气密性密封封装体及其制造方法技术

披露容纳有机电子器件的气密性密封封装体。提供大量密封机构气密性密封该封装体，以保护有机电子器件，使其免受环境因素的侵害。在有机电子器件（１４）附近使用金属合金密封材料层（１８）。或者，还可实施结合打底层（２２，２４）的金属合金密封材料层（１８）。此外，可设置顶板（２０）和边缘包封体以完全包围有机电子器件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】 关于联邦政府资助的研究&开发的声明本专利技术依据国家标准技术研究所授权的合同号70NANB3H3030并通过 政府支持完成。政府享有本专利技术中的一定权力。
技术介绍
本专利技术总体涉及气密性密封电子封装体。更具体而言，本专利技术涉及采 用有机器件并具有低温气密密封性的电子封装体及其制造方法。有机器件是硅半导体器件的低成本、高性能替代器件，且用于各种应 用当中，如有机发光二极管(OLED)、有机光传感器、有机晶体管、有机 太阳能电池和有机激光器。然而，这些有机器件需要受到保护，不受环境因素如水分或氧的影响， 以防止器件劣化。这种器件大多数由结合了多个材料层的多层结构体制成， 每一材料层具有不同功能。保护这些器件的一种常用方式包括为多层结构 体提供封装。通常，封装有机器件的工序包括将有机器件夹在基板和封装 层之间以使器件周围存在连续的周边密封。通常，使用具有阻挡涂层的玻 璃、金属或塑料薄片夹持器件。利用通常基于环氧树脂的粘合剂将这些薄 片接合在一起。粘合虽然片材提供了优良的气密特性，但是粘合剂并不是 这样。过去，在基板和封装层之间采用了较薄的粘合剂层，以限制不利因素 如水和/或氧扩本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种气密性密封封装体，包括：第一基板，其构成为安放有机电子器件；有机电子器件，其设置在所述第一基板上；第一打底层，其设置在所述第一基板上，其中所述第一打底层沿有机电子器件的周边设置；金属合金密封材料层，其设置在所述第一打底层上并沿有机电子器件的周边设置；第二打底层，其设置在所述金属密封材料层上；和第二基板，其设置在所述第二打底层上并设置在有机电子器件的上方并与其接近。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2005-6-10 11/150,4011.一种气密性密封封装体，包括第一基板，其构成为安放有机电子器件；有机电子器件，其设置在所述第一基板上；第一打底层，其设置在所述第一基板上，其中所述第一打底层沿有机电子器件的周边设置；金属合金密封材料层，其设置在所述第一打底层上并沿有机电子器件的周边设置；第二打底层，其设置在所述金属密封材料层上；和第二基板，其设置在所述第二打底层上并设置在有机电子器件的上方并与其接近。2. 如权利要求1的气密性密封封装体，其中所述第一基板包括柔性基板。3. 如权利要求1的气密性密封封装体，其中所述第一基板包括复合结构。4. 如权利要求1的气密性密封封装体，其中所述第一基板包括聚合物材料。5. 如权利要求1的气密性密封封装体，其中所述第一基板包括塑料、金 属箔或玻璃。6. 如权利要求1的气密性密封封装体，包括设置在所述第一基板和所述 有机电子器件之间的阻挡涂层。7. 如权利要求1的气密性密封封装体，其中所述有机电子器件包括有机 电致发光器件或有机光伏器件。8. 如权利要求1的气密性密封封装体，其中所述金属合金密封材料的熔 点高于有机电子器件的工作温度。9. 如权利要求1的气密性密封封装体，其中所述金属合金密封材料层包 括铋或锡或铅或铟或镉或其组合的合金。10. 如权利要求9的气密性密封封装体，其中铋的体积百分比在从约0 到约50 %的范围内，或者锡的体积百分比在从约5 %到约50 %的范围内， 或者铅的体积百分比在从约0到约50%的范围内，或者铟的体积百分比在从约0到约55%的范围内，或者镉的体积百分比在从约0到约15%的范围 内。11. 如权利要求1的气密性密封封装体，其中所述第二基板包括顶板。12. —种气密性密封封装体，包括 第一基板，其构成为容纳有机电子器件； 有机电子器件，其设置在所述基板的上表面上； 绝缘粘合剂层，其设置在所述有机电子器件的上方；顶板，其连接到绝缘粘合剂层并设置成接近所述有机电子器件，其中 所述顶板包括用于包封封装体边缘的外围部分，，以使所述顶板的外围部分 连接到与有机电子器件相对的基板的下表面上；和金属合金密封材料层，其设置在基板的下表面上，以使顶板的外围部 分...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐纳德F福斯特，威廉F尼朗，
申请(专利权)人：通用电气公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]