利用到三重态的直接注入的OLED制造技术

本发明专利技术涉及利用到三重态的直接注入的ＯＬＥＤ。本发明专利技术也涉及利用谐振注入和／或分阶能级的ＯＬＥＤ。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及有机发光器件(OLED)，尤其涉及利用到三重态的直接注入的OLED。
技术介绍
利用有机材料的光电子器件因许多原因正在变得日益令人期望。用来制造这种器件的许多材料相对便宜，所以有机光电子器件具有优于无机器件的成本优势的潜能。另外，有机材料的固有性质，例如它们的柔韧性，可以使得它们充分适用于特殊应用例如在柔性衬底上的制造。有机光电子器件的实例包括有机发光器件(OLED)、有机光电晶体管、有机光生伏打电池以及有机光电检测器。对于OLED，有机材料可以具有优于常规材料的性能优势。例如，通常可以使用适当的掺杂剂容易地调节有机发射层发光的波长。 如这里使用的，术语“有机”包括可以用来制造有机光电子器件的聚合材料以及小分子有机材料。“小分子”指不是聚合物的任何有机材料，并且“小分子”实际上可能非常大。在一些情况下，小分子可以包括重复单元。例如，使用长链烷基作为取代基不会从“小分子”类中去除分子。小分子也可以合并到聚合物中，例如作为聚合物主链上的悬挂基团或者作为主链的一部分。小分子也可以用作树枝状聚合物的核心部分，树枝状聚合物包括在核心部分上构建的一系列化学壳。树枝状聚合本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光器件，包括：　　　　ａ）阳极；　　　　ｂ）阴极；　　　　ｃ）位于阳极和阴极之间的发射层，发射层包括　　　　ｉ）具有磷光掺杂剂ＨＯＭＯ能级、磷光掺杂剂ＬＵＭＯ能级、三重态能量和单重态能量的磷光掺杂剂；以及　　　　ｉｉ）具有发射层基质ＨＯＭＯ能级和发射层基质ＬＵＭＯ能级的发射层基质；以及　　　　ｄ）位置与发射层相邻的传输层，传输层包括具有第一材料ＨＯＭＯ能级和第一材料ＬＵＭＯ能级的第一材料，其中电子空穴对跨越至少大约等于磷光掺杂剂的三重态能量的能量间距而直接重新结合。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2005-3-31 60/666,867;US 2005-5-6 11/123,155;US 1.一种有机发光器件，包括a)阳极；b)阴极；c)位于阳极和阴极之间的发射层，发射层包括i)具有磷光掺杂剂HOMO能级、磷光掺杂剂LUMO能级、三重态能量和单重态能量的磷光掺杂剂；以及ii)具有发射层基质HOMO能级和发射层基质LUMO能级的发射层基质；以及d)位置与发射层相邻的传输层，传输层包括具有第一材料HOMO能级和第一材料LUMO能级的第一材料，其中电子空穴对跨越至少大约等于磷光掺杂剂的三重态能量的能量间距而直接重新结合。2.根据权利要求1的器件，其中发射层基质LUMO与磷光掺杂剂HOMO之间的能量间距至少大约等于磷光掺杂剂的三重态能量。3.根据权利要求1的器件，其中发射层基质HOMO与磷光掺杂剂LUMO之间的能量间距至少大约等于磷光掺杂剂的三重态能量。4.根据权利要求1的器件，其中传输层是电子传输层，并且其中第一材料LUMO与磷光掺杂剂HOMO之间的能量间距至少大约等于磷光掺杂剂的三重态能量。5.根据权利要求1的器件，其中传输层是空穴传输层，并且其中第一材料HOMO与磷光掺杂剂LUMO之间的能量间距至少大约等于磷光掺杂剂的三重态能量。6.根据权利要求1的器件，包括两个传输层包括电子传输材料的电子传输层和包括空穴传输材料的空穴传输层，其中电子传输材料LUMO与空穴传输材料HOMO之间的能量间距至少大约等于磷光掺杂剂的三重态能量。7.根据权利要求6的器件，其中能量间距比磷光掺杂剂的单重态能量低至少大约0.2eV。8.根据权利要求1的器件，其中磷光掺杂剂在发射谱中具有小于大约500nm的峰。9.一种有机发光器件，包括a)阳极；b)阴极；c)位于阳极和阴极之间的发射层，发射层包括i)具有磷光掺杂剂HOMO能级、磷光掺杂剂LUMO能级、三重态能量和单重态能量的磷光掺杂剂；以及ii)具有发射层基质HOMO能级和发射层基质LUMO能级的发射层基质；以及d)位置与发射层相邻的传输层，传输层包括多种材料，每种材料具有HOMO能级和LUMO能级，其中多种材料的每种的至少一个能级一起形成通向发射层中至少一个能级的一系列能阶，其中该系列能阶中的每阶至多大约0.2eV。10.根据权利要求9的器件，其中传输层是空穴传输层，并且多种材料的HOMO能级形成通向发射层基质HOMO或磷光掺杂剂HOMO的一系列...

【专利技术属性】
技术研发人员：马克E汤普森，斯蒂芬福里斯特，朱丽亚J布朗，
申请(专利权)人：普林斯顿大学理事会，南加利福尼亚大学，通用显示公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]