内埋式封装结构制造技术

本发明专利技术的实施例提供了一种内埋式封装结构，包括：引线架，具有第一面以及与第一面相对的第二面，焊接掩模设置为邻近第二面，焊接掩模介于第一面和第二面之间。本发明专利技术的目的在于提供一种内埋式封装结构，以增加内埋式封装结构的良率。构的良率。构的良率。

【技术实现步骤摘要】
内埋式封装结构


[0001]本申请的实施例涉及内埋式封装结构。

技术介绍

[0002]对于内埋式封装结构，特别是适用于高功率的电源模块(Power Module)的内埋式封装结构，常以引线架(Lead Frame，LF)为基底制作。关于这种高功率组件，对于爬电距离(creepage distance)卡控比较严格，因此引线架侧壁不能暴露。目前针对此问题，会在背面处以焊接掩模(solder mask，SM)全填来包覆引线架侧壁，虽然引线架在先前制程已被部分蚀刻，但剩余引线架仍有不低的厚度，使得后续SM填充很厚，进而影响热性能。再者对于较厚的SM，在曝光过程中可能因厚度造成产品良率上的损失。

技术实现思路

[0003]针对相关技术中存在的问题，本专利技术的目的在于提供一种内埋式封装结构，以增加内埋式封装结构的良率。
[0004]为实现上述目的，本专利技术的实施例提供了一种内埋式封装结构，包括：引线架，具有第一面以及与第一面相对的第二面，焊接掩模设置为邻近第二面，焊接掩模介于第一面和第二面之间。
[0005]在一些实施例中，引线架具有介于第一面和第二面之间的第三面，第三面距第二面比距第一面更近。
[0006]在一些实施例中，第三面比第二面低。
[0007]在一些实施例中，引线架还包括由第三面延伸至第一面的第五面，焊接掩模覆盖第五面的第一部分。
[0008]在一些实施例中，还包括：介电层，覆盖第一面和第五面的第二部分。
[0009]在一些实施例中，介电层和焊接掩模直接接触。
[0010]在一些实施例中，介电层和焊接掩模的外侧壁共面。
[0011]在一些实施例中，第二部分的面积大于第一部分的面积。
[0012]在一些实施例中，还包括：保护层，位于第二面上。
[0013]在一些实施例中，保护层覆盖第三面的第三部分。
[0014]在一些实施例中，引线架还包括从第二面延伸至第三面的第四面，保护层还覆盖第四面。
[0015]在一些实施例中，焊接掩模的厚度小于第四面的高度。
[0016]在一些实施例中，焊接掩模覆盖第三面的第四部分，第四部分的面积大于第三部分的面积。
[0017]在一些实施例中，引线架包括从第二面朝向第一面凹陷的阶梯结构，焊接掩模设置在阶梯结构上。
[0018]在一些实施例中，还包括：线路层，引线架的第一面面向线路层；电子元件，位于由
引线架和线路层围成的腔中，电子元件电连接至线路层并且通过线路层电连接至引线架。
[0019]在一些实施例中，腔相对于第一面凹陷。
[0020]在一些实施例中，还包括：粘合层，位于电子元件和引线架之间，电子元件的主动面面向线路层并且背向粘合层。
[0021]在一些实施例中，介电层位于腔中，并且位于电子元件与线路层之间。
[0022]在一些实施例中，介电层是模制化合物。
[0023]在一些实施例中，引线架的材料包括铜。
附图说明
[0024]当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本专利技术的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。
[0025]图1至图3示出了现有的内埋式封装结构的示意图。
[0026]图4至图16示出了根据本申请实施例的内埋式封装结构及其形成过程。
具体实施方式
[0027]为更好的理解本申请实施例的精神，以下结合本申请的部分优选实施例对其作进一步说明。
[0028]本申请的实施例将会被详细的描示在下文中。在本申请说明书全文中，将相同或相似的组件以及具有相同或相似的功能的组件通过类似附图标记来表示。在此所描述的有关附图的实施例为说明性质的、图解性质的且用于提供对本申请的基本理解。本申请的实施例不应该被解释为对本申请的限制。
[0029]如本文中所使用，术语“大致”、“大体上”、“实质”及“约”用以描述及说明小的变化。当与事件或情形结合使用时，所述术语可指代其中事件或情形精确发生的例子以及其中事件或情形极近似地发生的例子。举例来说，当结合数值使用时，术语可指代小于或等于所述数值的
±
10％的变化范围，例如小于或等于
±
5％、小于或等于
±
4％、小于或等于
±
3％、小于或等于
±
2％、小于或等于
±
1％、小于或等于
±
0.5％、小于或等于
±
0.1％、或小于或等于
±
0.05％。举例来说，如果两个数值之间的差值小于或等于所述值的平均值的
±
10％(例如小于或等于
±
5％、小于或等于
±
4％、小于或等于
±
3％、小于或等于
±
2％、小于或等于
±
1％、小于或等于
±
0.5％、小于或等于
±
0.1％、或小于或等于
±
0.05％)，那么可认为所述两个数值“大体上”相同。
[0030]在本说明书中，除非经特别指定或限定之外，相对性的用词例如：“中央的”、“纵向的”、“侧向的”、“前方的”、“后方的”、“右方的”、“左方的”、“内部的”、“外部的”、“较低的”、“较高的”、“水平的”、“垂直的”、“高于”、“低于”、“上方的”、“下方的”、“顶部的”、“底部的”以及其衍生性的用词(例如“水平地”、“向下地”、“向上地”等等)应该解释成引用在讨论中所描述或在附图中所描示的方向。这些相对性的用词仅用于描述上的方便，且并不要求将本申请以特定的方向建构或操作。
[0031]另外，有时在本文中以范围格式呈现量、比率和其它数值。应理解，此类范围格式是用于便利及简洁起见，且应灵活地理解，不仅包含明确地指定为范围限制的数值，而且包
含涵盖于所述范围内的所有个别数值或子范围，如同明确地指定每一数值及子范围一般。
[0032]再者，为便于描述，“第一”、“第二”、“第三”等等可在本文中用于区分一个图或一系列图的不同组件。“第一”、“第二”、“第三”等等不意欲描述对应组件。
[0033]图1示出了现有的内埋式封装结构的结构示意图，其中，焊接掩模10设置在引线架12的角部以包封引线架12的侧壁。在这种结构中，焊接掩模10还覆盖在引线架12的底面上，使得后续将内埋式封装结构设置在散热片(heat sink)上时，二者之间需要填充较多的金属件化合物(TIM)，影响散热。
[0034]图2至图3示出了现有的解决上述问题的方法，其中图2和图3是图1所示的内埋式封装结构的角部的放大图。参见图2，使用光刻掩模20图案化焊接掩模10，得到图3所示的图案化后的焊接掩模10。将焊接掩模10图案化后，解决了散热问题，但是这样的处理使得引线架12的侧面暴露，容易被氧化或腐蚀，并且本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种内埋式封装结构，其特征在于，包括：引线架，具有第一面以及与所述第一面相对的第二面，焊接掩模设置为邻近所述第二面，所述焊接掩模介于所述第一面和所述第二面之间。2.根据权利要求1所述的内埋式封装结构，其特征在于，所述引线架具有介于所述第一面和所述第二面之间的第三面，所述第三面距所述第二面比距所述第一面更近。3.根据权利要求2所述的内埋式封装结构，其特征在于，所述引线架还包括由所述第三面延伸至所述第一面的第五面，所述焊接掩模覆盖所述第五面的第一部分。4.根据权利要求3所述的内埋式封装结构，其特征在于，还包括：介电层，覆盖所述第一面和所述第五面的第二部分。5.根据权利要求4所述的内埋式封装结构，其特征在于，所述介电层和所述焊接掩模直接接触，所述介电层和所述焊接掩模的外侧壁共面。6.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢慧英，邱基综，陈证元，丁铨佑，蔡忠信，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：