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本实用新型涉及半导体单晶成长坩埚，其从下至上包括晶种培育段、晶种复壮段、晶种成长段，晶种培育段、晶种复壮段、晶种成长段相连通；所述晶种培育段为具有半球形尖端的圆锥体；所述晶种复壮段包括半椭圆体和下圆台体，半椭圆体与晶种培育段的侧部通过曲线面...
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