用于抛光多晶硅的化学机械抛光液制造技术

本发明专利技术公开了一种用于抛光多晶硅的化学机械抛光液，该抛光液包括研磨颗粒和水，其还包括一种或多种多元醇型非离子表面活性剂。本发明专利技术的抛光液是可以在碱性条件下较好地抛光多晶硅薄膜的新型的化学机械抛光液。并且还可以显著降低多晶硅的去除速率，调节多晶硅与二氧化硅的选择比，显著提高多晶硅的平坦化效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种化学机械抛光液，尤其涉及一种用于抛光多晶硅 的化学机械抛光液。
技术介绍
在集成电路制造中.互连技术的标准在提高， 一层上面又沉积一 层，使得在衬底表面形成了不规则的形貌。现有技术中使用的一种平坦化方法就是化学机械抛光(CMP)， CMP工艺就是使用一种含磨 料的混合物和抛光垫去抛光一硅片表面。在典型的化学机械抛光方法 中，将衬底直接与旋转抛光垫接触，用一载重物在衬底背面施加压力。 在抛光期间，垫片和操作台旋转，同时在衬底背面保持向下的力，将 磨料和化学活性溶液(通常称为抛光液或抛光浆料)涂于垫片上，该 抛光液与正在抛光的薄膜发生化学反应开始进行抛光过程。对于多晶硅的抛光，目前主要应用于两种芯片， 一种是DRAM， --种是Flash.后者应用中往往在对多晶硅的抛光中会涉及到对二氧 化硅的抛光。在以往的主要利用以二氧化硅为研磨颗粒的碱性浆料来抛光多 晶硅层和二氧化硅层的情况下，多晶硅的除取速率往往比二氧化硅的除去速率高得多，易导致多晶硅的过量去除而产生凹陷，影响随后的工艺。US2003/0153189A1公开了一种用于多晶硅抛光的化学机械抛 光液及方法，该抛光液包本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于抛光多晶硅的化学机械抛光液，该抛光液包括研磨颗粒和水，其特征在于：还包括一种或多种多元醇型非离子表面活性剂。

【技术特征摘要】
1、一种用于抛光多晶硅的化学机械抛光液，该抛光液包括研磨颗粒和水，其特征在于还包括一种或多种多元醇型非离子表面活性剂。2、 如权利要求1所述的抛光液，其特征在于所述的多元醇型 非离子表面活性剂为以下的一种或几种组成-a、 含有多个羟基的多元醇与脂肪酸进行酯化而生成的酯类b、 聚乙二醇类表面活性剂。3、 如权利要求2所述的抛光液，其特征在于所述的酯类表面 活性剂的通式结构式Rl OmHm_n(OCR2)n其中，Ri(OH)m为m^2的多元醇，具体的为乙二醇， 一縮二乙二醇， 二縮三乙二醇，丙二醇，甘油，聚甘油，聚氧乙烯甘油，季戊四醇， 失水木糖醇，聚氧乙烯失水木糖醇，山梨醇，聚氧乙烯山梨醇，失水 山梨醇，聚氧乙烯失水山梨醇，蔗糖或聚氧乙烯；R2代表CnH23, C15H31, C17H33或C17H35;n=l 4且m》n。4、 如权利要求2所述的抛光液，其特征在于所述的聚乙二醇 的通式结构式<formu...

【专利技术属性】
技术研发人员：荆建芬，王麟，杨春晓，
申请(专利权)人：安集微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]