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本发明涉及开关管技术领域，且公开了一种芯片封装用多基岛碳化硅功率开关管，包括封装外壳，所述封装外壳的内部设置有第一基岛、第二基岛、第三基岛和第四基岛，所述第一基岛的正面设置有碳化硅芯片，所述第二基岛的正面设置有硅基MOS芯片，所述第一基岛、...
该专利属于彭钰所有，仅供学习研究参考，未经过彭钰授权不得商用。

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