电子源及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种电子源及其制造方法。在包含电子发射部件的电子源中，用通过被形成在绝缘体上的开口部分对第一或者第二导体进行连接的第三导体，使电子发射部件与第一或者第二导体连接，其开口部分形成为从第三导体的一端向另一端变窄的形状。本发明专利技术避免了第三导体在和第一或者第二导体的连接部分中因第一或者第二导体的热应力受到损伤的现象。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及包含配线和与之连接的电子发射部分的电子源的制造方法。
技术介绍
以往，作为电子发射元件，已知有热电子源和冷阴极电子源这2种。在冷阴极电子源中，有场致发射型(以下，成为EF)、金属/绝缘层/金属(以下，称为MIM)和表面传导型电子发射元件等。作为EF型的例子，已知有W.P.Dyke & W.W.Dolan，“Fieldemission”，Advance in Electron Physics，8，89，(1956)等。作为MIM型的例子，已知有C.A.Mead，“Tunnel-emissionamplifier”，J，Appl.Phys，32，646(1961)等。作为表面传导型电子发射元件的例子，有M.I.Elinson，RadioEng.Electron Phys.，10，(1956)等。表面传导型电子发射元件，是在被形成在基板上的小面积的薄膜上，通过使电流与膜面平行地流过，利用产生电子发射的现象的元件。作为该表面传导型电子发射元件，有上述使用Elinson等的SnO2薄膜的元件，有采用Au薄膜的元件[G.Dittmer“Thin Solid Fil本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子源，具有， 配置在基板上，相互交叉的第一导体及第二导体； 配置在上述第一或者第二导体的下部，绝缘上述交叉的第一导体和第二导体的绝缘体； 电气连接上述第一导体和上述第二导体的电子发射部件， 其特征在于： 上述第一或者第二导体和上述电子发射部件的连接，通过被设置在上述绝缘体上的开口部分由第三导体完成，该开口部分，在完成上述第一或者第二导体和上述电子发射部件的连接的该第三导体的一端的区域上，其宽度具有从该端向另一端变窄的区域。

【技术特征摘要】
JP 2001-8-2 234364/20011.一种电子源，具有，配置在基板上，相互交叉的第一导体及第二导体；配置在上述第一或者第二导体的下部，绝缘上述交叉的第一导体和第二导体的绝缘体；电气连接上述第一导体和上述第二导体的电子发射部件，其特征在于上述第一或者第二导体和上述电子发射部件的连接，通过被设置在上述绝缘体上的开口部分由第三导体完成，该开口部分，在完成上述第一或者第二导体和上述电子发射部件的连接的该第三导体的一端的区域上，其宽度具有从该端向另一端变窄的区域。2.一种电子源制造方法，该电子源被进行矩阵配置，并...

【专利技术属性】
技术研发人员：户岛博彰，石渡和也，宇田芳己，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]