4的内側边缘接触，而且此时上盖3的 底面与密封圏5接触的部分的髙度要低于密封槽4外側边缘的高度，与上盖3没发生形变的情 况相比，变形后的上盖3更进一步压縮了密封園5，从而提高了密封性能，所以这种结构能 保证上盖3在变形前后的密封性良好，并能够满足各种高真空的制程要求。如图9所示，本专利技术另一种较佳的具体实施例是，密封槽4内侧边缘的髙度低于密封槽 4外側边缘的髙度，但密封槽4内側边缘的上表面为平面。这样，加工起来比较简单，只要密封槽4的内侧边缘与外侧边缘的髙度差h能保证腔室 2真空状态下，上盖3受压变形时，上盖3的下表面不会碰到密封槽4的内側边缘，就可以保 证上盖3在变形前后的密封性良好，并能够满足各种高真空的制程要求。上述的密封槽4的横截面可以为矩形、梯形、半圆形或三角形等，最好为上窄下宽的 梯形。腔室2的上口可以为圆形、椭圆形或多边形等各种形状。结构简单、密封性好，尤其适用于半导体硅片加工设备中硅片传输系统的传输腔室， 也适用于其它设备。以上所述，仅为本专利技术较佳的具体实施方式，但本专利技术的保护范围并不局限于此，任 何熟悉本
的技术人员在本专利技术揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都 应涵盖在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种传输腔室，包括腔壁，腔壁形成的腔室的上口设有上盖，腔壁与上盖接触的部位设有密封装置，其特征在于，所述的密封装置包括设于腔壁上缘的密封槽，密封槽内设有密封圈，所述密封槽内侧边缘的高度低于密封槽外侧边缘的高度。
【技术特征摘要】
1、 一种传输腔室，包括腔壁，腔壁形成的腔室的上口设有上盖，腔壁与上盖接触的 部位设有密封装置，其特征在于，所述的密封装置包括设于腔壁上缘的密封槽，密封槽内 设有密封豳，所述密封槽内側边缘的高度低于密封槽外侧边缘的髙度。2、 根据权利要求l所述的传输腔室，其特征在于，所述的密封槽内側边缘的上表面 为内低外髙的坡面。3、 根据权利要求l所述的传...
【专利技术属性】
技术研发人员：张金斌，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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