【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体器件，更具体而言，涉及基于超薄SOI的双栅极 CMOS电容器以及制造方法。
技术介绍
可以将常规MOS (金属-氧化物半导体)电容器建模为平行板电容器。 在该类型的结构中，可以由金属或重掺杂的多晶硅(多晶)制造一个板， 以及由半导体制造一个板(例如，当MOS电容器在高正向偏置下时形成 的反型层)。使用绝缘体例如Si02或氧化物分离该两个板。在深缩放超 薄SOI (绝缘体上硅)器件中，在源极和漏极区域之下的绝缘层，例如， 氧化物，被制造的较薄以提高MOS晶体管的性能。虽然这导致更快的晶 体管，但是较薄的沟道区域和掺杂剂固体溶解度限制了可以在沟道中设置 的激活的掺杂剂的量。这导致电容器中的有效串联电阻变得相当大。从电 路的观点，这可以造成很多问题。更具体而言，在超薄SOIMOS器件中，由p型硅制造nMOS晶体管 的n沟道FET，并由n型硅制造pMOS晶体管的p沟道FET。重掺杂的 源极和漏极区域提供电极以接触之前提及的沟道区域。在SOI MOS器件 中，在沟道区域之下创建氧化物区域。氧化物区域电隔离器件的源极、漏 极、以及沟道区域与衬底。通过例如...
【技术保护点】
一种制造双栅极ＣＭＯＳ结构的方法，包括以下步骤：在绝缘层中形成掩埋的第一板；在所述绝缘层之上形成电对应所述第一板的第二板；以及在所述第一板与所述第二板之间提供隔离结构。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2005-7-19 11/160,9991.一种制造双栅极CMOS结构的方法，包括以下步骤在绝缘层中形成掩埋的第一板；在所述绝缘层之上形成电对应所述第一板的第二板；以及在所述第一板与所述第二板之间提供隔离结构。2. 根据权利要求l的方法，其中所述隔离结构在所述第一板之上形成 第一介质层。3. 根据权利要求l的方法，还包括掺杂所述隔离结构以在所述第一板 与所述第二板之间形成扩散区域。4. 根据权利要求1的方法，其中所述隔离结构厚度为约50A至400A。5. 根据权利要求3的方法，其中所述第一板和所述第二板中的任何一 个的高度为约1000A至2000A。6. 根据权利要求3的方法，其中所述隔离结构包括介质层和硅島，以 及所述绝缘层在所述第 一板与所述硅岛之间形成背板绝缘结构。7. 根据权利要求6的方法，其中在所述硅岛上热生长所述介质层。8. 根据权利要求6的方法，其中所述介质层和所述背板绝缘结构每一 个的厚度为约IOA到100人。9. 根据权利要求6的方法，还包括形成第一端子，所述第一端子被连接至所述第一板和所述硅岛的相对 的侧部，其中使用在所述硅岛上形成的扩散区域将所述第一端子连接至所 述硅岛的相对的侧部；以及形成连接至所述第二板的第二端子。10. 根据权利要求6的方法，还包括形成第一端子，所述第一端子被连接至在扩散区域处的所述硅岛的相 对的侧部；以及形成连接至所述第 一板和所述第二板的第二端子。11. 根据权利要求6的方法，还包括形成连接至所述硅岛的第一端子； 形成连接至所述第一板的第二端子；和 形成连接至所述第二板的第三端子；以及 将比所述第二端子或所述第三端子高的电势提供到所述第一端子。12. 根据权利要求6的方法，其中由在所述第一板与所述第二板之间 的,皮完全蚀刻掉的硅层形成所述隔离结构，以^Jl接在所述绝缘层上形成 所述第二板，以及还包括形成连接至所述第一板的第一端子；以及 形成连接至所述第二板的第二端子。13. 根据权利要求1的方法，还包括当所述板之间的所述硅体完全耗 尽时直接在所述第一板与所述第二板之间提供电容。14. 根据权利要求l的方法，还包括当相对于所述扩散区域中的一个扩散区域的短路在所述隔离结构上形 成的扩散区域的线路的电势使沟道反型时，在所述绝缘层的顶部之下形成 反型层；以及当所述线路的所述电势相对于所述一个扩散区域为高时，在所述绝缘 层的所述顶部之下形成堆积层。15. 根据权利要求l的方法，还包括 在所述绝缘层中形成至少另 一板；对应于所述绝缘层中的所述另 一板在所述绝缘层之上形成至少另一 板；以及在所述绝缘层中的所述至少另一板与在所述绝缘层之上的所述至少另 一板之间提供隔离岛和介质结构。16. —种制造双栅极CMOS结构的方法，包括以下步骤 在绝缘层中形成至少一个背板；在所述绝缘层之上形成对应所述至少一个背板的至少一个前板；以及 在所述至少 一个背板与所述前板之间提供介质结构。17. 根据权利要求16的方法，其中所述介质结构为背栅极介质层和前栅极介质层，所述前栅极介质被形成在基于硅的岛与所述至少 一个前板之 间。18. 根据权利要求17的方法，还包括掺杂在所述介质结构中形成的隔 离岛以形成扩散区域。19. 根据权利要求16的方法，还包括在所述至少 一个背板与所述前板之间的所述介质结构中形成硅层； 蚀刻部分所述硅层以形成对应于所述至少一个背板和所述至少一个前 板的隔离的島；以及掺杂部分所述隔离的岛以形成扩散区...
【专利技术属性】
技术研发人员：A布赖恩特，EJ诺瓦克，RQ威廉姆斯，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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