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一种半导体器件，可以包括至少一对间隔的应力区（２２７，２２８），以及位于该至少一对间隔的应力区之间并且包括多个层叠层组的应变超晶格层（２２５）。应变超晶格层的每个层组可以包括限定基础半导体部分的多个层叠基础半导体单层，以及限制在相邻基础半导...
该专利属于梅尔斯科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过梅尔斯科技公司授权不得商用。

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