彩色阴极射线管制造技术

本发明专利技术公开了一种彩色阴极射线管的磁屏蔽结构，通过防止电子束因地磁场而移动，使电子束着屏于指定的荧光材料上，可改善彩色阴极射线管的色度、旋转裕度和磁场裕度。因此，在包括张力罩组件和磁屏蔽结构的彩色阴极射线管中，该张力罩组件由对电子束进行选色的张力罩、支撑张力罩的主框架和副框架构成，磁屏蔽结构设置于锥体，用于防止电子束的偏转和畸变，磁屏蔽结构包括屏蔽锥体内侧的主部件和其上可插入张力罩组件的前部件。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及彩色阴极射线管的磁屏蔽结构，特别涉及可屏蔽张力罩组件所有侧面的改进的内屏蔽结构。通常，彩色阴极射线管包括构成荧光屏的平面屏盘1；设置于屏盘1后部的锥体2，在锥体2的颈部内装有电子枪；和设置于颈部外周边表面的偏转系统5，偏转系统5用于偏转从电子枪扫描的电子束6。其中，在锥体2和屏盘1内设置在屏盘1的黑色矩阵上涂敷红、绿和蓝荧光材料的荧光面4，张力罩3与荧光面4分离地设置，以便可对从电子枪扫描的电子束6选色并且使其着屏于荧光面4上。张力罩3由主框架14和副框架13支撑，这样便构成张力罩组件。张力罩组件由设置于屏盘1各内侧部分的柱状销钉固定。内屏蔽9设置于框架后部，以使电子束6能够通过锥体2而不会因地磁场产生畸变。如图2A和2B所示，常规的内屏蔽9包括束屏蔽17和屏蔽18，束屏蔽17设置于主框架14的后部，用于屏蔽主框架14的后部，屏蔽18用于屏蔽锥体内部，以使电子束通过锥体的路径不产生畸变。其中，屏蔽18的部件形成为没有顶部和底部表面的梯形。屏蔽18可与束屏蔽17装在一起，或通过固定销钉与束屏蔽17连接。另一方面，在焊接副框架13和主框架14的结构中，通过对副框架13加力，把张力罩3焊接在主框架14上，然后去除施加给副框架13的力，由此制备张力罩组件。因此，当内屏蔽9设置于张力罩组件的后部时，因直接焊接，主框架14和张力罩3不受地磁场的影响。可是，由于副框架13和张力罩3不连接，在主框架14和张力罩3之间的侧面空间19被暴露于地磁场。参照图3A和3B，另一种常规内屏蔽9包括具有在其下部用于屏蔽框架的突起的束屏蔽17；和其部件形成为梯形以屏蔽锥体内部的屏蔽18。内屏蔽9也设置于张力罩组件的后部，因而束屏蔽17可屏蔽主框架的内侧和后部，并且屏蔽18可屏蔽锥体的内侧。可是，在主框架和张力罩之间的侧面空间19被暴露于地磁场。因此，当操作具有内屏蔽9的彩色阴极射线管使电子束扫描屏盘时，如图4A所示，电子束6在通过锥体和张力罩3的槽缝中因地磁场而发生畸变，然后着屏于不同的荧光材料上。即，当使电子束6扫描屏盘的整个区域时，电子束6因偏转系统而在水平或垂直方向上偏转，然后着屏于原来的位置上。可是，在偏转系统或外部地磁场改变使电子束的方向改变的情况下，电子束的路径发生畸变，然后使得电子束着屏于移动后的位置上。结果，如图4B所示，电子束6并不着屏于原来的荧光材料16上，而是错误地着屏于荧光材料16之间涂敷的黑色矩阵15上。此外，因电子束16的路径畸变，可使移动后的位置上的不同颜色的荧光材料16发射，从而降低荧光屏的色纯。并且，用于屏蔽地磁场的主框架、副框架和束屏蔽由具有低渗透率的材料构成，该渗透率与磁通强度成反比和与磁通密度成正比，因而使电子束的路径畸变。此外，电子束从主框架或副框架反射，在荧光屏上引起光晕。因此，使荧光屏模糊。因光晕，要限制用于偏转电子束的旋转裕度和磁场裕度。从而难以改善图像的色度(color chrominance)。本专利技术的目的在于提供一种彩色阴极射线管，通过提供可使电子束着屏于指定荧光材料上而使电子束路径不畸变的磁屏蔽结构，可改善该彩色阴极射线管的色度、旋转裕度和磁场裕度。为了实现本专利技术的上述目的，在包括张力罩组件和磁屏蔽结构的彩色阴极射线管中，该张力罩组件由对电子束进行选色的张力罩、支撑张力罩的主框架和副框架构成，磁屏蔽结构设置于锥体，用于防止电子束的偏转和畸变，磁屏蔽结构包括屏蔽锥体内侧的主部件和其上可插入张力罩组件的前部件。优选地，前部件具有一孔，张力罩组件可插入该孔中。前部件的两端部均具有侧壁。更优选地，主部件具有电子束通孔，该孔形成为相应于锥体内部形状的桶形。此外，前部件在其两端部具有向内突出的内壁以及外壁，外壁通过预定厚度的顶部表面形成与内壁分离的外侧壁。参照下面结合附图所作的详细说明，可容易并且更好地理解对本专利技术的更全面的评价和本专利技术的许多附带优点，附图中相同的标号表示相同或类似的部件，其中附图说明图1是展示常规彩色阴极射线管的主要部分的剖面图；图2A和2B是展示常规彩色阴极射线管的张力罩组件的内屏蔽和束屏蔽的透视图和侧视图；图3A和3B是展示常规彩色阴极射线管的由合成一体的束屏蔽和内屏蔽构成的磁屏蔽结构的透视图和侧视图；图4A和4B是表示因地磁场引起的电子束误着屏的示意性剖面图；图5A和5B是展示本专利技术的磁屏蔽结构和张力罩组件的透视图和剖面图；图6A是表示由图5B的磁屏蔽结构和张力罩组件构成的磁组件被固定到屏盘上的状态的正视图；和图6B是表示磁屏蔽结构的前部件高度变化的顶视图。以下，参照附图来详细说明本专利技术优选实施例的彩色阴极射线管的磁屏蔽结构。如图5A所示，磁屏蔽结构包括用于在锥体中屏蔽地磁场的主部件30；和用作束屏蔽以屏蔽地磁场对张力罩3较外部分的影响的前部件20。更详细地说，主部件30的部件形成为没有顶表面和底表面的梯形，以便可容易地插入壳状锥体中。主部件30的各下侧部分向外弯曲，以便可容易地与前部件20组装，和在预定位置形成固定销钉的插孔22。此外，前部件20开有一孔，张力罩组件可插入该孔中。具有预定厚度的顶部表面在包围中心孔的内壁和形成较外侧壁的外壁之间形成为方桶形状。其中，内壁的长边部件稍长于主框架(l)，内壁的短边部件稍长于副框架(w)。前部件20的长边部件具有长度(L)，短边部件具有长度(W)。前部件20的短边部件内壁17以弧形向内突出，以使电子束只投射向张力罩3的有效表面。前部件20的高度(H)大于副框架13的最高点与主框架14的半高度点之间的高度(h)。此外，固定销钉的插孔22形成在与主部件30上的固定销钉的插孔22相应的前部件20的顶部表面上。把主内屏蔽9设置于前部件20上，然后把固定销钉21插入固定销钉的插孔22中。如图5B所示，当这样组装的磁屏蔽结构与张力罩组件装配时，框架13、14的顶部表面和侧表面均位于前内屏蔽20中。其中，可用相同标准的一般模型替代主部件30。如果那样，可焊接主部件30和前部件20。在具有如图6A所示张力罩组件和磁屏蔽结构的彩色阴极射线管中，由柱状销钉24固定且由张力罩4和框架14、13构成的张力罩组件被设置于再现图像的屏盘1中，用斜线表示的磁屏蔽结构包围张力罩组件。即，屏盘1中所指示的部分是磁屏蔽结构的前部件20，标号23表示前部件20的端部。前部件20的端部设置于标号24的范围内，以完全屏蔽张力罩3的外侧部分。前部件20由高渗透率的金属构成，以便能够完成磁屏蔽功能和束屏蔽功能。在这种情况下，可使用厚度为1.5t的SCP材料。厚度为0.1至0.5t的高渗透率材料可提高效率。渗透率表示磁通密度与磁场强度之比。因此，使用具有足够的磁通密度的材料以屏蔽地磁场。当操作具有磁屏蔽结构的彩色阴极射线管时，由按照下式1表示的Fleming左手定则的力使电子束从电子枪扫描屏盘(式1)F→=Q×[E→+ν→×B→]]]>即，为了使外部磁场B对内电子束的影响最小，电子束通过由高渗透率材料构成的磁屏蔽结构，然后着屏于预定的荧光材料上。如表1所示，图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种彩色阴极射线管，包括张力罩组件和磁屏蔽结构，张力罩组件由对电子束进行选色的张力罩、支撑张力罩的主框架和副框架组成，磁屏蔽结构设置在锥体，用于防止电子束的偏转和畸变，所述磁屏蔽结构包括：屏蔽锥体内侧的主部件；和其中可插入张力罩组件 的前部件。

【技术特征摘要】
KR 2000-7-25 42853/001.一种彩色阴极射线管，包括张力罩组件和磁屏蔽结构，张力罩组件由对电子束进行选色的张力罩、支撑张力罩的主框架和副框架组成，磁屏蔽结构设置在锥体，用于防止电子束的偏转和畸变，所述磁屏蔽结构包括屏蔽锥体内侧的主部件；和其中可插入张力罩组件的前部件。2.如权利要求1的结构，其中，前部件具有一孔，张力罩组件可插入该孔中，和前部件的两端部具有侧壁。3.如权利要求2的结构，其中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨炳载，
申请(专利权)人：LG电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]