至少一对间隔的应力区之间包括应变超晶格的半导体器件以及相关方法技术

一种半导体器件，可以包括至少一对间隔的应力区（２２７，２２８），以及位于该至少一对间隔的应力区之间并且包括多个层叠层组的应变超晶格层（２２５）。应变超晶格层的每个层组可以包括限定基础半导体部分的多个层叠基础半导体单层，以及限制在相邻基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】至少 一 对间隔的应力区之间包括应变超晶格 的半导体器件以及相关方法
Wang等人的美国专利5,357,119号公开一种具有通过减 少扩散在超晶格中的合金而实现的较高迁移率的Si-Ge短周期超晶 格。按照如此方法，Candelaria的美国专利5,683,934号公开一种包 括通道层的增强迁移率MOSFET,通道层包含硅与以将通道层置于拉伸应力下的百分比替代地存在于硅晶格中的第二金属的合金。 Wang、 Tsu和Lofgren的7>开国际申请WO 02/103,767 Al公开一种由薄的硅和氧、碳、氮、磷、锑、砷或氢制成的势垒构 建块，从而减小垂直流过晶格的电流多于四个数量级。绝缘层/势垒 层允许低缺陷的外延硅紧靠着绝缘层而沉积。 Mears等人的公开英国专利申请2，347，520公开，非周期 光子带隙(APBG)结构的原理可以适用于电子带隙工程。特别地， 该申请公开可以设计材料参数，例如能带最小值的位置、有效质量等 以产生具有期望能带结构特征的新的非周期材料。其他参数，例如电 导率、热导率和介电常数或磁导率公开为也能够设计到材料中。尽管关于材料工程进行大量努力以增加半导本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：至少一对间隔的应力区；以及位于所述至少一对间隔的应力区之间并且包括多个层叠层组的应变超晶格层；所述应变超晶格层的每个层组包括限定基础半导体部分的多个层叠基础半导体单层，以及限制在相邻基础半导体部 分的晶格内的至少一个非半导体单层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2005-7-15 60/699,949;US 2006-7-13 11/457,269;US1.一种半导体器件，包括至少一对间隔的应力区；以及位于所述至少一对间隔的应力区之间并且包括多个层叠层组的应变超晶格层；所述应变超晶格层的每个层组包括限定基础半导体部分的多个层叠基础半导体单层，以及限制在相邻基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层。2. 根据权利要求1的半导体器件，其中所述至少一对间隔的应 力区包括至少一对源极和漏极区。3. 根据权利要求1的半导体器件，其中所述应力区的至少一个 具有与所述应变超晶格的相对部分相邻的倾斜表面。4. 根据权利要求1的半导体器件，其中所述应力区的至少一个 包括硅和锗。5. 根据权利要求1的半导体器件，还包括位于所述至少一对间 隔的应力区以及所述应变超晶格层下面的半导体衬底。6. 根据权利要求1的半导体器件，其中所述应变超晶格层具有 压缩应变。7. 根据权利要求1的半导体器件，其中所述应变超晶格层具有 拉伸应变。8. 根据权利要求1的半导体器件，其中每个基础半导体部分包 括选自IV族半导体、III-V族半导体和II-VI族半导体的基础半导 体。9. 根据权利要求1的半导体器件，其中每个非半导体单层包括 选自氧、氮、氟和碳-氧的非半导体。10. 根据权利要求1的半导体器件，其中相邻基础半导体部分化 学地结合在一起。11. 根据权利要求1的半导体器件，其中每个非半导体单层是单个单层厚。12. 根据权利要求l的半导体器件，其中每个基础半导体部分小 于八个单层厚。13. 根据权利要求1的半导体器件，其中所述应变超晶格层还包 括位于最高层组上面的基础半导体盖层。14. 一种半导体器件，包括 至少一对间隔的应力区；以及位于所述至少一对间隔的应力区之间并且包括多个层叠的基础半 导体部分和限制在相邻基础半导体部分的晶格内的至少一个...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗伯特J梅尔斯，斯科特A柯瑞普斯，
申请(专利权)人：梅尔斯科技公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]