高功率光纤光栅及激光器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高功率光纤光栅，该高功率光纤光栅包括第一传输光纤、光敏光纤以及第二传输光纤。其中，所述第一传输光纤为常规无稀土掺杂石英光纤或者稀土掺杂增益光纤；所述光敏光纤的一端连接于所述第一传输光纤的一端，所述光敏光纤为高掺锗光敏光纤或者经过高压载氢处理的常规无稀土掺杂石英光纤，所述光敏光纤形成有折射率调制区；所述第二传输光纤的一端连接于所述光敏光纤远离所述第一传输光纤的一端，所述第二传输光纤为常规无稀土掺杂石英光纤或者稀土掺杂增益光纤。本实用新型专利技术的技术方案使得光纤局部光敏，无需对光纤整体进行载氢增敏、整体退氢处理，以缩短产品制作周期；同时实现在增益光纤上制作光栅。同时实现在增益光纤上制作光栅。同时实现在增益光纤上制作光栅。

【技术实现步骤摘要】
高功率光纤光栅及激光器


[0001]本技术涉及光纤制造
，特别涉及一种高功率光纤光栅。

技术介绍

[0002]中高功率光纤激光器主流方案为使用光纤耦合半导体激光器泵浦掺杂稀土元素增益光纤，利用光纤光栅(FBG)作为谐振器腔镜，产生激光输出。
[0003]目前商用光纤光栅是通过对无源石英光纤进行加工而制成，制作流程为：光纤整体载氢增敏——剥除部分光纤涂覆层——在剥除涂覆层区域刻写形成折射率调制——对光纤整体进行退氢处理，制作流程中需要将光纤整体进行载氢以及整体退氢处理，导致产品制作周期较长。另外由于作为激光增益介质的稀土掺杂光纤无法通过载氢或其他增敏方式获得足够的光敏性，因此未能在增益光纤上制作光栅，导致部分需要该类光栅的激光器方案无法实施。

技术实现思路

[0004]本技术的主要目的是提供一种高功率光纤光栅，旨在使得光纤局部光敏，无需对光纤整体进行载氢增敏、整体退氢处理，以缩短产品制作周期；同时实现在增益光纤上制作光栅。
[0005]为实现上述目的，本技术提出的高功率光纤光栅包括：
[0006]第一传输光纤，所述第一传输光纤为常规无稀土掺杂石英光纤或者稀土掺杂增益光纤；
[0007]光敏光纤，所述光敏光纤的一端连接于所述第一传输光纤的一端，所述光敏光纤为高掺锗光敏光纤或者经过高压载氢处理的常规无稀土掺杂石英光纤，所述光敏光纤形成有折射率调制区；以及
[0008]第二传输光纤，所述第二传输光纤的一端连接于所述光敏光纤远离所述第一传输光纤的一端，所述第二传输光纤为常规无稀土掺杂石英光纤或者稀土掺杂增益光纤。
[0009]可选地，所述光敏光纤的长度大于等于30mm，且小于等于60mm。
[0010]可选地，所述光敏光纤的中部位置形成有所述折射率调制区。
[0011]可选地，所述折射率调制区的长度大于等于1mm，且小于等于30mm。
[0012]可选地，当所述第一传输光纤为常规无稀土掺杂石英光纤时，所述第一传输光纤的长度大于等于0.8m，且小于等于2m；
[0013]或者，当所述第一传输光纤为稀土掺杂增益光纤时，所述第一传输光纤的长度大于等于0.8m，且小于等于40m。
[0014]可选地，当所述第二传输光纤为常规无稀土掺杂石英光纤时，所述第二传输光纤的长度大于等于0.8m，且小于等于2m；
[0015]或者，当所述第二传输光纤为稀土掺杂增益光纤时，所述第二传输光纤的长度大于等于0.8m，且小于等于40m。
[0016]可选地，所述第一传输光纤和所述光敏光纤熔接固定，所述第二传输光纤和所述光敏光纤熔接固定。
[0017]可选地，所述第一传输光纤包括第一纤芯、第一包层以及第一涂覆层，所述第一包层套设于所述第一纤芯，所述第一涂覆层套设于所述第一包层，并显露所述第一包层的一端；
[0018]所述光敏光纤包括第二纤芯和第二包层，所述第二纤芯形成有所述折射率调制区，所述第二包层套设于所述第二纤芯，所述第二纤芯与所述第一纤芯由所述第一涂覆层套显露的一端熔接固定；
[0019]所述第二传输光纤包括第三纤芯、第三包层以及第三涂覆层，所述第三包层套设于所述第三纤芯，所述第三涂覆层套设于所述第三包层，并显露所述第三包层的一端，所述第三纤芯由所述第三涂覆层显露的一端与所述第二纤芯背离所述第一纤芯的一端熔接固定。
[0020]本技术还提出一种激光器，包括高功率光纤光栅，所述高功率光纤光栅包括第一传输光纤、光敏光纤以及第二传输光纤；所述第一传输光纤为常规无稀土掺杂石英光纤或者稀土掺杂增益光纤；所述光敏光纤的一端连接于所述第一传输光纤的一端，所述光敏光纤为高掺锗光敏光纤或者经过高压载氢处理的常规无稀土掺杂石英光纤，所述光敏光纤形成有折射率调制区；所述第二传输光纤的一端连接于所述光敏光纤远离所述第一传输光纤的一端，所述第二传输光纤为常规无稀土掺杂石英光纤或者稀土掺杂增益光纤。
[0021]可选地，所述激光器包括两个所述高功率光纤光栅，一个所述高功率光纤光栅的所述第二传输光纤与另一个所述高功率光纤光栅的所述第一传输光纤相连接。
[0022]本技术的技术方案的高功率光纤光栅由为常规无稀土掺杂石英光纤或者稀土掺杂增益光纤形成的第一传输光纤、为高掺锗光敏光纤或者经过高压载氢处理的常规无稀土掺杂石英光纤形成的光敏光纤、以及为常规无稀土掺杂石英光纤或者稀土掺杂增益光纤形成的第一传输光纤组成为光纤一整体。如此使得该高功率光纤光栅的传输部分和光敏部分相分开，此时可以对光敏光纤单独载氢。也即使得光纤局部光敏，无需对光纤整体进行载氢增敏、整体退氢处理，以缩短产品制作周期；同时实现在增益光纤上设置折射率调制区来制作光栅。
[0023]另外，由于第一传输光纤可以为常规无稀土掺杂石英光纤或者稀土掺杂增益光纤，第二传输光纤也可以为常规无稀土掺杂石英光纤或者稀土掺杂增益光纤。如此可以使得光敏光纤两端上的第一传输光纤和第二传输光纤可以设置的不相同，使得长度可方便调节，实现超长传输光纤的光栅制。
附图说明
[0024]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
[0025]图1为本技术高功率光纤光栅一实施例的结构示意图；
[0026]图2为本技术激光器一实施例的局部结构示意图；
[0027]附图标号说明：第一传输光纤—10、第一纤芯—11、第一包层—13、第一涂覆层—15、光敏光纤—20、折射率调制区—21、第二纤芯—23、第二包层—25、第二传输光纤—30、第三纤芯—31、第三包层—33、第三涂覆层— 35、高反光纤光栅—40、传输光纤—50、低反光纤光栅—60。
[0028]本技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
[0029]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0030]需要说明，本技术实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
……
)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
[0031]在本技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“固定”等应做广义理解，例如，“固定”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高功率光纤光栅，其特征在于，包括：第一传输光纤，所述第一传输光纤为常规无稀土掺杂石英光纤或者稀土掺杂增益光纤；光敏光纤，所述光敏光纤的一端连接于所述第一传输光纤的一端，所述光敏光纤为高掺锗光敏光纤或者经过高压载氢处理的常规无稀土掺杂石英光纤，所述光敏光纤形成有折射率调制区；以及第二传输光纤，所述第二传输光纤的一端连接于所述光敏光纤远离所述第一传输光纤的一端，所述第二传输光纤为常规无稀土掺杂石英光纤或者稀土掺杂增益光纤。2.如权利要求1所述的高功率光纤光栅，其特征在于，所述光敏光纤的长度大于等于30mm，且小于等于60mm。3.如权利要求1所述的高功率光纤光栅，其特征在于，所述光敏光纤的中部位置形成有所述折射率调制区。4.如权利要求1所述的高功率光纤光栅，其特征在于，所述折射率调制区的长度大于等于1mm，且小于等于30mm。5.如权利要求1所述的高功率光纤光栅，其特征在于，当所述第一传输光纤为常规无稀土掺杂石英光纤时，所述第一传输光纤的长度大于等于0.8m，且小于等于2m；或者，当所述第一传输光纤为稀土掺杂增益光纤时，所述第一传输光纤的长度大于等于0.8m，且小于等于40m。6.如权利要求1所述的高功率光纤光栅，其特征在于，当所述第二传输光纤为常规无稀土掺杂石英光纤时，所述第二传输光纤的长度大于等于0.8...

【专利技术属性】
技术研发人员：张烽，林庆典，
申请(专利权)人：深圳市莱特尔光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：