功率模块及封装功率模块的方法技术

本发明专利技术公开了一种功率模块及封装功率模块的方法，属于电子功率器件技术领域，所述功率模块包括：框架，框架上设有多个引脚；基板，基板嵌设于框架中；二极管单元和IGBT单元，二极管单元和IGBT单元间隔设于基板上，其中，二极管单元的阳极与IGBT单元的集电极并联共同与一个引脚电性连接，二极管单元的阴极、IGBT单元的发射极、IGBT单元的门极分别与多个引脚中其余的一个电性连接。根据本发明专利技术的功率模块，将IGBT单元和二极管单元集成到一个功率模块中，大大减小了控制器PCB板的面积，同时使得功率模块的走线更方便，此外将功率模块应用于电路中时，定位难度大大减小，能够提高生产效率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
功率模块及封装功率模块的方法


[0001]本专利技术属于电子功率器件
，具体而言，涉及一种功率模块及封装功率模块的方法。

技术介绍

[0002]为了提高用电设备的效率，常常需要为用电设备提供电能的电源进行功率因数校正(PowerFactorCorrection，PFC)。其中，功率因数是衡量用电设备用电效率的参数，通常是指有效功率除以视在功率的比值。功率因数值越大，则用电设备用电效率越高。提高用电设备的功率因数的技术就称为功率因数校正。传统方法中，采用有源功率因数校正升压斩波电路(Boost升压电路)进行功率因数校正。相关技术中控制器上PFC电路主流方案采用分立器件的绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)+二极管的方式实现。该方案所占控制器印刷电路板的面积较大，成本较高；且控制器布线难度大，延长走线距离，会加大寄生参数。另外，电磁兼容问题较难解决；模块的定位及安装难度大，生产效率低。

技术实现思路

[0003]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率模块，其特征在于，包括：框架，所述框架上设有多个引脚；基板，所述基板嵌设于所述框架中；二极管单元和IGBT单元，所述二极管单元和所述IGBT单元间隔设于所述基板上，其中，所述二极管单元的阳极与所述IGBT单元的集电极并联共同与一个所述引脚电性连接，所述二极管单元的阴极、所述IGBT单元的发射极、所述IGBT单元的门极分别与所述多个引脚中其余的一个电性连接。2.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述多个引脚为第一引脚、第二引脚、第三引脚以及第四引脚，所述功率模块还包括：第一导电层和第二导电层，所述第一导电层和所述第二导电层间隔设于所述基板上，其中，所述第一导电层与所述第一引脚电性连接，所述第二导电层与所述第二引脚电性连接，所述二极管单元设于所述第一导电层上，所述二极管单元的阴极与所述第一导电层电性连接，所述IGBT单元设于所述第二导电层上，所述IGBT单元的集电极与所述第二导电层电性连接，所述IGBT单元的发射极与所述第三引脚电性连接，所述IGBT单元的门极与所述第四引脚电性连接。3.根据权利要求2所述的功率模块，其特征在于，还包括：第一导电臂，所述第一导电臂设于所述基板上且与所述第二导电层间隔相对，所述第一导电臂与所述第三引脚电性连接；第二导电臂，所述第二导电臂设于所述基板上且与所述第二导电层间隔相对，所述第二导电臂与所述第四引脚电性连接，其中，所述IGBT单元的发射极与所述第一导电臂电性连接，所述IGBT单元的门极与所述第二导电臂电性连接。4.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述第一引脚、所述第二引脚、所述第三引脚以及所述第四引脚位于所述框架的同侧且间隔并排布置。5.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述基板包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋蒙恩，许敏，雷龙，颜权枫，方明占，瞿浩，
申请(专利权)人：珠海格力电器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：