本实用新型专利技术公开一种陶瓷加工污水净化装置，包括第一沉淀池、第二沉淀池及第三沉淀池。第二沉淀池与第一沉淀池之间设有第一隔墙，第一隔墙的高度为允许水流由第一沉淀池流至第二沉淀池。第三沉淀池与第二沉淀池之间设有第二隔墙，第二隔墙的高度为允许水流由第二沉淀池流至第三沉淀池。第三沉淀池的上部设有缓冲平台，缓冲平台的一侧与第二隔墙固定，缓冲平台的上表面设有磁铁以吸附由第二沉淀池流入的水流中的铁质杂质。本实用新型专利技术设有多级沉淀池，可以实现杂质的充分沉淀；同时，设计了缓冲平台，降低了水流冲击力，还通过在缓冲平台设置磁铁来吸附水流中的铁质杂质，防止净化后的水中有铁质杂质吸附在加工设备的表面而影响陶瓷加工精度。陶瓷加工精度。陶瓷加工精度。
【技术实现步骤摘要】
陶瓷加工污水净化装置
[0001]本技术涉及陶瓷制造
，尤其涉及一种陶瓷加工污水净化装置。
技术介绍
[0002]在利用加工设备加工陶瓷的过程中，为避免加工过程中产生的杂质影响加工设备的正常运行，需要利用清水冲洗加工设备以去除杂质。例如，铁质杂质，其本身带有微小磁性易吸附在加工设备的表面，会影响加工精度。
[0003]为充分利用水资源，冲洗加工设备后的污水会被导入沉淀池，污水中的杂质(如泥沙、铁氧体粉末等)会沉降在沉淀池的底部，沉淀池的上部则为干净的清水，这些清水可以重新用来冲洗加工设备。然而，当沉淀池的进水流量较大时，沉淀池底部的污泥会被水流冲起而造成二次污染，此时，将无法起到有效的净化作用。
技术实现思路
[0004]本技术的目的是提供一种污水净化效果良好的陶瓷加工污水净化装置。
[0005]为了实现上述目的，本技术公开了一种陶瓷加工污水净化装置，包括第一沉淀池、设于所述第一沉淀池下游的第二沉淀池以及设于所述第二沉淀池下游的第三沉淀池。所述第二沉淀池与所述第一沉淀池之间设有第一隔墙，所述第一隔墙的高度为允许水流由所述第一沉淀池流至所述第二沉淀池。所述第三沉淀池与所述第二沉淀池之间设有第二隔墙，所述第二隔墙的高度为允许水流由所述第二沉淀池流至所述第三沉淀池。所述第三沉淀池的上部设有缓冲平台，所述缓冲平台的一侧与所述第二隔墙固定，所述缓冲平台的上表面设有磁铁以吸附由所述第二沉淀池流入的水流中的铁质杂质。
[0006]与现有技术相比，本技术设有多级沉淀池，污水依次流经第一沉淀池、第二沉淀池、第三沉淀池进行沉淀，可以实现杂质的充分沉淀，确保污水净化效果；同时，设计了缓冲平台，降低了水流冲击力，即使水流速度较大时，也不会导致污泥被水流冲起而造成二次污染。此外，缓冲平台上还设有磁铁来吸附水流中的铁质杂质，防止净化后的水中有铁质杂质吸附在加工设备的表面而影响陶瓷加工精度。
[0007]具体地，所述缓冲平台的其中两边与所述第三沉淀池的两相对侧壁固定在一起。
[0008]较佳地，所述缓冲平台与所述第三沉淀池固定的两边的尺寸为所述两相对侧壁的尺寸的五分之二至五分之三。
[0009]较佳地，所述缓冲平台的上表面设有多个所述磁铁，多个所述磁铁并排设置。
[0010]较佳地，所述缓冲平台的上表面设有一缓冲板，所述缓冲板的上端为齿状，所述缓冲板将所述缓冲平台分隔成第一缓冲区和第二缓冲区，所述第一缓冲区与所述第二隔墙相接。
[0011]更佳地，所述第一缓冲区的上方设有一水平板，所述水平板与所述第二隔墙固定且其低于所述第二隔墙的顶面，所述水平板在水平方向不超过所述第一缓冲区，其中一排磁铁的一侧支撑在所述水平板上，另一侧与所述缓冲板的下部抵接。
[0012]更佳地，所述第二缓冲区的上表面固定有一竖直板，所述竖直板设于所述第二缓冲区远离所述缓冲板的一侧的末端。
[0013]较佳地，所述第一沉淀池、第二沉淀池、第三沉淀池的底壁内侧均为V字状。
[0014]较佳地，所述第一沉淀池、第二沉淀池、第三沉淀池的下部分别设有一排污口。
[0015]较佳地，所述陶瓷加工污水净化装置还包括设于所述第一沉淀池的上游的进水池，所述进水池与所述第一沉淀池之间设有第三隔墙，所述第三隔墙的高度为允许水流由所述进水池流至所述第一沉淀池。
附图说明
[0016]图1是本技术实施例陶瓷加工污水净化装置的立体结构示意图。
[0017]图2是图1所示陶瓷加工污水净化装置的另一角度。
[0018]图3是图1所示陶瓷加工污水净化装置的前视图。
[0019]图4是图1所示陶瓷加工污水净化装置的后视图。
[0020]图5是图1所示陶瓷加工污水净化装置的左视图。
[0021]图6是图1所示陶瓷加工污水净化装置的右视图。
[0022]图7是图1所示陶瓷加工污水净化装置的俯视图。
具体实施方式
[0023]为详细说明本技术的内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图详予说明。
[0024]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“水平”、“竖直”、“内”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为便于描述本技术和简化描述，因而不能理解为对本技术保护内容的限制。
[0025]请参阅图1至图7，本技术公开了一种陶瓷加工污水净化装置100，其用于对陶瓷加工过程中的污水进行沉淀净化，以实现水资源的重复利用。具体的，陶瓷加工污水净化装置100包括第一沉淀池11、设于所述第一沉淀池11下游的第二沉淀池12以及设于所述第二沉淀池12下游的第三沉淀池13。所述第二沉淀池12与所述第一沉淀池11之间设有第一隔墙21，所述第一隔墙21的高度为允许水流由所述第一沉淀池11流至所述第二沉淀池12，所述第三沉淀池13与所述第二沉淀池12之间设有第二隔墙22，所述第二隔墙22的高度为允许水流由所述第二沉淀池12流至所述第三沉淀池13。所述第三沉淀池13的上部设有缓冲平台30，所述缓冲平台30的一侧与所述第二隔墙22固定，所述缓冲平台30的上表面设有磁铁40以吸附由所述第二沉淀池12流入的水流中的铁质杂质。
[0026]如图1、图2所示，所述缓冲平台30呈矩形状，缓冲平台30的其中两边与所述第三沉淀池13的两相对侧壁固定在一起。所述缓冲平台30与所述第三沉淀池13固定的两边的尺寸为所述两相对侧壁的尺寸的五分之二至五分之三，借此，在确保第三沉淀池13的开口端可以具有较大的通流面积来允许污水进入的同时，也能够充分降低水流速度。
[0027]进一步地，所述缓冲平台30的上表面设有一缓冲板33，所述缓冲板33的上端为齿状，所述缓冲板33将所述缓冲平台30分隔成第一缓冲区31和第二缓冲区32，所述第一缓冲区31与所述第二隔墙22相接，第二沉淀池12中的污水经过第二隔墙22后，经过第一缓冲区
31，然后由缓冲板33的上端流至第二缓冲区32，通过缓冲板33可以降低水流速度。
[0028]更进一步地，所述第一缓冲区31的上方设有一与其平行的水平板34(如图1所示)，所述水平板34与所述第二隔墙22固定且其低于所述第二隔墙22的顶面，第二沉淀池12中的污水经过第二隔墙22后经水平板34的上方流至第一缓冲区31。在实施例中，所述缓冲平台30的上表面设有多个所述磁铁40，多个所述磁铁40并排设置，第一缓冲区31设有一排磁铁40，第二缓冲区32设有两排磁铁40。所述水平板34在水平方向不超过所述第一缓冲区31，其中一排磁铁40的一侧支撑在所述水平板34上，另一侧与所述缓冲板33的下部抵接，即是，位于第一缓冲区31的该排磁铁40为由水平板34的所在方向(上游)朝缓冲板33的所在方向(下游)自上向下倾斜设置。
[0029]更进一步地，所述第二缓冲区32的上表面固定有一竖直板35，所述竖直板35设于所述第二缓冲区32远离所述缓冲板33的一侧的末端。借本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种陶瓷加工污水净化装置，其特征在于，包括第一沉淀池、设于所述第一沉淀池下游的第二沉淀池以及设于所述第二沉淀池下游的第三沉淀池，所述第二沉淀池与所述第一沉淀池之间设有第一隔墙，所述第一隔墙的高度为允许水流由所述第一沉淀池流至所述第二沉淀池，所述第三沉淀池与所述第二沉淀池之间设有第二隔墙，所述第二隔墙的高度为允许水流由所述第二沉淀池流至所述第三沉淀池，所述第三沉淀池的上部设有缓冲平台，所述缓冲平台的一侧与所述第二隔墙固定，所述缓冲平台的上表面设有磁铁以吸附由所述第二沉淀池流入的水流中的铁质杂质。2.根据权利要求1所述的陶瓷加工污水净化装置，其特征在于，所述缓冲平台的其中两边与所述第三沉淀池的两相对侧壁固定在一起。3.根据权利要求2所述的陶瓷加工污水净化装置，其特征在于，所述缓冲平台与所述第三沉淀池固定的两边的尺寸为所述两相对侧壁的尺寸的五分之二至五分之三。4.根据权利要求1至3任一项所述的陶瓷加工污水净化装置，其特征在于，所述缓冲平台的上表面设有多个所述磁铁，多个所述磁铁并排设置。5.根据权利要求4所述的陶瓷加工污水净化装置，其特征在于，所述缓冲平台的上表面设有一缓...
【专利技术属性】
技术研发人员：梁森仔，
申请(专利权)人：东莞市诺一精密陶瓷科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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