阴极射线管制造技术

技术编号:3158905 阅读:152 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术揭示一种阴极射线管,其管颈部(105)的内壁被覆形成内部导电膜(117)并设置高电阻导电膜(114),与内部导电膜(117)的端部接触同时覆盖配置电子枪(107)的管颈部(105)的一部分,该高电阻导电膜具有比内部导电膜(117)高的电阻。与内部导电膜(117)接触的高电阻导电膜(114)的一端侧,在内部导电膜(117)端部附近的管轴方向每单位长度膜电阻值,设定得比高电阻导电膜(114)的另一端部(116)附近小。能抑制电子枪构件的电极等金属部分与管颈内壁间产生场发射且耐压特性良好。(*该技术在2018年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及彩色显像管之类的阴极射线管,尤其涉及涂敷于阴极射线管管颈内壁的高电阻导电膜的涂敷状态。通常,彩色显像管具有将管屏、管锥、管颈接为一体的管壳。该管屏在其内表面有由发出蓝、绿、红光的条状或点状3色荧光体层构成的荧光体屏(靶)。又,管屏在其内侧具有与荧光体屏相向安装的、形成许多孔的荫罩。管颈有配设于其内部的电子枪构件。该电子枪构件发射由同一平面上一列配置的中央电子束及一对旁电子束构成的3束电子束。该电子枪构件发射的3束电子束向荧光体屏会聚,同时,分别聚焦于蓝、绿、红各荧光体层上。安装于管锥外侧的偏转线圈形成非均匀磁场,用于使电子枪构件发射的3束电子束在水平方向与垂直方向偏转。电子枪构件发射的3束电子束,由该非均匀磁场,经荫罩,水平与垂直扫描荧光体屏。从而,显示彩色图像。如附图说明图1所示,彩色显像管具有自管壳的管锥至管颈3的内表面上被覆的内部导电膜7。该内部导电膜7与设置在管锥的阳极端子导通。电子枪构件8的会聚电极9经管壳衬套10,与内部导电膜7导通。由此,阳极端子提供的阳极电压,经内部导电膜7及管壳衬套10,施加至会聚电极9。但是,在这种彩色显像管中,由于管颈3的内壁电位随时间变化带来的影响,3束电子束的会聚状态会变化。由此,3束电子束不击中各自对应的荧光体层,从而产生显示图像中发生色偏移问题。其原因如下所述。管颈是由绝缘体,例如玻璃形成的,因而容易带电,即易蓄积电荷,也易于放电。由此,管颈内壁的带电电位,即管颈电位,在施加阳极电压后,马上受到内部导电膜7及电子枪构件8的会聚电极9等的影响,从而达到预定的电位分布状态。但是,随着时间推移,管颈中产生的浮置电子碰撞带电管颈内壁,使管颈发射二次电子,由此,管颈电位逐渐上升。结果,管颈电位随时间而变化,该管颈电位对形成电子枪构件的主电子透镜部的电场产生影响。因此,管颈电位不稳定在预定电位,伴随逐渐升高的管颈电位随时间变化,该电位显著渗透到主电子透镜部的电场。这样,管颈电位使形成主电子透镜部的电场分布随时间变化。管颈电位从主电子透镜部周围渗透,从而使通过主电子透镜部周围的两侧电子束的运行轨道变化。这样,在发射3电子束的彩色显像管中,产生会聚状态随时间变化,即所谓会聚漂移,从而引起色偏移。为了解决上述问题,根据特开昭64-12449号公报及特开平5-205560号公报,如图1所示,彩色显像管具有设置在管颈内表面的、电子发射系数小于1的高电阻导电膜17。该高电阻导电膜17直接被覆于管颈内壁,且形成与内部导电膜7接触。因此,防止管颈二次电子发射引起的管颈电位随时间变化,抑制会聚漂移引起的色偏移。但是,如特开昭64-12449号公报及特开平5-205560号公报所示,在管颈内表面上被覆形成高电阻导电膜,使之与内部导电膜接触时,如图1所示,若高电阻导电膜以均匀膜厚形成,则会产生下述问题。即,在图1所示例子中,设管颈中心轴(即管轴)为Z轴,则Z轴方向每单位长度的高电阻导电膜17的电阻值一定。但是,该管颈电位,与不设置高电阻导电膜17的情况比较,相对较高,因而电子枪构件8中的电极之类的金属部分与管颈内壁之间,易发生场发射。由此,会产生耐电压特性变化问题。本专利技术为解决上述问题而作出,其目的在于提供一种耐电压特性良好的阴极射线管,该管在管颈内壁设置抑制会聚状态漂移的高电阻导电膜,且能抑制电子枪构件的电极之类的金属部分与管颈内壁之间的场发射。根据本专利技术提供的阴极射线管,在管颈的内壁,从接触内部导电膜端部的位置至电子枪构件配置位置的一部分,形成具有比内部导电膜高的电阻的高电阻导电膜。由此,能抑制由管颈发射二次电子,防止不希望的管颈电位随时间变化。从而,可降低因管颈电位变动对电子束轨道的影响,防止会聚漂移引起的色偏移。又,由于在高电阻导电膜另一端部附近,管轴方向每单位长度的高电阻导电膜的电阻值,与高电阻导电膜一端侧的内部导电膜端部附近的高电阻导电膜的阻值相比,相对较高,所以可把管颈部内壁的电位抑制得相对较低,由此,可抑制电子枪构件中施加高电压的金属部分之间的场发射,图1是以往的阴极射线管管颈部构造的概略平面图。图2是概略表示作为本专利技术的阴极射线管一个例子的彩色阴极射线管构造的水平剖面图。图3是概略表示图1所示阴极射线管管颈部构造的俯视图。图4A是管颈内部电位的模拟结果图。图4B是概略表示图3所示的本专利技术彩色阴极射线管的高电阻导电膜的涂敷状态的剖面图。图4C是概略表示图1所示以往的彩色阴极射线管的高电阻导电膜的涂敷状态的剖面图。图4D是不设置高电阻导电膜的彩色阴极射线管中,内部导电膜端部附近的剖面图,图5是用于测定场发射的测定回路图。图6表示在图5所示的回路构成中,电流计A中流过的电流值为0.01μA时,阳极电源电压的电压值测定结果。下文,参照附图,说明本专利技术的阴极射线管,例如彩色阴极射线管的实施例。作为本专利技术的阴极射线管一个例子的彩色阴极射线管示于图2。如图2所示,该彩色阴极射线管具有把管屏部101、管锥部102、管颈部105接为一体的管壳100。管屏部101有形成于其内表面的、由各自发出红(R)、绿(G)、蓝(B)光的条状或点状3色荧光体层组成的荧光体屏103(靶)。又,管屏部101具有与荧光体屏103相对安装于其内侧的、有许多孔的荫罩104。管颈部105形成具有圆形剖面形状的圆筒状。该部具有配设于其内部的、直线排列式电子枪构件107。若以管颈部105的中心轴(即管轴)为Z轴、分别与Z轴正交的水平方向为H轴、垂直方向为V轴,则该直线排列式电子枪构件107发射在同一平面(即,由H轴及Z轴确定的H-Z平面)上穿行的3束电子束106B、106G、106R。这3束电子束由在水平方向H排成一列的中央电子束106G及一对旁电子束106B、106R组成。由电子枪构件107发射的3束电子束106(R、G、B)向荧光体屏103集中的同时,分别会聚于蓝、绿、红各荧光体层上。安装在管锥部102外侧的偏转线圈108,形成非均匀磁场,用于使电子枪构件107发射的3束电子束106(R、G、B)向水平方向H及垂直方向V偏转。该非均匀磁场由枕型水平偏转磁场及桶型垂直偏转磁场组成。彩色阴极射线管还具有形成于管锥部102外侧的外部导电膜113、被覆于自管锥部102至管颈部105内表面的内部导电膜117。该内部导电膜117与提供阳极电压的阳极端子120导通。在上述结构的彩色阴极射线管中,由电子枪构件107发射的3束电子束106(R、G、B)通过偏转线圈108产生的非均匀磁场,经荫罩104,在水平方向及垂直方向扫描荧光体屏103。由此,显示彩色图像。图3是所示图2的彩色阴极射线管管颈部的放大图。在该图中,Z轴的正方向对应于电子束行进方向的逆方向。如图3所示,彩色阴极射线管具有配设于管颈部105的直线排列式电子枪构件107。该电子枪构件107具有发射在直线方向(即水平方向H)排成一列的3束电子束106B、106G、106R的3个阴极K及分别加热这些阴极K的3个加热器。又,该电子枪构件107具有从阴极K依次向荧光体屏(靶)方向(即Z轴的负方向),相互以预定间隔配置的第1至第6栅极G1-G6及安装在第6栅极G6的荧光体屏侧端部的会聚电极119。第1及第2栅极G1、G2各自由板状电极构成。而第3至第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阴极射线管,其特征在于包括:发射在同一水平面上一列配置的多个电子束(106R、106G、106B),并使之会聚于靶(103)上的电子枪构件(107);产生偏转磁场使所述电子枪构件发射的多个电子束在靶上互相正交的水平方向及垂直方向偏转的偏转线圈(108);管壳(100),它包含:备有配置所述电子枪构件的管颈部(105)和所述靶的管屏部(101)及从管颈部至管屏部内径扩张的管锥部(102);从所述管锥部至管颈部设置在其内壁的内部导电膜(117);与设置在所述管颈部内壁的所述内部导电膜端部接触,同时从所述端部起设置在所述管颈部以覆盖一部分所述电子枪构件的、具有比所述内部导电膜高的电阻的高电阻导电膜(114);所述高电阻导电膜,在与所述水平方向与垂直方向正交的管轴方向每单位长的膜电阻值,在位于所述高电阻导电膜的一端部侧且与内部导电膜的端部接触的接触区域(115),比所述高电阻导电膜的另一端部(116)侧区域小。

【技术特征摘要】
JP 1997-11-10 307119/971.一种阴极射线管,其特征在于包括发射在同一水平面上一列配置的多个电子束(106R、106G、106B),并使之会聚于靶(103)上的电子枪构件(107);产生偏转磁场使所述电子枪构件发射的多个电子束在靶上互相正交的水平方向及垂直方向偏转的偏转线圈(108);管壳(100),它包含备有配置所述电子枪构件的管颈部(105)和所述靶的管屏部(101)及从管颈部至管屏部内径扩张的管锥部(102);从所述管锥部至管颈部设置在其内壁的内部导电膜(117);与设置在所述管颈部内壁的所述内部导电膜端部接触,同时从所述端部起设置在所述管颈部以覆盖一部分所述电子枪构件的、具有比所述内部导电膜高的电阻的高电阻导电膜(114);所述高电阻导电膜,在与所述水平方向与垂直方向正...

【专利技术属性】
技术研发人员:铃木史人菅原繁长谷川隆弘
申请(专利权)人:东芝株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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