发光层图案化方法及发光二极管器件的制备方法技术

一种发光层图案化方法以及发光二极管器件的制备方法。该发光层图案化方法包括：提供衬底基板；在衬底基板上形成第一电极层；在第一电极层上形成牺牲层；对牺牲层构图，以在衬底基板上的第一区域中去除牺牲层，在衬底基板上的第二区域中保留牺牲层，其中，第一电极层至少部分位于第一区域中；在第一区域和第二区域中形成第一载流子辅助层；在第一载流子辅助层上形成发光层；和去除位于第二区域中的保留的牺牲层以及覆盖在该保留的牺牲层上的第一载流子辅助层和发光层，并且在第一区域中保留第一载流子辅助层和发光层，以对发光层图案化。还提供了一种发光二极管器件的制备方法。化。还提供了一种发光二极管器件的制备方法。化。还提供了一种发光二极管器件的制备方法。

【技术实现步骤摘要】
发光层图案化方法及发光二极管器件的制备方法


[0001]本公开的实施例涉及发光层图案化方法及发光二极管器件的制备方法。

技术介绍

[0002]发光二极管(Light Emitting Diodes，LED)是一种常用的发光器件，其通过电子与空穴复合释放能量发光。发光二极管可高效地将电能转化为光能，在现代社会具有广泛的用途，如照明、平板显示、医疗器件等。例如，发光二极管可包括但不限于有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED) 和量子点发光二极管(Quantum Dots Light Emitting Diode，QLED)等。
[0003]量子点是一种可以把激子在三维空间上束缚住的半导体纳米材料。由于其具有高的量子效率、窄的激发光谱、很高的光稳定性，较长的荧光寿命以及良好的溶液加工兼容性等优异特性,在高色彩质量显示方面有着巨大的应用潜力。量子点发光二极管是以量子点作为发光材料的器件，与液晶显示器件相比，色域更高，色彩显示效果更佳，与有机发光二极管 (OLED)相比也有一定的优越性，所以量子点发光器件有望成为重要的下一代显示技术。
[0004]近些年来，随着量子点材料性能的不断提升，以及电致发光器件的不断优化，无论是在效率方面，还是在发光的寿命方面，都已经取得了很大的进展。截止到目前，红色量子点发光器件最高效率已经超过40cd/A，绿色器件超过120cd/A，蓝色器件也已经超过17cd/A。在寿命方面，红色量子点器件在100nits下的寿命T50已经达到220万小时，未来随着材料性能的进一步提升，量子点发光技术必然会有更好的发展。

技术实现思路

[0005]本公开至少一实施例提供了一种发光层图案化方法，包括：提供衬底基板；在衬底基板上形成第一电极层；在第一电极层上形成牺牲层；对牺牲层构图，以在衬底基板上的第一区域中去除牺牲层，在衬底基板上的第二区域中保留牺牲层，其中，第一电极层至少部分位于该第一区域中；在第一区域和第二区域中形成第一载流子辅助层；在第一载流子辅助层上形成发光层，其中该发光层至少在第一区域中通过该第一载流子辅助层与第一电极层耦接；去除位于第二区域中的保留的牺牲层以及覆盖在该保留的牺牲层上的第一载流子辅助层和发光层，并且在第一区域中保留第一载流子辅助层和发光层，以对该发光层图案化。
[0006]在一些实施例中，所述发光层图案化方法还包括：在于衬底基板上形成第一电极层之后以及在于该第一电极层上形成牺牲层之前，在衬底基板以及第一电极层上形成像素定义层，其中，该像素定义层包括至少一个像素定义开口，该至少一个像素定义开口至少部分暴露第一电极层，且第一区域与该至少一个像素定义开口至少部分重叠。
[0007]在一些实施例中，所述对牺牲层构图包括：在牺牲层上形成第一光刻胶层，对该第一光刻胶层进行曝光和显影，以在第一区域中去除第一光刻胶层，在第二区域中保留第一光刻胶层，以得到第一光刻胶图案，使用该第一光刻胶图案对于牺牲层构图，以在衬底基板
上的第一区域中去除牺牲层；并且，所述去除位于第二区域中的保留的牺牲层以及覆盖在该保留的牺牲层上的第一载流子辅助层和发光层包括：随第二区域中保留的牺牲层以及覆盖在该保留的牺牲层上的第一载流子辅助层和发光层一并去除在第二区域中保留的第一光刻胶层。
[0008]在一些实施例中，所述使用第一光刻胶图案对于牺牲层构图包括：使用第一光刻胶图案通过干法刻蚀对牺牲层构图。
[0009]在一些实施例中，所述发光层为量子点层。
[0010]在一些实施例中，所述牺牲层由有机材料形成，且该有机材料选自以下材料中的一种或多种：芴类材料、咔唑类材料、苝类材料和芳香酸类材料。
[0011]在一些实施例中，所述有机材料选自以下中的一种或多种：二溴氨基芴、二溴二甲氨基丙基芴、溴代咔唑、双醛基咔唑、羟基咔唑、氨基萘酰亚胺、聚乙烯吡咯烷酮、二羟基菲啰啉、二辛基四羧基二酰亚胺、异丙基苯基苝四甲酰二亚胺、富勒烯苯甲酸、富勒烯磷酸和对乙基苯甲酸。
[0012]在一些实施例中，所述去除位于第二区域中保留的牺牲层以及覆盖在该保留的牺牲层上的第一载流子辅助层和发光层包括：使用有机溶剂去除位于第二区域内的保留的牺牲层以及覆盖在该保留的牺牲层上的第一载流子辅助层和发光层，其中，该有机溶剂为选自醇溶剂中的一种或多种。
[0013]在一些实施例中，所述醇溶剂为选自乙醇、丙醇、异丙醇、正丁醇、异丁醇、正戊醇、异戊醇或其任意混合物中的一种或多种。
[0014]在一些实施例中，所述第一电极层为阴极层，并且所述第一载流子辅助层为电子传输层。
[0015]在一些实施例中，所述阴极层为ITO层，所述电子传输层为氧化锌层。
[0016]在一些实施例中，所述牺牲层的厚度大于所述第一载流子辅助层的厚度与所述发光层的厚度之和。
[0017]本公开至少一实施例还提供了一种发光二极管器件的制备方法，该方法包括：使用如以上任一实施例所述的发光层图案化方法形成一个包括图案化的发光层的元件单元或多个并列的包括图案化的发光层的元件单元。
[0018]在一些实施例中，所述多个元件单元的图案化的发光层的发光材料彼此不同。
[0019]在一些实施例中，所述发光二极管器件的制备方法还包括：在一个或多个并列的包括图案化的发光层的元件单元上依次形成第二载流子辅助层和第二电极层。
附图说明
[0020]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。
[0021]图1为根据本公开的一个实施例的发光层图案化方法的流程图；
[0022]图2为根据本公开另一个实施例的发光层图案化方法的分解示意图；
[0023]图3为根据本公开一个对比例的发光层图案化方法的分解示意图；
[0024]图4为根据本公开又一个实施例的发光层图案化方法的分解示意图；
[0025]图5A为根据本公开再一个实施例的发光层图案化方法的分解示意图；
[0026]图5B为图5A所示的实施例中形成的像素定义层的示意图；
[0027]图6为根据本公开的一个实施例的发光二极管器件的制备方法的流程图；
[0028]图7为具有通过图2所示实施例的发光层图案化方法得到的图案化的发光层的发光器件与具有通过图3所示对比例的发光层图案化方法得到的图案化的发光层的发光器件的性能对比图；
[0029]图8为根据本公开的一个实施例的发光二极管器件的剖面图；
[0030]图9是根据本公开的一个实施例的电子基板的结构示意图。
具体实施方式
[0031]为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光层图案化方法，包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上形成第一电极层；在所述第一电极层上形成牺牲层；对所述牺牲层构图，以在所述衬底基板上的第一区域中去除所述牺牲层，在所述衬底基板上的第二区域中保留牺牲层，其中，所述第一电极层至少部分位于所述第一区域中；在所述第一区域和所述第二区域中形成第一载流子辅助层；在所述第一载流子辅助层上形成发光层，其中，所述发光层至少在所述第一区域中通过所述第一载流子辅助层与所述第一电极层耦接；和去除位于所述第二区域中的保留的牺牲层以及覆盖在所述保留的所述牺牲层上的所述第一载流子辅助层和所述发光层，并且在所述第一区域中保留所述第一载流子辅助层和所述发光层，以对所述发光层图案化。2.如权利要求1所述的方法，还包括：在所述衬底基板上形成所述第一电极层之后以及在所述第一电极层上形成所述牺牲层之前，在所述衬底基板以及所述第一电极层上形成像素定义层，其中，所述像素定义层包括至少一个像素定义开口，所述至少一个像素定义开口至少部分暴露所述第一电极层，且所述第一区域与所述至少一个像素定义开口至少部分重叠。3.如权利要求1所述的方法，其中，所述对所述牺牲层构图包括：在所述牺牲层上形成第一光刻胶层，对所述第一光刻胶层进行曝光和显影，以在所述第一区域中去除所述第一光刻胶层，在所述第二区域中保留所述第一光刻胶层，以得到第一光刻胶图案，使用所述第一光刻胶图案对于所述牺牲层构图，以在所述衬底基板上的第一区域中去除所述牺牲层；并且，所述去除位于所述第二区域中的所述保留的牺牲层以及覆盖在所述保留的牺牲层上的所述第一载流子辅助层和所述发光层包括：随所述第二区域中的所述保留的牺牲层以及覆盖在所述保留的牺牲层上的所述第一载流子辅助层和所述发光层一并去除在所述第二区域中保留的所述第一光刻胶层。4.如权利要求3所述的方法，其中，使用所述第一光刻胶图案对于所述牺牲层构图包括：使用所述第一光刻胶图案通过干法刻蚀对所述牺牲...

【专利技术属性】
技术研发人员：张晓远，孟虎，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：