【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及用于制造高电压晶体管的半导体器件结构和工艺。技术背景在半导体领域中高电压场效应晶体管(HVFET)已是公知的。很多 HVFET采用的器件结构包括延伸的漏极区，当器件处于截止状态时， 该延伸的漏极区支持或阻断所施加的高电压(例如几百伏)。在常规 的垂直HVFET结构中，半导体材料的台或柱形成用于导通状态中的电 流的延伸的漏极或漂移区。在衬底顶部附近、与台的側壁区域相邻地 形成沟槽栅极结构，在台处将本体区设置在延伸的漏极区上方。向栅 极施加适当的电压电势沿着本体区的垂直侧壁部分形成导电沟道，使 得电流可以垂直流过半导体材料，即，从设置源极区的衬底顶表面向 下流到设置漏极区的衬底底部。在常规布局中，垂直HVFET由长的连续硅柱结构构成，该硅柱结 构跨越半导体管芯延伸，并且该柱结构在垂直于柱长度的方向上重复。 不过，该布局引起的问题在于，在高温处理步骤期间硅晶片容易产生 大的翘曲。在很多工艺中，翘曲是永久性的且足够大，防碍了在下一 处理步骤中用工具加工晶片。
技术实现思路
根据本专利技术的一个实施例，提供一种晶体管，包括衬底；被组 织成多个部分的多个晶体管...
【技术保护点】
一种晶体管，包括： 衬底； 被组织成多个部分的多个晶体管段，每个晶体管段具有长度和宽度，每个部分的晶体管段沿宽度被设置成并排关系，所述部分被设置成行和列，每行的部分被设置成使得晶体管段的部分到部分的长度沿第一和第二横向交替对准，第一横向基本垂直于第二横向，每个晶体管段包括： 半导体材料柱，所述柱具有设置在衬底的顶表面处或附近的源极区； 分别设置在所述柱的相对侧上的第一和第二介电区域，所述第一介电区域由所述柱横向包围，并且所述第二介电区域横向包围所述柱； 分别设置在所述第一和第二介电区域中的第一和第二场板； 分别设置在邻近本体区的柱的顶部处...
【技术特征摘要】
US 2007-2-16 11/7074031.一种晶体管，包括衬底；被组织成多个部分的多个晶体管段，每个晶体管段具有长度和宽度，每个部分的晶体管段沿宽度被设置成并排关系，所述部分被设置成行和列，每行的部分被设置成使得晶体管段的部分到部分的长度沿第一和第二横向交替对准，第一横向基本垂直于第二横向，每个晶体管段包括半导体材料柱，所述柱具有设置在衬底的顶表面处或附近的源极区；分别设置在所述柱的相对侧上的第一和第二介电区域，所述第一介电区域由所述柱横向包围，并且所述第二介电区域横向包围所述柱；分别设置在所述第一和第二介电区域中的第一和第二场板；分别设置在邻近本体区的柱的顶部处或附近的第一和第二介电区中的第一和第二栅极元件；以及第一金属层，其包括耦合到每个晶体管段的源极区的源极汇流排、和耦合到每个晶体管段的第一和第二栅极元件的栅极汇流排。2. 根据权利要求1所述的晶体管，其中所述柱沿第一和第二横向 延伸以形成跑道形环或椭圆。3. 根据权利要求1所述的晶体管，其中所述柱垂直通过衬底延伸， 所述柱进一步包括延伸漏极区；以及垂直地分开源极和延伸漏极区的本体区。4. 根据权利要求1所述的晶体管，其中栅极汇流排包括与每行相 关联的顶部和底部线，具有沿第一横向对准的段的长度的部分具有耦 合到顶部线的段的第一半的第一和第二栅极元件，并且所述段的第二 半的第一和第二栅极元件耦合到底部线。5. 根据权利要求4所述的晶体管，其中栅极汇流排进一步包括一 对短截线，其中对所述段的长度沿第二横向对准的每一部分而言，所 述段的第一半的第一和第二栅极元件耦合到该对短截线中的第一个， 并且所述段的第二半的第 一和第二栅极元件耦合到该对短截线中的第6. 根据权利要求5所述的晶体管，其中该对短截线的第一个和第 二个沿第一横向跨越每行延伸大约一半长度。7. 根据权利要求5所述的晶体管，其中所述顶部和底部线沿第二 横向基本对准，并且所述短截线中的第一和第二个沿第一横向基本对 准。8. 根据权利要求4所述的晶体管，其中源极汇流排在顶部与底部 线之间跨越每一行连续延伸。9. 根据权利要求5所述的晶体管，其中源极汇流排在顶部与底部 线之间跨越每一行、并且围绕该对短截线中的第一个和第二个连续延 伸。10. —种晶体管，包括 衬底；被组织成多个部分的多个晶体管段，每个晶体管段具有长度和宽 度，每个部分的晶体管段沿宽度被设置成并排关系，所述部分被设置 成行和列，每行的部分被设置成使得晶体管段的部分到部分的长度沿 第一和第二横向交替对准，第一横向基本垂直于第二横向，每个晶体管段包括半导体材料柱，所述柱具有设置在衬底的顶表面处或附近的源极区；分别设置在所述柱的相对侧上的第一和第二介电区域，所述第一 介电区域由所迷柱横向包围，并且所述第二介电区域横向包围所述柱；分别设置在所述第一和第二介电区域中的第一和第二场板；分别设置在邻近本体区的柱的顶部处或附近的第一和第二介电区 中的第一和第二栅极元件；以及第 一 金属层，其包括耦合到每个晶体管段的源极区的源极汇流排、 和耦合到每个晶体管段的第一和第二栅极元件的栅极汇流排，栅极...
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