一种CVD装置及其分散进气方法制造方法及图纸

一种CVD装置，包括外腔体、外腔盖，外腔体内部设置有内反应腔A、内反应腔B以及内反应腔C；外腔盖上设置有蜗杆减速机、伺服减速电机、升降装置、升降架以及花键轴，蜗杆减速机设置在外腔盖上，伺服减速电机与蜗杆减速机固定连接，升降装置为两个，两个升降装置设置在外腔盖上，升降架设置在两个升降装置的顶部，花键轴转动设置在蜗杆减速机内，且花键轴一端与升降架固定连接、另一端穿过外腔盖并往外腔体内延伸，花键轴朝向外腔体的一端固定连接有安装板，安装板上设置有与内反应腔A、内反应腔B、内反应腔C对应的第一内腔盖、第二内腔盖、第三内腔盖，第一内腔盖、第二内腔盖、第三内腔盖朝向外腔体底部的一面均固定设置有托架。外腔体底部的一面均固定设置有托架。外腔体底部的一面均固定设置有托架。

【技术实现步骤摘要】
一种CVD装置及其分散进气方法


[0001]本专利技术涉及CVD工艺
，具体为一种CVD装置及其分散进气方法。

技术介绍

[0002]CVD工艺是一种在特定温度以及真空度的封闭条件下通过一种或多种化学气体在基片表面发生热分解、化学合成等沉积反应从而在其表面生成致密薄膜的化工技术，可以通过改变通入气体的化学成分达到改变薄膜性质以及薄膜梯度的目的。
[0003]现有CVD工艺的反应过程大多在固定腔室中完成，通过交替通入不同前驱体的方法来完成沉积过程，在实际切换前驱体的过程中不同化学气体会在管道内反应而积聚容易造成堵塞。
[0004]其次，现有CVD装置的反应腔一般都为一个腔室，从而当腔室的管道堵塞时，会造整个CVD装置堵塞。

技术实现思路

[0005]本专利技术所要解决的技术问题是，提供一种CVD装置及其分散进气方法，以解决上述
技术介绍
中提出现有的CVD工艺的反应装置在实际切换前驱体的过程中不同化学气体在管道内反应而积聚容易造成堵塞的问题。
[0006]为了解决这一技术问题，本专利技术一方面采用以下技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种CVD装置，其特征在于：包括外腔体(110)、设置在外腔体(110)上的外腔盖(111)，所述外腔体(110)内部设置有内反应腔A(140)、内反应腔B(150)以及内反应腔C(160)；所述外腔盖(111)上设置有蜗杆减速机(116)、伺服减速电机(117)、升降装置(112)、升降架(113)以及花键轴(119)，所述蜗杆减速机(116)设置在所述外腔盖(111)的中心处，所述伺服减速电机(117)的输出轴与所述蜗杆减速机(116)固定连接，所述升降装置(112)为两个，两个所述升降装置(112)对称设置在所述外腔盖(111)上并位于所述蜗杆减速机(116)的两端，所述升降架(113)固定设置在两个升降装置(112)的顶部，所述花键轴(119)转动设置在所述蜗杆减速机(116)内，且所述花键轴(119)一端与所述升降架(113)固定连接、另一端穿过所述外腔盖(111)并往所述外腔体(110)内延伸，其中，所述花键轴(119)朝向外腔体(110)的一端固定连接有安装板(127)，所述安装板(127)朝向所述外腔体(110)底部的一面分别固定设置有与所述内反应腔A(140)、内反应腔B(150)以及内反应腔C(160)相对应的第一内腔盖(121)、第二内腔盖、第三内腔盖，所述内腔盖(121)、第二内腔盖、第三内腔盖朝向所述外腔体(110)底部的一面均固定设置有托架(122)，且所述托架(122)内设置有基片架(123)。2.根据权利要求1所述的一种CVD装置，其特征在于：所述内反应腔A(140)、内反应腔B(150)以及内反应腔C(160)结构均相同，所述内反应腔A(140)、内反应腔B(150)以及内反应腔C(160)内均设置有对称的均气装置(180)。3.根据权利要求2所述的一种CVD装置，其特征在于：所述内反应腔A(140)、内反应腔B(150)以及内反应腔C(160)的底部均设置有进气口和排气口。4.根据权利要求3所述的一种CVD装置，其特征在于：所述内反应腔A(140)、内反应腔B(150)、内反应腔C(160)内均设置有加热装置。5.根据权利要求1所述的一种CVD装置，其特征在于：位于所述蜗杆减速机(116)与升降架(113)之间的花键轴(119)的外表面设置有波纹管(115)，所述波纹管(115)的一端与所述蜗杆减速机(116)另一端与所述升降架(113)。6.根据权利要求5所述的一种CVD装置，其特征在于：所述蜗杆减速机(116)通过密封...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘柏希，韩长海，龚涛，齐家庆，
申请(专利权)人：湘潭大学，
类型：发明
国别省市：