阈值电压侦测方法技术

本申请公开了一种阈值电压侦测方法。本申请提供的阈值电压侦测方法，通过在侦测过程中关断驱动晶体管与侦测电路之间的路径，让侦测阶段流过驱动晶体管的电流只需对存储电容充电，而不需要对侦测电路上的寄生电容进行充电，从而可以缩短驱动晶体管的阈值电压侦测时间，进而提升驱动晶体管的阈值电压侦测效率，提升用户使用体验。提升用户使用体验。提升用户使用体验。

【技术实现步骤摘要】
阈值电压侦测方法


[0001]本申请涉及显示
，具体涉及一种阈值电压侦测方法。

技术介绍

[0002]有机发光二极管显示装置按照驱动方式分为无源矩阵型和有源矩阵型两大类，即直接寻址和薄膜晶体管矩阵寻址两大类。在有源矩阵型这种驱动方式下，像素驱动电路设有用于驱动有机发光二极管发光的驱动晶体管。由于驱动晶体管工作在饱和区，流过驱动晶体管的电流大小会受到驱动晶体管自身的阈值电压以及迁移率的影响。因此为了保证有机发光二极管显示装置的显示亮度的均匀性，需要对不同子像素之间的阈值电压差异以及迁移率差异进行补偿。
[0003]传统的阈值电压侦测方式采用的是给定驱动晶体管一个初始Vgs(栅源电压)，然后利用源跟随的方式，保持驱动晶体管的栅极电压不变，让驱动晶体管的源极电压抬升至Vgs＝V
th
(驱动晶体管的阈值电压)状态，流过驱动晶体管的电流大小趋近于零，对此状态下的驱动晶体管的源极电压进行采样，计算出驱动晶体管的阈值电压，再将得到的阈值电压叠加至显示时的数据电压上，实现对阈值电压差异的补偿，消除由阈值电压差异导致的显示亮度不均匀性。
[0004]然而，随着侦测中Vgs的减小以及侦测线路的寄生电容远大于单个子像素的存储电容，驱动晶体管的源极电压的抬升越来越慢，如果要完全侦测出不同子像素的驱动晶体管的阈值电压差异，需要很长的时间。这在很大程度上会影响到工厂产能以及侦测设备的投入；另外因为阈值电压的侦测只能在黑画面下进行，所以会占用用户开机前或关机后的待机时间，极大影响用户使用体验。
专利
技术实现思路

[0005]本申请提供一种阈值电压侦测方法，可以缩短驱动晶体管的阈值电压侦测时间，进而提升驱动晶体管的阈值电压侦测效率，提升用户使用体验。
[0006]本申请提供一种阈值电压侦测方法，其包括：
[0007]步骤S1、提供一显示装置驱动系统，所述显示装置驱动系统包括像素驱动电路以及与所述像素驱动电路电性连接的侦测电路；
[0008]所述像素驱动电路包括驱动晶体管、第一晶体管、第二晶体管、存储电容以及发光器件；所述驱动晶体管的栅极、所述第一晶体管的源极和漏极中的一者以及所述存储电容的第一端均与第一节点电性连接；所述驱动晶体管的源极和漏极中的一者与第一电压源电性连接；所述驱动晶体管的源极和漏极中的另一者、所述第二晶体管的源极和漏极中的一者、所述存储电容的第二端以及所述发光器件的阳极均与第二节点电性连接；所述第一晶体管的源极和漏极中的另一者接入数据信号，所述第一晶体管的栅极接入控制信号；所述第二晶体管的源极和漏极中的另一者与所述侦测电路电性连接，所述第二晶体管的栅极接入侦测信号；所述发光器件的阴极与第二电压源电性连接；
[0009]步骤S2、所述控制信号提供导通电位，所述侦测信号提供导通电位，所述第一晶体管导通，所述第二晶体管导通，所述数据信号提供数据电位至所述第一节点，所述侦测电路提供初始化电位至所述第二节点；
[0010]步骤S3、所述控制信号提供导通电位，所述侦测信号提供截止电位，所述第一晶体管导通，所述第二晶体管截止，所述数据信号继续提供所述数据电位至所述第一节点，所述第二节点的电位在驱动电流的作用下抬升，直至所述第一节点的电位与所述第二节点的电位之间的差值等于所述驱动晶体管的阈值电压；
[0011]步骤S4、所述控制信号提供截止电位，所述侦测信号提供导通电位，所述第一晶体管截止，所述第二晶体管导通，所述存储电容与所述侦测电路上的寄生电容进行电压耦合，所述侦测电路侦测所述第二节点的电位，并基于所述第二节点的电位计算所述驱动晶体管的阈值电压。
[0012]在本申请提供的阈值电压侦测方法中，在所述步骤S2中，所述数据电位与所述初始化电位之间的差值大于所述驱动晶体管的阈值电压。
[0013]在本申请提供的阈值电压侦测方法中，在所述步骤S3中，所述驱动电流I＝(μ*w*Cox)/2L*(V
g
‑
V
s
‑
V
th
)^2，其中，μ为所述驱动晶体管的迁移率，W/L为所述驱动晶体管的导电沟道的宽长比，Cox为所述驱动晶体管的单位面积栅氧化层电容，V
g
为所述第一节点的电位，V
s
为所述第二节点的电位，V
th
为所述驱动晶体管的阈值电压。
[0014]在本申请提供的阈值电压侦测方法中，在所述步骤S3中，所述二节点的电位V
s
＝V0+I/C1，其中，V0为所述初始化电位，C1为所述存储电容的电容值。
[0015]在本申请提供的阈值电压侦测方法中，在所述步骤S3中，所述第一节点的电位维持不变，所述第二节点的电位随着所述驱动电流给所述存储电容充电而升高。
[0016]在本申请提供的阈值电压侦测方法中，在所述第二节点的电位升高的同时，所述驱动电流也会降低，直至所述驱动电流为0时，所述第二节点的电位达到稳定。
[0017]在本申请提供的阈值电压侦测方法中，在所述步骤S4中，所述侦测电路侦测所述第二节点的电位，并基于所述第二节点的电位计算所述驱动晶体管的阈值电压，包括：
[0018]获取电压耦合后的所述第二节点的电位；
[0019]基于电压耦合后的所述第二节点的电位以及预设电压耦合公式得到电压耦合前的所述第二节点的电位；
[0020]根据所述电压耦合前的所述第二节点的电位、所述数据电位以及阈值电压计算公式得到所述驱动晶体管的阈值电压。
[0021]在本申请提供的阈值电压侦测方法中，所述预设电压耦合公式为：V
s1
＝(V
s2
‑
V0)*(C1+C2)/C2+V0，其中，V
s1
为电压耦合前的所述第二节点的电位，V
s2
为电压耦合后的所述第二节点的电位，V0为所述初始化电位，C1为所述存储电容的电容值，C2为所述寄生电容的电容值。
[0022]在本申请提供的阈值电压侦测方法中，所述阈值电压计算公式为：V
th
＝V
g
‑
V
s1
，其中，V
th
为所述驱动晶体管的阈值电压，V
g
为所述第一节点的电位，V
s1
为电压耦合前的所述第二节点的电位。
[0023]在本申请提供的阈值电压侦测方法中在于，所述第二节点的电位在驱动电流的作用下抬升直至所述第一节点的电位与所述第二节点的电位之间的差值等于所述驱动晶体
管的阈值电压耗费的时长小于30毫秒。
[0024]本申请提供的阈值电压侦测方法，通过在侦测过程中关断驱动晶体管与侦测电路之间的路径，让侦测阶段流过驱动晶体管的电流只需对存储电容充电，而不需要对侦测电路上的寄生电容进行充电，从而可以缩短驱动晶体管的阈值电压侦测时间，进而提升驱动晶体管的阈值电压侦测效率，提升用户使用体验。
附图说明
[0025]图1为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阈值电压侦测方法，其特征在于，包括：步骤S1、提供一显示装置驱动系统，所述显示装置驱动系统包括像素驱动电路以及与所述像素驱动电路电性连接的侦测电路；所述像素驱动电路包括驱动晶体管、第一晶体管、第二晶体管、存储电容以及发光器件；所述驱动晶体管的栅极、所述第一晶体管的源极和漏极中的一者以及所述存储电容的第一端均与第一节点电性连接；所述驱动晶体管的源极和漏极中的一者与第一电压源电性连接；所述驱动晶体管的源极和漏极中的另一者、所述第二晶体管的源极和漏极中的一者、所述存储电容的第二端以及所述发光器件的阳极均与第二节点电性连接；所述第一晶体管的源极和漏极中的另一者接入数据信号，所述第一晶体管的栅极接入控制信号；所述第二晶体管的源极和漏极中的另一者与所述侦测电路电性连接，所述第二晶体管的栅极接入侦测信号；所述发光器件的阴极与第二电压源电性连接；步骤S2、所述控制信号提供导通电位，所述侦测信号提供导通电位，所述第一晶体管导通，所述第二晶体管导通，所述数据信号提供数据电位至所述第一节点，所述侦测电路提供初始化电位至所述第二节点；步骤S3、所述控制信号提供导通电位，所述侦测信号提供截止电位，所述第一晶体管导通，所述第二晶体管截止，所述数据信号继续提供所述数据电位至所述第一节点，所述第二节点的电位在驱动电流的作用下抬升，直至所述第一节点的电位与所述第二节点的电位之间的差值等于所述驱动晶体管的阈值电压；步骤S4、所述控制信号提供截止电位，所述侦测信号提供导通电位，所述第一晶体管截止，所述第二晶体管导通，所述存储电容与所述侦测电路102上的寄生电容进行电压耦合，所述侦测电路侦测所述第二节点的电位，并基于所述第二节点的电位计算所述驱动晶体管的阈值电压。2.根据权利要求1所述的阈值电压侦测方法，其特征在于，在所述步骤S2中，所述数据电位与所述初始化电位之间的差值大于所述驱动晶体管的阈值电压。3.根据权利要求1所述的阈值电压侦测方法，其特征在于，在所述步骤S3中，所述驱动电流I＝(μ*w*Cox)/2L*(V
g
‑
V
s
‑
V
th
)^2，其中，μ为所述驱动晶体管的迁移率，W/L为所述驱动晶体管的导电沟道的宽长比，Cox为所述驱动晶体管的单位面积栅氧化层电容，V
g
为所述第一节点的电位，V
s...

【专利技术属性】
技术研发人员：窦维，徐京，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：