【技术实现步骤摘要】
发光层图案化方法及发光二极管器件的制备方法
[0001]本公开的实施例涉及发光层图案化方法及发光二极管器件的制备方法。
技术介绍
[0002]发光二极管(Light Emitting Diodes,LED)是一种常用的发光器件,其通过电子与空穴复合释放能量发光。发光二极管可高效地将电能转化为光能,在现代社会具有广泛的用途,如照明、平板显示、医疗器件等。例如,发光二极管可包括但不限于有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED) 和量子点发光二极管(Quantum Dots Light Emitting Diode,QLED)等。
[0003]量子点是一种可以把激子在三维空间上束缚住的半导体纳米材料。由于其具有高的量子效率、窄的激发光谱、很高的光稳定性,较长的荧光寿命以及良好的溶液加工兼容性等优异特性,在高色彩质量显示方面有着巨大的应用潜力。量子点发光二极管是以量子点作为发光材料的器件,与液晶显示器件相比,色域更高,色彩显示效果更佳,与有机发光二极管 (OLED)相比也有一定的优越 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光层图案化方法,包括:提供衬底基板;在所述衬底基板上形成第一电极层;在所述第一电极层上形成牺牲层;对所述牺牲层构图,以在所述衬底基板上的第一区域中去除所述牺牲层,在所述衬底基板上的第二区域中保留牺牲层,其中,所述第一电极层至少部分位于所述第一区域中;在所述第一区域和所述第二区域中形成第一载流子辅助层;在所述第一载流子辅助层上形成发光层,其中,所述发光层至少在所述第一区域中通过所述第一载流子辅助层与所述第一电极层耦接;和去除位于所述第二区域中的保留的牺牲层以及覆盖在所述保留的所述牺牲层上的所述第一载流子辅助层和所述发光层,并且在所述第一区域中保留所述第一载流子辅助层和所述发光层,以对所述发光层图案化。2.如权利要求1所述的方法,还包括:在所述衬底基板上形成所述第一电极层之后以及在所述第一电极层上形成所述牺牲层之前,在所述衬底基板以及所述第一电极层上形成像素定义层,其中,所述像素定义层包括至少一个像素定义开口,所述至少一个像素定义开口至少部分暴露所述第一电极层,且所述第一区域与所述至少一个像素定义开口至少部分重叠。3.如权利要求1所述的方法,其中,所述对所述牺牲层构图包括:在所述牺牲层上形成第一光刻胶层,对所述第一光刻胶层进行曝光和显影,以在所述第一区域中去除所述第一光刻胶层,在所述第二区域中保留所述第一光刻胶层,以得到第一光刻胶图案,使用所述第一光刻胶图案对于所述牺牲层构图,以在所述衬底基板上的第一区域中去除所述牺牲层;并且,所述去除位于所述第二区域中的所述保留的牺牲层以及覆盖在所述保留的牺牲层上的所述第一载流子辅助层和所述发光层包括:随所述第二区域中的所述保留的牺牲层以及覆盖在所述保留的牺牲层上的所述第一载流子辅助层和所述发光层一并去除在所述第二区域中保留的所述第一光刻胶层。4.如权利要求3所述的方法,其中,使用所述第一光刻胶图案对于所述牺牲层构图包括:使用所述第一光刻胶图案通过干法刻蚀对所述牺牲...
【专利技术属性】
技术研发人员:张晓远,孟虎,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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