一种多面体CsPbBr3@CsPbX3核壳钙钛矿异质结及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种多面体CsPbBr3@CsPbX3核壳异质结及其制备方法。该核壳钙钛矿异质结中，多面体CsPbBr3为核心，CsPbX3为壳层，其中X为Cl或I。其制备为：在双温区管式炉的石英管1内套一个石英管2，卤化铯和卤化铅混合粉末及沉积在基片上的多面体CsPbBr3分别置于石英管2内的两端并分别位于双温区管式炉的上下游区，设定上游区温度为540～700℃，下游区温度为270～330℃，惰性气体氛围中制备得到多面体CsPbBr3@CsPbX3核壳异质结，其中X为Cl或I。该制备方法简单，所得CsPbBr3@CsPbX3核壳结构表面光滑，壳层CsPbX3包裹致密，缺陷密度较少。缺陷密度较少。

【技术实现步骤摘要】
一种多面体CsPbBr3@CsPbX3核壳钙钛矿异质结及其制备方法


[0001]本专利技术属于钙钛矿光电材料领域，具体涉及一种多面体CsPbBr3@CsPbX3核壳钙钛矿异质结及其制备方法。

技术介绍

[0002]近年来，卤化物钙钛矿因具有带隙可调、高的光吸收系数、高缺陷容忍度、高的量子产率以及高的载流子迁移率等优异的性能，而成为光电探测器、发光二极管、激光器、光伏电池等光电器件运用的理想备选材料。尽管具有很大的优势，但是稳定性差仍然是限制卤基钙钛矿实际应用和未来商业化的主要缺点。通过在钙钛矿单晶上包覆致密的壳以形成核壳结构，不仅能够改善卤化物钙钛矿在恶劣环境下的稳定性，而且更重要的是，还可能改善发光性能、减轻表面缺陷、抑制非辐射复合以及增强载流子运输。
[0003]卤化物钙钛矿型纳米晶的软离子键性质和低晶格能，导致表面缺陷的形成，使得卤化物的空位形成能低，造成了材料的不稳定性，但同时也有利于异质结的形成。核壳结构也是一种特殊的异质结构，适当的壳层可以有效地作为物理环境屏障，抑制晶体之间的相互作用，减轻表面陷阱态的存在，实现带隙宽度可调本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多面体CsPbBr3@CsPbX3核壳钙钛矿异质结，其特征在于，所述核壳钙钛矿异质结中，多面体CsPbBr3为核心，CsPbX3为壳层，其中X为Cl或I。2.根据权利要求1所述的核壳钙钛矿异质结，其特征在于，所述核心多面体CsPbBr3粒径为3～5μm，壳层CsPbX3厚度为0.5～1μm。3.根据权利要求1所述的核壳钙钛矿异质结，其特征在于，多面体CsPbBr3为正四面体CsPbBr3或正方体CsPbBr3。4.一种权利要求1
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3所述的多面体CsPbBr3@CsPbX3核壳钙钛矿异质结的制备方法，其特征在于，包括步骤如下：在双温区管式炉的石英管1内套一个石英管2，沉积在基片上的多面体CsPbBr3及卤化铯和卤化铅混合粉末分别置于石英管2内的两端，其中沉积在基片上的多面体CsPbBr3位于双温区管式炉的下游区中心位置，卤化铯和卤化铅混合粉末位于双温区管式炉的上游区热电偶的中心位置，设定双温管式炉的上游区温度为540～700℃，下游区温度为270～330℃，惰性气体氛围中反应制备得到多面体CsPbBr3@CsPbX3核壳异质结，其中X为Cl或I。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述石英管1和所述石英管2的外径比为4：(1
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3)。6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，卤化铯和卤化铅等摩尔混合；所述多面体CsPbBr3与卤化铯的摩尔比为1:0.5～2。7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，控制惰性气体流...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘勇，董顺洪，何加珍，
申请(专利权)人：武汉理工大学，
类型：发明
国别省市：