碲锌镉薄膜太阳能电池制造技术

技术编号:3171805 阅读:501 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开了一种碲锌镉薄膜太阳能电池,该电池包括:玻璃衬底,在玻璃衬底上依次沉积有透明导电氧化物前电极层、n型CdS窗口层、p型Cd↓[1-x]Zn↓[x]Te吸收层、P型ZnTe∶Cu背接触电极层。本发明专利技术的优点是:p型Cd↓[1-x]Zn↓[x]Te吸收层是一个渐变带隙的吸收层,通过渐变带隙来拓宽太阳能电池的响应波段。利用P型Cd↓[1-x]Zn↓[x]Te吸收层具有较低的功函数特征,当其与背接触电极层ZnTe∶Cu结合时,能有效解决其欧姆接触问题,从而提高了这种电池的光电转换效率和稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体薄膜太阳能电池,具体是指一种碲锌镉(CdZnTe)薄膜 太阳能电池的结构设计。技术背景随着化石燃料逐渐枯竭及化石燃料燃烧引起的日趋严重的环境污染,太阳能 电池作为一种清洁的、没有任何污染的能源正越来越受到世界各国的关注和极 大的重视。太阳能电池是一种利用光生伏特效应将太阳能直接转化为电能的器 件。迄今为止,己研制出了很多种类的太阳能电池。包括单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池、非晶硅太阳能电池、化合物半导体太阳能电池等。经过多 年的探索,人们将注意的目光逐渐转向薄膜太阳能电池。目前薄膜太阳能电池主要有pc-Si薄膜太阳能电池、CuInGaSe薄膜太阳能电池和CdTe薄膜太阳能电 池。CdTe薄膜太阳能电池的基本结构为透明导电氧化物前电极/n型硫化镉窗 口层/p型碲化镉吸收层/背电极,背电极常采用掺铜的石墨。然而,由于p型碲 化镉与背电极之间难以形成良好的欧姆接触,已成为发展这类电池急需解决的 关键技术问题。人们已经尝试了用各种金属材料如Cu、 Hg、 Pb和Au作为背电 极,结果是它们与p型碲化镉吸收层之间的互扩散降低了电池的性能。又由于 CdTe具有自补偿本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种碲锌镉薄膜太阳能电池,包括:玻璃衬底(1),其特征在于:在玻璃衬底(1)上依次沉积有透明导电氧化物薄膜前电极层(2)、n型CdS窗口层(3)、p型Cd↓[1-x]Zn↓[x]Te吸收层(4)、P型ZnTe:Cu背接触电极层(5)。

【技术特征摘要】
1. 一种碲锌镉薄膜太阳能电池,包括玻璃衬底(1),其特征在于在玻璃衬底(1)上依次沉积有透明导电氧化物薄膜前电极层(2)、n型CdS窗口层(3)、p型Cd1-xZnxTe吸收层(4)、P型ZnTe:Cu背接触电极层(5)。2. 根据权利要求l的一种碲锌镉薄膜太阳能电池,其特征在于所说的透 明导电氧化物薄膜是ITO、 Sn02:F、 ZnO:Al中的一种。3. 根据权利要求1的一种碲锌镉薄膜太阳能电池,其特征在于所说的p 型Cdi.xZnxTe吸收层(4)中的Zn组分x值在其厚度方向渐变,形成一个渐变 带隙结构的CdLxZiWTe吸收层。4. 根...

【专利技术属性】
技术研发人员:褚君浩江锦春石富文
申请(专利权)人:上海太阳能电池研究与发展中心
类型:发明
国别省市:31[中国|上海]

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