显示装置及用于制造显示装置的方法制造方法及图纸

提供了显示装置及用于制造显示装置的方法。显示装置包括：衬底；包括第一有源层的驱动晶体管和包括第二有源层的开关晶体管，第一有源层和第二有源层设置在衬底上；第一栅极绝缘层，设置在驱动晶体管的第一有源层和开关晶体管的第二有源层上；第一栅电极和第二栅电极，设置在第一栅极绝缘层上以分别与驱动晶体管的第一有源层和开关晶体管的第二有源层重叠；第一层间绝缘层，设置在第一栅电极和第二栅电极上；以及第二层间绝缘层，设置在第一层间绝缘层上以在平面图中与第一有源层重叠而与第二有源层不重叠。二有源层不重叠。二有源层不重叠。

【技术实现步骤摘要】
显示装置及用于制造显示装置的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年6月25日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
‑
2020
‑
0077987的优先权以及从其获取的所有权益，该韩国专利申请的内容通过引用以其整体并入本文中。


[0003]本公开涉及显示装置及用于制造显示装置的方法。

技术介绍

[0004]随着信息社会的发展，对用于以各种方式显示图像的显示装置的需求越来越多。显示装置包括液晶显示器(LCD)、等离子体显示面板(PDP)、有机发光显示器(OLED)和微发光二极管显示器。
[0005]OLED和微发光二极管显示器可包括发光二极管、用于控制流过发光二极管的驱动电流的量的驱动晶体管以及用于响应于扫描线的扫描信号将数据电压施加到驱动晶体管的栅电极的开关晶体管。
[0006]驱动晶体管的驱动电压指示施加到驱动晶体管的栅电极以使驱动电流流动的电压。驱动晶体管的驱动电压范围指示从预定最小驱动电流流动时的第一电压到预定最大驱动电流流动时的第二电压的电压范围。

技术实现思路

[0007]本公开的各方面提供了一种其中改善了像素中的每个的驱动晶体管和开关晶体管的元件特性的显示装置。
[0008]本公开的各方面还提供了一种用于制造其中改善了像素中的每个的驱动晶体管和开关晶体管的元件特性的显示装置的方法。
[0009]然而，本公开的各方面不限于本文中所阐述的那些。通过参照以下给出的本公开的详细描述，本公开的以上和其他方面对本公开所属领域的普通技术人员将变得更加显而易见。
[0010]根据实施例，一种显示装置包括：衬底；包括第一有源层的驱动晶体管和包括第二有源层的开关晶体管，第一有源层和第二有源层设置在衬底上；第一栅极绝缘层，设置在驱动晶体管的第一有源层和开关晶体管的第二有源层上；第一栅电极和第二栅电极，设置在第一栅极绝缘层上以分别与驱动晶体管的第一有源层和开关晶体管的第二有源层重叠；第一层间绝缘层，设置在第一栅电极和第二栅电极上；以及第二层间绝缘层，设置在第一层间绝缘层上以在平面图中与第一有源层重叠而与第二有源层不重叠。
[0011]根据另一实施例，一种用于制造显示装置的方法包括：形成第一有源层和第二有源层；在第一有源层和第二有源层中的每个上顺序地形成栅极绝缘层和栅电极；在栅电极上形成第一层间绝缘层；以及在第一层间绝缘层上形成第二层间绝缘层，其中，第二层间绝
缘层的氢浓度大于第一层间绝缘层的氢浓度。
[0012]依据根据实施例的显示装置及用于制造显示装置的方法，可以改善像素中的每个的驱动晶体管和开关晶体管的元件特性。
[0013]本公开的效果不限于上述效果，并且各种其他效果被包括在本说明书中。
附图说明
[0014]通过参照附图详细描述本公开的示例性实施例，本公开的以上和其他方面以及特征将变得更加显而易见，在附图中：
[0015]图1是根据示例性实施例的显示装置的透视图；
[0016]图2是示出根据示例性实施例的显示面板的示例的平面图；
[0017]图3是示出图2的像素的示例的电路图；
[0018]图4A是示出图3的第一晶体管和第二晶体管的示例的剖视图；
[0019]图4B是示出根据实施例的图3的第一晶体管和第二晶体管的剖视图；
[0020]图4C是示出根据实施例的图3的第一晶体管和第二晶体管的剖视图；
[0021]图4D是示出根据实施例的图3的第一晶体管和第二晶体管的剖视图；
[0022]图5是根据实施例的第一晶体管和第二晶体管的示意性平面图；
[0023]图6和图7是示出第一层间绝缘层和第二层间绝缘层的材料和氢浓度的表；
[0024]图8是根据示例性实施例的制备显示装置的方法的流程图；以及
[0025]图9、图10、图11、图12、图13和图14是示出根据示例性实施例的用于制造显示装置的方法的步骤的剖视图。
具体实施方式
[0026]本文中所公开的本专利技术构思的实施例的具体结构和功能描述仅用于本专利技术构思的实施例的说明性目的。在不脱离本专利技术构思的精神和重要特性的情况下，本专利技术构思可以以许多不同的形式实现。因此，本专利技术构思的实施例仅出于说明性目的而公开，并且不应解释为限制本专利技术构思。即，本专利技术构思仅由权利要求的范围来限定。
[0027]将理解的是，当元件被称为与另一元件相关，诸如“耦接”或“连接”到另一元件时，它能直接耦接或连接到另一元件，或者其间可存在中间元件。相反，应理解的是，当元件被称为与另一元件有关，诸如“直接耦接”或“直接连接”到另一元件时，则不存在中间元件。应以相同的方式解释说明元件之间的关系的其他表达，诸如“在
……
之间”、“直接在
……
之间”、“与
……
邻近”或“与
……
直接邻近”。
[0028]在整个说明书中，相同的附图标记将是指相同或相似的部分。
[0029]将理解的是，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等在本文中可用于描述各种元件、组件、区、层和/或部分，但是这些元件、组件、区、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区、层或部分与另一元件、组件、区、层或部分区分开。因此，在不脱离本文中的教导的情况下，以下讨论的第一元件、组件、区、层或部分可被称为第二元件、组件、区、层或部分。
[0030]本文中所使用的措辞仅出于描述特定实施例的目的，并且不旨在进行限制。除非上下文另外清楚指示，否则如本文中所使用的，“一(a)”、“一个(an)”、“该”和“至少一个”不
表示对数量的限制，并且旨在包括单数和复数这两者。例如，除非上下文另外清楚指示，否则“元件”具有与“至少一个元件”相同的含义。“至少一个”不解释为限制“一(a)”或“一个(an)”。“或”意味着“和/或”。如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关联的列出项目中的一个或多个项目的任何和所有组合。还将理解的是，术语“包括(comprise)”和/或“包括(comprising)”或者“包含(include)”和/或“包含(including)”在本说明书中使用时，指明所陈述的特征、区、整数、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但是不排除一个或多个其他特征、区、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其组的存在或添加。
[0031]此外，诸如“下部的”或“底部”以及“上部的”或“顶部”的相对术语可在本文中用来描述如在图中所示的一个元件与另一元件的关系。将理解的是，相对术语旨在包括装置的除图中描绘的方位之外的不同方位。例如，如果将一幅图中的装置翻转，则描述为在其他元件的“下”侧的元件将定向为在其他元件的“上”侧。因此，取决于图的具体方位，示例性术语“下部的”可包括“下部的”和“上部的”两个方位。类似地，如果将一幅图中的装置翻转，则相对其他元件被描述为“在
……<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示装置，包括：衬底；驱动晶体管和开关晶体管，所述驱动晶体管包括第一有源层，所述开关晶体管包括第二有源层，所述第一有源层和所述第二有源层设置在所述衬底上；第一栅极绝缘层，设置在所述驱动晶体管的所述第一有源层和所述开关晶体管的所述第二有源层上；第一栅电极和第二栅电极，设置在所述第一栅极绝缘层上，以分别与所述驱动晶体管的所述第一有源层和所述开关晶体管的所述第二有源层重叠；第一层间绝缘层，设置在所述第一栅电极和所述第二栅电极上；以及第二层间绝缘层，设置在所述第一层间绝缘层上，以在平面图中与所述第一有源层重叠而与所述第二有源层不重叠。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二层间绝缘层直接设置在所述第一层间绝缘层上。3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二层间绝缘层的氢浓度大于所述第一层间绝缘层的氢浓度。4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第一层间绝缘层包括硅氮氧化物，并且所述第二层间绝缘层包括硅氮化物。5.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第一层间绝缘层包括硅氧化物，并且所述第二层间绝缘层包括硅氮化物或硅氮氧化物。6.根据权利要求3所述的显示装置，还包括设置在所述衬底和所述第一有源层之间的遮光层，其中，所述遮光层设置成与所述第一有源层重叠而与所述第二有源层不重叠。7.根据权利要求6所述的显示装置，还包括设置在所述遮光层与所述第一有源层和所述第二有源层中的每个之间的阻挡层，其中，所述阻挡层的氢浓度小于所述第二层间绝缘层的氢浓度。8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述阻挡层包括硅氧化物。9.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第一有源层和所述第二有源层中的每个包括沟道区、在第一方向上设置在所述沟道区的一侧上的源极区以及在所述第一方向上设置在所述沟道区的另一侧上的漏极区，并且所述第一栅极绝缘层设置为与所述沟道区重叠，同时暴露所述源极区和所述漏极区。10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述第一栅电极和所述第二栅电极设置为分别与所述第一有源层的所述沟道区和所述第二有源层的所述沟道区重叠，并且所述第一栅电极和所述第二栅电极在厚度方向上与所述第一栅极绝缘层的侧表面对齐。11.根据权利要求10所述的显示装置，还包括：第一源电极，连接到所述驱动晶体管的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙尙佑，吴赛伦特，朴晙晳，崔荣峻，金秀贤，林俊亨，
申请(专利权)人：汉阳大学校ERICA产学协力团，
类型：发明
国别省市：