【技术实现步骤摘要】
传送装置和处理系统
[0001]本公开涉及半导体
,尤其涉及一种传送装置和处理系统。
技术介绍
[0002]在半导体器件的制造过程中,可以在反应腔室中对晶圆进行各种工艺。通过传送机构可以将晶圆传送至处理系统的腔室中进行处理。
技术实现思路
[0003]本公开提供了一种传送装置和处理系统。
[0004]根据本公开的一方面,提供了一种传送装置,包括:
[0005]第一传送组件,用于向腔室传送第一工件;
[0006]第二传送组件,用于从该腔室传送出第二工件;
[0007]阻隔组件,设置于该第一传送组件与该第二传送组件之间,用于阻隔该第一工件和该第二工件的能量传递;
[0008]支撑组件,用于将该阻隔组件限制在该第一传送组件与该第二传送组件之间;
[0009]其中,该第一传送组件的第一端耦合该支撑组件,该第一传送组件的第二端用于沿着第一工件传送方向往复运动;并且,该第二传送组件的第一端耦合该支撑组件,该第二传送组件的第二端用于沿着第二工件传送方向往复运动。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种传送装置,包括:第一传送组件,用于向腔室传送第一工件;第二传送组件,用于从所述腔室传送出第二工件;阻隔组件,设置于所述第一传送组件与所述第二传送组件之间,用于阻隔所述第一工件和所述第二工件的能量传递;支撑组件,用于将所述阻隔组件限制在所述第一传送组件与所述第二传送组件之间;其中,所述第一传送组件的第一端耦合所述支撑组件,所述第一传送组件的第二端用于沿着第一工件传送方向往复运动;并且,所述第二传送组件的第一端耦合所述支撑组件,所述第二传送组件的第二端用于沿着第二工件传送方向往复运动。2.根据权利要求1所述的传送装置,其中,所述第二工件的温度高于所述第一工件的温度,所述阻隔组件用于阻隔所述第二工件向所述第一工件传送能量,以降低对所述第一工件的光阻收缩的效应而增强去灰速率的可重复性。3.根据权利要求2所述的传送装置,其中,所述阻隔组件位于所述第一传送组件下方,以及所述第二传送组件的上方。4.根据权利要求1至3中任一项所述的传送装置,其中所述能量包括红外辐射,所述红外辐射的波长范围为1微米至20微米。5.根据权利要求4所述的传送装置,其中所述阻隔组件包括红外反射表面以阻隔所述红外辐射。6.根据权利要求1至3中任一项中所述的传送装置,其中所述阻隔组件包括冷源以降低所述阻隔组件温度。7.根据权利要求1至3中任一项所述的传送装置,其中所述阻隔组件的厚度范围为2.5毫米至3.5毫米。8.根据权利要求1至3中任一项中任一项所述的传送装置,其中所述阻隔组件与所述第一传送组件和所述第二传送组件垂直投影方向上等间隔。9.根据权利要求1至3中任一项所述的传送装置,其中所述阻隔组件由金属构成。10.根据权利要求9所述的传送装置,其中所述金属为铝。11.根据权利要求10所述的传送装置,其中所述铝为6061
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T6铝。12.根据权利要求9所述的传送装置,其中所述金属包括红外反射层。13.根据权利要求12所述的传送装置,其中所述红外反射层面向所述第二传送组件。14.根据权利要求1至3中任一项所述的传送装置,其中所述阻隔组件由非金属构成。15.根据权利要求1至3中任一项所述的传送装置,其中所述第一传送组件和所述第二传送组件垂直投影方向上的距离的范围为4毫米至5毫米。16.根据权利要求1至3中任一项所述的传送装置,其中,所述第一传送组件包括至少一个传送臂,所述传送臂用于向所述腔室传送第一工件。17.根据权利要求1至3中任一项所述的传送装置,其中,所述第二传送组件包括至少一个传送臂,所述传送臂用于从所述腔室传送出第二工件。18.根据权利要求1至3中任一项所述的传送装置,其中,所述第一传送组件包括第一传送臂,所述第二传送组件包括第二传送臂,所述第一传送臂和所述第二传...
【专利技术属性】
技术研发人员:辛孟阳,余飞,罗功林,
申请(专利权)人:北京屹唐半导体科技股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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