半导体单晶成长坩埚制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体单晶成长坩埚，其从下至上包括晶种培育段、晶种复壮段、晶种成长段，晶种培育段、晶种复壮段、晶种成长段相连通；所述晶种培育段为具有半球形尖端的圆锥体；所述晶种复壮段包括半椭圆体和下圆台体，半椭圆体与晶种培育段的侧部通过曲线面平滑对接，半椭圆体与下圆台体侧部平滑对接；所述晶种成长段包括上圆台体、圆柱体，上圆台体与下圆台体侧部平滑对接，上圆台体与圆柱体侧部平滑对接。通过本实用新型专利技术所述半导体单晶成长坩埚其通过形状来限制单晶体晶种的成长过程和速度，其所培育出的单晶体成品率高。其所培育出的单晶体成品率高。其所培育出的单晶体成品率高。

【技术实现步骤摘要】
半导体单晶成长坩埚


[0001]本技术涉及模具，特别涉及半导体单晶成长坩埚。

技术介绍

[0002]自然界的物质、材料按导电能力大小可分为导体、半导体和绝缘体三大类。半导体的电阻率在1mΩ
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cm～1GΩ
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cm范围。
[0003]Ⅲ‑Ⅴ
族化合物及砷化镓单晶半导体衬底材料，产品主要应用于移动电话、卫星广播、雷达系统、激光器、光纤通讯、射线及光探测器、航天太阳能等领域。半导体材料以砷、镓原材料经过两步1240
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1250℃加热生产加工而成，原料需要在真空环境下高温焙烧，生成砷化镓多晶中间体，砷化镓多晶中间体在真空环境下再次通过加热生成砷化镓单晶半导体。砷化镓单晶半导体的生产过程，原料需要装入模具中，模具中加入单晶籽晶，即种子，模具摆放到石英管中，然后对石英管进行真空加热，晶体在种子的诱导下生长成单晶。模具的形状决定了晶体的成长速度，决定了晶体的成品率。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于解决上述问题，提供半导体单晶成长坩埚，其通过坩埚形状来限制晶体的成本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.半导体单晶成长坩埚，其特征在于，其从下至上包括晶种培育段、晶种复壮段、晶种成长段，晶种培育段、晶种复壮段、晶种成长段相连通；所述晶种培育段为具有半球形尖端的圆锥体；所述晶种复壮段包括半椭圆体和下圆台体，半椭...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘卫国，周文婉，李志高，
申请(专利权)人：朝阳通美晶体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：