一种发光器件及其制作方法、显示基板技术

本发明专利技术提供了一种发光器件及其制作方法、显示基板，涉及显示技术领域，该发光器件可以抑制对氧气的吸附，从而有效提高发光效率和寿命。该发光器件包括：电子传输层，所述电子传输层包括金属氧化物、以及与所述金属氧化物的表面键合的保护基团，所述保护基团被配置为：降低所述金属氧化物表面的活性位点，以抑制对氧气的吸附。气的吸附。气的吸附。

【技术实现步骤摘要】
一种发光器件及其制作方法、显示基板


[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种发光器件及其制作方法、显示基板。

技术介绍

[0002]随着科技的发展，QLED(Quantum Dots Organic Light Emitting Diode，量子点有机发光二极管)受到较为广泛的应用。在QLED中使用氧化锌薄膜作为电子传输层时，氧化锌表面未成键的氧活性位点(氧悬挂键)会与空气中的氧气结合，形成无辐射复合，从而大幅降低QLED的发光效率和寿命。

技术实现思路

[0003]本专利技术的实施例提供一种发光器件及其制作方法、显示基板，该发光器件可以抑制对氧气的吸附，从而有效提高发光效率和寿命。
[0004]为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：
[0005]一方面，提供了一种发光器件及其制作方法、显示基板，该发光器件包括：电子传输层，所述电子传输层包括金属氧化物、以及与所述金属氧化物的表面键合的保护基团，所述保护基团被配置为：降低所述金属氧化物表面的活性位点，以抑制对氧气的吸附。
[0006]可选的，所述保护基团包括羟基。
[0007]可选的，所述金属氧化物包括氧化锌。
[0008]可选的，所述氧化锌通过磁控溅射工艺形成。
[0009]可选的，所述发光器件还包括层叠设置的阴极、发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极；
[0010]所述电子传输层设置在所述阴极和所述发光层之间；所述空穴传输层设置在所述发光层远离所述电子传输层的一侧；所述阳极设置在所述空穴传输层远离所述发光层的一侧；所述空穴注入层设置在所述空穴传输层和所述阳极之间。
[0011]另一方面，提供了一种显示基板，包括上述的发光器件。
[0012]再一方面，提供了一种发光器件的制作方法，所述方法包括：
[0013]形成电子传输层；其中，所述电子传输层包括金属氧化物、以及与所述金属氧化物的表面键合的保护基团，所述保护基团被配置为：降低所述金属氧化物表面的活性位点，以抑制对氧气的吸附。
[0014]可选的，所述形成电子传输层包括：
[0015]通过磁控溅射工艺形成金属氧化物薄膜；
[0016]使用弱酸水溶液处理所述金属氧化物薄膜，形成所述电子传输层。
[0017]可选的，所述弱酸水溶液包括乙酸水溶液或磷酸水溶液。
[0018]可选的，所述使用弱酸水溶液处理所述金属氧化物薄膜包括：
[0019]配置所述弱酸水溶液；
[0020]将所述金属氧化物薄膜浸泡在所述弱酸水溶液中。
[0021]可选的，所述使用弱酸水溶液处理所述金属氧化物薄膜包括：
[0022]配置所述弱酸水溶液；
[0023]将所述弱酸水溶液旋涂到所述金属氧化物薄膜上。
[0024]可选的，所述弱酸水溶液中，弱酸的体积比浓度范围包括0.01
‑
1％。
[0025]可选的，所述将所述金属氧化物薄膜浸泡在所述弱酸水溶液中的步骤中，浸泡时间范围包括1
‑
10min，浸泡温度范围包括25
‑
100℃。
[0026]本专利技术的实施例提供了发光器件，包括电子传输层，电子传输层包括金属氧化物、以及与金属氧化物的表面键合的保护基团，保护基团被配置为：降低金属氧化物表面的活性位点，以抑制对氧气的吸附。即保护基团可以钝化金属氧化物的表面缺陷，减少金属氧化物表面的无辐射复合，从而可以有效提高发光器件的发光效率和寿命。
[0027]上述说明仅是本申请技术方案的概述，为了能够更清楚了解本申请的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本申请的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本申请的具体实施方式。
附图说明
[0028]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0029]图1为本专利技术实施例提供的一种发光器件的结构示意图；
[0030]图2为本专利技术实施例提供的另一种发光器件的结构示意图；
[0031]图3为本专利技术实施例提供的电子传输层中的金属氧化物被羟基保护的示意图；
[0032]图4为ZnO的结构示意图；
[0033]图5为本专利技术实施例和对比例分别提供的电子传输层应用于图1结构得到的EQE随电压变化的曲线图；
[0034]图6为本专利技术实施例和对比例分别提供的电子传输层应用于图1结构得到的相对亮度随时间变化的曲线图；
[0035]图7为本专利技术实施例提供的电子传输层的AFM图；
[0036]图8为对比例提供的电子传输层的AFM图；
[0037]图9为本专利技术实施例和对比例分别提供的电子传输层应用于图1结构得到的电流密度随电压变化的曲线图；
[0038]图10为本专利技术实施例和对比例分别提供的电子传输层应用于图1结构得到的电流效率随电压变化的曲线图；
[0039]图11为本专利技术实施例提供的一种显示基板的结构示意图。
具体实施方式
[0040]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他
实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0041]本专利技术实施例提供了一种发光器件，参考图1和图2所示，该发光器件包括：电子传输层2，电子传输层2包括金属氧化物、以及与金属氧化物的表面键合的保护基团，保护基团被配置为：降低金属氧化物表面的活性位点，以抑制对氧气的吸附。
[0042]这里对于上述发光器件的类型不做具体限定，示例的，上述发光器件可以为图1所示的倒置型发光器件，包括阴极1、以及依次层叠设置在阴极1之上的电子传输层2、发光层3、空穴传输层4、空穴注入层5和阳极6。
[0043]当然，上述发光器件还可以为图2所示的正置型发光器件，包括阳极6、以及依次层叠设置在阳极6之上的空穴注入层5、空穴传输层4、发光层3、电子传输层2和阴极1。
[0044]这里对于电子传输层的厚度不做具体设置，示例的，电子传输层的厚度可以包括20
‑
80nm，具体的，电子传输层的厚度可以20nm、40nm、60nm或者80nm。
[0045]这里对于上述保护基团的类型、数量等均不做具体限定，示例的，保护基团可以为羟基，当然也可以为其它保护基团。示例的，保护基团可以为一个，当然也可以为多个，具体均以实际应用为准。图3以保护基团为三个羟基为例进行绘示。
[0046]这里对于上述金属氧化物不做具体限定，示例的，金属氧化物可以是ZnO(氧化锌)或者TiO2(二氧化本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光器件，其特征在于，包括电子传输层，所述电子传输层包括金属氧化物、以及与所述金属氧化物的表面键合的保护基团，所述保护基团被配置为：降低所述金属氧化物表面的活性位点，以抑制对氧气的吸附。2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述保护基团包括羟基。3.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述金属氧化物包括氧化锌。4.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述氧化锌通过磁控溅射工艺形成。5.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括层叠设置的阴极、发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极；所述电子传输层设置在所述阴极和所述发光层之间；所述空穴传输层设置在所述发光层远离所述电子传输层的一侧；所述阳极设置在所述空穴传输层远离所述发光层的一侧；所述空穴注入层设置在所述空穴传输层和所述阳极之间。6.一种显示基板，其特征在于，包括权利要求1
‑
5任一项所述的发光器件。7.一种如权利要求1
‑
5任一项所述的发光器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：形成电子传输层；其中，所述电子传输层包括金属氧化物、以及与所述金属氧化物的表面键合的保护基团，所述保护基团被配置为：降低...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱友勤，李东，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：