一种基底模组及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种基底模组及其制备方法，涉及光学器件技术领域，本发明专利技术的基底模组，包括基底本体以及覆盖在基底本体表面的遮光膜，遮光膜包括遮光金属以及遮光金属的至少一种的不完全氧化物的混合物，遮光膜能够吸收可见光。该基底模组的遮光膜由遮光金属和遮光金属的不完全氧化物形成，不仅可以使基底本体在可见光波段反射颜色呈现黑色，遮光效果较好，而且熔点较高，不存在高温放气的现象，不会对形成的电子元件产生不良影响。成的电子元件产生不良影响。成的电子元件产生不良影响。

【技术实现步骤摘要】
一种基底模组及其制备方法


[0001]本专利技术涉及光学器件
，具体而言，涉及一种基底模组及其制备方法。

技术介绍

[0002]手机、摄像装置等电子元件的显示屏通常包括显示区和非显示区，非显示区一般由遮光膜覆盖，以使其在可见光波段反射颜色呈现黑色。
[0003]现有的技术通常使用油墨将显示屏的非显示区覆盖，但是，电子元件在工作时内部会产生一定的热量致使温度升高，而油墨主要由连结料(树脂)、颜料、填料、助剂和溶剂等组成，在高温的情况下容易放气，这些气体会降低电子元件的性能。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种基底模组及其制备方法，其能够在可见光波段反射颜色呈现黑色且耐高温。
[0005]本专利技术的实施例是这样实现的：
[0006]一种基底模组，其包括基底本体以及覆盖在基底本体表面的遮光膜，遮光膜包括遮光金属以及遮光金属的至少一种的不完全氧化物的混合物，遮光膜能够吸收可见光。
[0007]可选的，作为一种可实施的方式，遮光膜的厚度为300
‑
3000nm。
[0008]可选的，作为一种可实施的方式，基底本体的材质为蓝宝石，遮光膜的材质为铝及铝的不完全氧化物的混合物。
[0009]可选的，作为一种可实施的方式，遮光膜对可见光的折射率为1.7
‑
1.9、消光系数大于0.05。
[0010]一种基底模组的制备方法，其包括在基底本体表面镀设遮光膜，遮光膜包括遮光金属以及遮光金属的至少一种的不完全氧化物的混合物，遮光膜能够吸收可见光。
[0011]可选的，作为一种可实施的方式，在基底本体表面镀设遮光膜包括：将基底本体置于真空腔室内；在基底本体表面蒸镀遮光金属使遮光金属与氧气发生氧化反应，直至在基底本体的表面形成预设厚度的遮光膜。
[0012]可选的，作为一种可实施的方式，将基底本体置于真空腔室内之后，方法还包括：离子源对基底本体进行离子预清洗。
[0013]可选的，作为一种可实施的方式，真空腔室的真空度小于2.0E
‑
3Pa。
[0014]可选的，作为一种可实施的方式，在基底本体表面蒸镀遮光金属使遮光金属与氧气发生氧化反应，直至在基底本体的表面形成预设厚度的遮光膜包括：在基底本体表面蒸镀遮光金属；离子源和真空腔室同时向基底本体表面加入氧气直至在基底本体的表面形成预设厚度的遮光膜。
[0015]可选的，作为一种可实施的方式，遮光金属的蒸镀速率为5
‑
50nm/s，离子源的氧气流量为10
‑
100sccm，腔室的冲氧流量为50
‑
500sccm。
[0016]本专利技术实施例的有益效果包括：
[0017]本专利技术提供的基底模组，包括基底本体以及覆盖在基底本体表面的遮光膜，遮光膜包括遮光金属以及遮光金属的至少一种的不完全氧化物的混合物，遮光膜能够吸收可见光。该基底模组的遮光膜由遮光金属和遮光金属的不完全氧化物形成，不仅可以使基底本体在可见光波段反射颜色呈现黑色，遮光效果较好，而且熔点较高，不存在高温放气的现象，不会对形成的电子元件产生不良影响。
[0018]本专利技术提供的基底模组的制备方法，其包括在基底本体表面镀设遮光膜，遮光膜包括遮光金属以及遮光金属的至少一种的不完全氧化物的混合物，遮光膜能够吸收可见光。采用该方法制备得到的基底模组不仅遮光效果较好，而且不存在高温放气现象，不会对形成的电子元件产生不良影响。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0020]图1为本专利技术实施例提供的基底模组的结构示意图；
[0021]图2为当遮光膜的折射率为1.781时，基底本体与遮光膜在400
‑
700nm波段可见光照射下的反射率曲线图；
[0022]图3为当遮光膜的折射率为1.781时，基底本体与遮光膜在400
‑
700nm波段可见光照射下的透过率曲线图；
[0023]图4为本专利技术实施例提供的基底模组的制备方法的流程图之一；
[0024]图5为本专利技术实施例提供的基底模组的制备方法的流程图之二；
[0025]图6为本专利技术实施例提供的基底模组的制备方法的流程图之三。
[0026]图标：10
‑
基底模组；11
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基底本体；12
‑
遮光膜。
具体实施方式
[0027]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本专利技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
[0028]因此，以下对在附图中提供的本专利技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围，而是仅仅表示本专利技术的选定实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0029]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
[0030]在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该专利技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装
置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0031]此外，术语“水平”、“竖直”等术语并不表示要求部件绝对水平或悬垂，而是可以稍微倾斜。如“水平”仅仅是指其方向相对“竖直”而言更加水平，并不是表示该结构一定要完全水平，而是可以稍微倾斜。
[0032]在本专利技术的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0033]请参照图1，本实施例提供一种基底模组10，其包括基底本体11以及覆盖在基底本体11表面的遮光膜12，遮光膜12包括遮光金属以及遮光金属的至少一种的不完全氧化物的混合物，遮光本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基底模组，其特征在于，包括基底本体以及覆盖在所述基底本体表面的遮光膜，所述遮光膜包括遮光金属以及所述遮光金属的至少一种的不完全氧化物的混合物，所述遮光膜能够吸收可见光。2.根据权利要求1所述的基底模组，其特征在于，所述遮光膜的厚度为300
‑
3000nm。3.根据权利要求1所述的基底模组，其特征在于，所述基底本体的材质为蓝宝石，所述遮光膜的材质为铝及铝的不完全氧化物的混合物。4.根据权利要求3所述的基底模组，其特征在于，所述遮光膜对所述可见光的折射率为1.7
‑
1.9、消光系数大于0.05。5.一种基底模组的制备方法，其特征在于，包括：在基底本体表面镀设遮光膜，所述遮光膜包括遮光金属以及所述遮光金属的至少一种的不完全氧化物的混合物，所述遮光膜能够吸收可见光。6.根据权利要求5所述的基底模组的制备方法，其特征在于，所述在基底本体表面镀设遮光膜包括：将基底本体置于真空腔室内；在所述基底本体表面蒸镀遮光金属使所述遮光金属与氧气发生氧化反应，直...

【专利技术属性】
技术研发人员：周荣波，邱欢，蔡义生，陈海阳，蔡志俊，路陈陈，刘风雷，
申请(专利权)人：浙江水晶光电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：