一种芯片封装用多基岛碳化硅功率开关管制造技术

本发明专利技术涉及开关管技术领域，且公开了一种芯片封装用多基岛碳化硅功率开关管，包括封装外壳，所述封装外壳的内部设置有第一基岛、第二基岛、第三基岛和第四基岛，所述第一基岛的正面设置有碳化硅芯片，所述第二基岛的正面设置有硅基MOS芯片，所述第一基岛、第二基岛、第三基岛和第四基岛的侧表面均设置有外接引脚。该芯片封装用多基岛碳化硅功率开关管，通过将碳化硅芯片安装在第一基岛的正面，从而可以将其安装在尺寸较小的DFN5060封装内部，进而实现将产品进行小型化。现将产品进行小型化。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片封装用多基岛碳化硅功率开关管


[0001]本专利技术涉及开关管
，具体为一种芯片封装用多基岛碳化硅功率开关管。

技术介绍

[0002]功率开关管能承受较大电流，漏电流较小，在一定条件下有较好饱和导通及截止特性，可不太考虑其放大性能，其控制极与基极电流大小或方向有关电流经集电极和发射极，方向具体要看是NPN还是PNP管，场效应管一般做电子开关用，控制与极性有关。
[0003]因DFN5060封装的尺寸较小，且DFN5060封装的小尺寸符合电源产品小型化的发展趋势，但是现有高压硅MOS(特指600V以上耐压，内阻小于400mohm的MOS)的晶圆面积较大，无法放进该封装内部，因此需要提出一种芯片封装用多基岛碳化硅功率开关管来解决上述所出现的问题。

技术实现思路

[0004](一)解决的技术问题
[0005]针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种芯片封装用多基岛碳化硅功率开关管，具备将碳化硅芯片安装在基岛上，进而可以将其装入尺寸较小的DFN5060封装内部，进而可以符合电源产品小型化的发展趋势等优点，解本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片封装用多基岛碳化硅功率开关管，包括封装外壳(1)，其特征在于：所述封装外壳(1)的内部设置有第一基岛(3)、第二基岛(4)、第三基岛(5)和第四基岛(6)，所述第一基岛(3)的正面设置有碳化硅芯片(7)，所述第二基岛(4)的正面设置有硅基MOS芯片(8)，所述第一基岛(3)、第二基岛(4)、第三基岛(5)和第四基岛(6)的侧表面均设置有外接引脚(9)。2.根据权利要求1所述的一种芯片封装用多基岛碳化硅功率开关管，其特征在于：所述第一基岛(3)位于封装外壳(1)内部的右侧，所述第二基岛(4)、第三基岛(5)和第四基岛(6)均位于封装外壳(1)内部的左侧，所述第一基岛(3)位于第二基岛(4)的右侧。3.根据权利要求1所述的一种芯片封装用多基岛碳化硅功率开关管，其特征在于：所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭钰，
申请(专利权)人：彭钰，
类型：发明
国别省市：