【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及毛细管放电，用作为超紫外光刻(EUVL)和其他技术(例如EUV显微术、干涉仪、检验、计量学等)中的成像光源。本专利技术描述了在10-14纳米波长区域内辐射强光的光源特性。这些光源的操作可以由下列因素确定(1〕产生优化发射通量的毛细管内的气体或蒸汽压；(2〕在此有足够的辐射通量但超过此即开始有明显有害碎屑和内孔侵蚀的放电电流范围；(3〕所希毛细管的内孔尺寸和长度所需的范围、在上述条件下毛细管放电的有效辐射的某些特定气体介质；以及(4〕两种容纳放电系统的特定构造。本专利技术是1997年3月11日提交的美国专利申请No.08/815,283的后续申请。本专利技术进一步与1996年3月12日授予William T.Silfvast的美国专利5,499,282有关，该专利作为参考文献包含在这里。
技术介绍
适于商用的软X射线(或EUV〕光刻设备需要强的软X射线/EUV光源，它可以在电磁波谱EUV部分大约11-14纳米特定的波长区域内进行发射。该区域由存在高反射率多层涂层的波长范围决定。多层涂层可以用来制造能集成在EUVL分步重量机内的镜面。特别是，这些涂...
【技术保护点】
一种在１１纳米－１４纳米波长区域内操作毛细管放电光源的方法，其特征在于包括以下步骤：（ａ）在内孔尺寸为１毫米左右并且至少有一种辐射气体的毛细管光源内形成放电，放电电流为约２０００－１００００安培之间；以及（ｂ）从放电光源辐射出在约１ １－１４纳米之间选择的波长区域。
【技术特征摘要】
US 1997-12-31 09/001,6961．一种在11纳米-14纳米波长区域内操作毛细管放电光源的方法，其特征在于包括以下步骤(a)在内孔尺寸为1毫米左右并且至少有一种辐射气体的毛细管光源内形成放电，放电电流为约2000-10000安培之间；以及(b)从放电光源辐射出在约11-14纳米之间选择的波长区域。2．一种在11纳米-14纳米波长区域内操作毛细管放电光源的方法，其特征在于包括以下步骤(a)在内孔尺寸为0.5-3毫米左右并且至少有一种辐射气体的毛细管光源内形成放电，放电电流密度约为250000-1300000安培/cm2之间；以及(b)从放电光源辐射出在约11-14纳米之间选择的波长区域。3．如权利要求2所述操作毛细管放电光源的方法，其特征在于内孔尺寸进一步包括长度大约在1-10毫米左右。4．如权利要求1所述操作毛细管放电光源的方法，其特征在于气体包括氙气。5．如权利要求2所述操作毛细管放电光源的方法，其特征在于气体包括氙气。6．如权利要求1所述操作毛细管放电光源的方法，其特征在于气体包括包含分子的氧气以提供作为辐射气体的氧气。7．如权利要求2所述的操作毛细管放电光源的方法，其特征在于气体包括包含分子的氧以提供作为辐射气体的氧气。8．如权利要求1所述的操作毛细管放电光源的方法，其特征在于进一步包括缓冲气体。9．如权利要求2所述的操作毛细管放电光源的方法，其特征在于进一步包括缓冲气体。10．如权利要求1所述的操作毛细管放电光源的方法，其特征在于毛细管内总压力的范围为约0.1-50乇。11．如权利要求2所述的操作毛细管放电光源的方法，其特征在于毛细管内总压力的范围为约0.1-50乇。12．如权利要求1所述的操作毛细管放电光源的方法，其特征在于辐射选定波长区域的气体的压力为约0.1-20乇。13．如权利要求1所述的操作毛细管放电光源的方法，其特征在于气体包括辐射选定波长区域的金属蒸汽。14．如权利要求13所述的操作毛细管放电光源的方法，其特征在于金属蒸汽的压力为约0.1-20乇。15．如权利要求13所述的操作毛细管放电光源的方法，其特征在于金属蒸汽是锂。16．如权利要求1所述的操作毛细管放电光源的方法，其特征在于气体包括辐射约11-14纳米之间选定波长区域的锂；以及氦气作为缓冲气体。17．一种在操作光源之前，预处理具有工作在紫外线...
【专利技术属性】
技术研发人员：WT西尔弗瓦斯特，MA克洛森尔，GM希姆卡外格，
申请(专利权)人：中佛罗里达大学，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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